【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于真菌性甲癣治疗的高功率半导体激光治疗仪，属于医疗器械。
技术介绍
1、医学上经常利用选择性光热作用的原理，采用高能量密度的长脉冲1064nm红外激光作为真菌性甲癣的重要治疗手段。选择性光热作用是激光医疗领域最为重要的治疗方法，指的是根据不同组织的生物学特性，选择合适的光学波长、能量、脉宽，以保证对病变组织进行有效治疗的同时，尽量避免对周围正常组织造成损伤。当利用高能近红外激光辐射甲癣部位时，真菌性甲癣自身携带的黑色素将对激光产生强烈的吸收，温度迅速升高，进而导致真菌细胞受热变性死亡。
2、波长为1064nm的高功率nd:yag固体激光是真菌性甲癣常用的治疗装置。但是，传统的1064nm长脉冲激光由脉冲氙灯泵浦nd:yag固体激光晶体产生，光电转化效率较低，仅有2～3％左右，通过导光关节臂或者耦合进大芯径多模光纤进行传输。对于导光关节臂的传输方式，最终激光能量的分布取决于固体激光器自身的远场光束质量和均匀性，固体激光光源本身平顶分布，则最终光斑也平顶分布，如果固体激光光源本身不均匀，则最终光斑也不均匀。而大芯径多模光纤的末端出射光强，往往呈现出中心强、边缘弱的近似高斯分布特征，因此准直或聚焦之后其光强分布也基本为中心强、边缘弱的特征。以上两种激光传输方式，并不能确保实现最终治疗光斑的匀化。光斑不均匀意味着激光能量分布不均，有些部位可能得到过高的能量，而其他部位可能得到不足的能量。这可能导致治疗效果不稳定，甚至无效，也会增加患者的疼痛和不适感。
3、近年来，随着半导体激光器向高功率、多波
4、因此，有必要设计一种具有均匀光斑的高功率半导体激光治疗仪用于真菌性甲癣的治疗。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种用于真菌性甲癣治疗的高功率半导体激光治疗仪。
2、为实现上述技术目的，本专利技术采用以下的技术方案：
3、一种用于真菌性甲癣治疗的高功率半导体激光治疗仪，包括壳体，以及位于壳体内的半导体激光源，耦合器，传输光纤，匀光端帽以及成像透镜；其中，半导体激光源，耦合器，传输光纤，匀光端帽以及成像透镜位于同一光轴上，匀光端帽熔接在光纤末端，
4、半导体激光源的光束经光学整形，由耦合器耦合进入大芯径的传输光纤中，在匀光端帽内部经过匀光后从匀光端帽的出口出射。
5、其中较优地，所述匀光端帽为石英制成的匀光端帽。
6、其中较优地，所述匀光端帽的柱形长度l≥20mm，直径d＝2mm，其与所述成像透镜之间的距离为20mm。
7、其中较优地，所述成像透镜的焦距f＝12mm。
8、其中较优地，所述成像透镜的光学孔径oa为12mm。
9、其中较优地，所述壳体的出光端面到成像透镜的光心距离为30mm。
10、其中较优地，所述匀光端帽的出射端面和成像透镜均镀有对1064nm波长透射的光学增透膜。
11、其中较优地，所述半导体激光源由多颗1064nm高功率半导体激光芯片组成，其光束合束后入射到耦合器，以耦合到传输光纤。
12、与现有技术相比较，本专利技术采用多颗1064nm高功率半导体激光芯片，以达到预设的大功率进行治疗，确保治疗效果，同时实现小型化。本专利技术还利用石英制成的匀光端帽进行光束匀化，以确保辐照到人体的光斑更均匀，避免局部灼伤或局部辐照不足。
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1.一种用于真菌性甲癣治疗的高功率半导体激光治疗仪，其特征在于包括壳体，以及位于壳体内的半导体激光源，耦合器，传输光纤，匀光端帽以及成像透镜；其中，半导体激光源，耦合器，传输光纤，匀光端帽以及成像透镜位于同一光轴上，匀光端帽熔接在传输光纤的出光端；
2.如权利要求1所述的高功率半导体激光治疗仪，其特征在于：
3.如权利要求2所述的高功率半导体激光治疗仪，其特征在于：
4.如权利要求3所述的高功率半导体激光治疗仪，其特征在于：
5.如权利要求4所述的高功率半导体激光治疗仪，其特征在于：
6.如权利要求5所述的高功率半导体激光治疗仪，其特征在于：
7.如权利要求6所述的高功率半导体激光治疗仪，其特征在于：
8.如权利要求6所述的高功率半导体激光治疗仪，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种用于真菌性甲癣治疗的高功率半导体激光治疗仪，其特征在于包括壳体，以及位于壳体内的半导体激光源，耦合器，传输光纤，匀光端帽以及成像透镜；其中，半导体激光源，耦合器，传输光纤，匀光端帽以及成像透镜位于同一光轴上，匀光端帽熔接在传输光纤的出光端；
2.如权利要求1所述的高功率半导体激光治疗仪，其特征在于：
3.如权利要求2所述的高功率半导体激光治疗...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡宏，
申请(专利权)人：中国人民解放军空军特色医学中心，
类型：发明
国别省市：
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