【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及新材料纳米和光电子领域,具体涉及一种max相或mab相二维纳米材料及其制备方法和应用。
技术介绍
1、二维(2d)半导体因其独特的原子层状结构和无悬空键表面,已成为突破硅(si)金属氧化物半导体场效应晶体管短沟道效应的理想候选材料。近年来,由于其独特的物理和化学性质,例如量子霍尔效应和量子谷霍尔效应、间接到直接的带隙过渡以及强大的自旋轨道耦合,二维(2d)范德瓦尔斯(vdw)层状材料引起了极大的关注,这些性质无法来源传统3d块体材料。此外,由逐层堆叠构建的垂直vdw异质结构使原子厚度量子阱、p-n结、库仑阻力晶体管和扭曲器件具有广泛的应用。然而,基于此类二维结构的应用受到大规模合成技术的限制,因此急需开发能够满足这些要求的大规模生产技术。
2、max相层状三元过渡金属碳化物,通式为mn+1axn(n=1-3),其中m为过渡金属元素,a代表iiia和iva主族元素,x代表碳或氮。max相组成丰富、品类近80种,因独特层状结构而兼具金属和陶瓷特性,在世界范围内引起了研究者的广泛兴趣。通过改变max相的组成和结构,可
...【技术保护点】
1.一种MAX相或MAB相二维纳米材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的MAX相或MAB相二维纳米材料的制备方法,其特征在于,利用低温高压连续流破碎仪喷嘴使MAX或MAB浆料粉碎,利用伯努利原理造成剪切效应和空化效应,再结合高粘度溶剂提供的流动阻力和粘滞力,能有效打开MAX相或MAB相中的M-A金属键,破坏其块状材料的层状结构,低温环境有效抑制低价态过渡金属氧化,获得较薄的二维高质量纳米片;步骤(1)中前驱体的三维颗粒直径在100um以下,分散液浓度为0.01-10mg/ml。
3.根据权利要求1所述的MAX相或MA
...【技术特征摘要】
1.一种max相或mab相二维纳米材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的max相或mab相二维纳米材料的制备方法,其特征在于,利用低温高压连续流破碎仪喷嘴使max或mab浆料粉碎,利用伯努利原理造成剪切效应和空化效应,再结合高粘度溶剂提供的流动阻力和粘滞力,能有效打开max相或mab相中的m-a金属键,破坏其块状材料的层状结构,低温环境有效抑制低价态过渡金属氧化,获得较薄的二维高质量纳米片;步骤(1)中前驱体的三维颗粒直径在100um以下,分散液浓度为0.01-10mg/ml。
3.根据权利要求1所述的max相或mab相二维纳米材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中高粘度溶剂为粘度超过30mpa·s的粘性溶剂,为以下六类中一种或多种混合,第一类:植物油,包括但不限于食用油、精油、脂肪酸;第二类:矿物油,包括但不限于液态烷烃cnh2n;第三类:甲基硅油、改性硅油;第四类:纤维素,包括但不限于羧甲基纤维素cmc;第五类:有粘性的有机物,包括但不限于甘油、树脂、粘合剂、溶胶;第六类:表面活性剂,包括但不限于阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子型表面活性剂或两性表面活性剂。
4.根据权利要求1所述的max相或mab相二维纳米材料的制备方法,其特征在于,根据所需目的采用不同基团的粘性溶剂,实现表面官能团的吸附调控,所述粘性溶剂可携带的表面吸附的官能团包括十三种,为:1、-x卤基;2、-oh羟基;3、-cho醛基;4、-cooh羧基;5、-coo-酯基;6、-co-羰基;7、-o-醚键;8、-c=c-碳碳双键;9、-c≡c-碳碳叁键;10、-nh2氨基;11、-nh-co-肽键;12、-no2硝基或13、-so3h磺酸基。
5.根据权利要求1所述的max相或mab相二维纳米材料的制备方法,其特征在于,根据所需目的还能添加不同氧化还原性质的溶剂,调控物理剥离过程中二维max或mab材料中过渡金属的高低价态,添加不同氧化还原性质的溶剂包括氧化性溶剂、中性溶剂或还原...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨慧,楚亮,刘熙俊,吴晓明,刘红军,
申请(专利权)人:天津理工大学,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。