【技术实现步骤摘要】
本技术涉及rfid，具体为一种应用于rfid系统中射频功率测量电路。
技术介绍
1、rfid技术是一种无线射频识别技术，用于对物品、动物或人员等进行自动识别和跟踪，rfid系统中最为重要的是发射机，即将控制信号转换为载波信号提供天线转换为无线信号，当系统中的接收机(一般为电子标签)接收该无线信号后会立刻根据指令做出相应的动作，例如上传自己的卡号或者存储数据等。
2、对于rfid系统的技术指标中最重要的就是射频发射功率以及射频接收灵敏度，其中射频功率尤为重要，因其还牵涉到无线电委员会指定的关于发射功率的相关指标，如果设计者设计的rfid系统的发射功率超过相关法律法规制定的指标，用户还可能需要承担相应的法律责任，所以对系统的射频功率进行监控是很有必要的。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本技术提供了一种应用于rfid系统中射频功率测量电路，具备射频功率灵敏度较高等优点，解决了射频功率灵敏度低的问题。
2、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种应用于rfid系统中射频功率测量电路，包括测量装置本体、固定衰减器以及射频功率测量电路板和电感耦合器以及控制电路和供电电路；
3、所述测量装置本体用于接收外端大功率射频输入信号；
4、所述固定衰减器设置在所述测量装置本体内部，以使所述外端大功率射频输入信号转换为可检测的小功率射频信号；
5、所述射频功率测量电路板设置在所述测量装置本体内部；
6、所述射频功率测量电路
7、所述功率检波电路的一端与所述固定衰减器相连接；
8、所述高速adc采样电路的两端分别与所述功率检波电路以及所述数据处理单元相连接；
9、所述数据处理单元用于预存校准数据，并根据所述高速adc采样电路所采集的电压参数进行映射。
10、进一步，所述射频功率测量电路板具有多条支路，且每条支路具有不同的阻抗特性，并通过相应的受控开关与射频信号输入端连接。
11、进一步，所述控制电路包括微处理器、存储芯片、第一扩展芯片、第二扩展芯片、usb接口电路和spi接口电路，其中，所述微处理器分别与所述存储芯片、所述第一扩展芯片、所述第二扩展芯片、所述usb接口电路和所述spi接口电路连接，并且，所述微处理器通过所述存储芯片获取校准数据，通过所述第一扩展芯片与显示模块连接，通过所述第二扩展芯片与按键输入模块连接，通过所述usb接口电路与外部设备通信，通过所述spi接口电路与射频信号采集电路连接。
12、进一步，所述供电电路包括电源选择电路、内置电源和电源转换模块；其中，所述电源选择电路通过所述内置电源进行供电，当所述电源选择电路与至少一个外接电源连接，断开与所述内置电源的连接，而通过所述外接电源进行供电；并且所述内置电源或所述外接电源通过所述电源转换模块而得到所需直流电。
13、进一步，电源选择电路包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一mos管、第二mos管和第一电阻，其中，第一二极管与第二二极管串联，第一二极管和第三二极管的正向端与外接电源的输入端连接，第三二极管的反向端与第一mos管和第二mos管的栅极连接，第一mos管的源极和第二mos管的源极连接，第一电阻的一端与第一mos管和第二mos管的栅极连接，其另一端与第一mos管和第二mos管的源极连接。
14、进一步，所述测量装置本体上设置有触控显示屏，所述测量装置本体内设置有一电源接口和散热风扇，所述功率测量电路板的工作频率可覆盖1mhz到6ghz频率的rf功率，测量范围为60db,其频率响应时间为10ns，该电路可应用与rfid系统的rf发射机pa设定点控制，用于保护射频电路过热以及规避法律法规设定的射频辐射范围。
15、与现有技术相比，本申请的技术方案具备以下有益效果：
16、该应用于rfid系统中射频功率测量电路，通过将功率测量电路板的工作频率可覆盖1mhz到6ghz频率的rf功率，测量范围为60db,其频率响应时间为10ns，该电路可应用与rfid系统的rf发射机pa设定点控制，用于保护射频电路过热以及规避法律法规设定的射频辐射范围，经过电感耦合器后通过对感应电压的adc测量的方法相比，射频功率测量电路具有更大的精度和稳定性，能够快速响应无线信号的变化，其响应时间为10ns，且能够检测到45mhz以上的rf突发脉冲，而且该电路的相关参数，例如对数斜率以及截距等参数非常稳定，不随着电源电压和温度波动而变化，且相对与传统方案需要对不同的无线射频进行软硬件调整不同，该测量电路可直接对各种主流rfid系统的无线信号的rss i直接测量,主控芯片的程序无需更改可直接适用，对于1mhz-6ghz的无线信号，能保持精确的对数一致性，其信号范围已经完全覆盖主流的rfid无线频率，电源选择电路包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一mos管、第二mos管和第一电阻，其中，第一二极管与第二二极管串联，第一二极管和第三二极管的正向端与外接电源的输入端连接，第三二极管的反向端与第一mos管和第二mos管的栅极连接，第一mos管的源极和第二mos管的源极连接，第一mos管的漏极与所述内置电源连接，第二mos管的漏极和第二二极管的反向端与所述电源转换模块的输入端连接；第一电阻的一端与第一mos管和第二mos管的栅极连接，其另一端与第一mos管和第二mos管的源极连接。
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1.一种应用于RFID系统中射频功率测量电路，其特征在于：包括测量装置本体、固定衰减器以及射频功率测量电路板和电感耦合器以及控制电路和供电电路；
2.根据权利要求1所述的一种应用于RFID系统中射频功率测量电路，其特征在于：所述射频功率测量电路板具有多条支路，且每条支路具有不同的阻抗特性，并通过相应的受控开关与射频信号输入端连接。
3.根据权利要求1所述的一种应用于RFID系统中射频功率测量电路，其特征在于：所述控制电路包括微处理器、存储芯片、第一扩展芯片、第二扩展芯片、USB接口电路和SPI接口电路，其中，所述微处理器分别与所述存储芯片、所述第一扩展芯片、所述第二扩展芯片、所述USB接口电路和所述SPI接口电路连接，并且，所述微处理器通过所述存储芯片获取校准数据，通过所述第一扩展芯片与显示模块连接，通过所述第二扩展芯片与按键输入模块连接，通过所述USB接口电路与外部设备通信，通过所述SPI接口电路与射频信号采集电路连接。
4.根据权利要求1所述的一种应用于RFID系统中射频功率测量电路，其特征在于：所述供电电路包括电源选择电路、内置电源和电源
5.根据权利要求1所述的一种应用于RFID系统中射频功率测量电路，其特征在于：电源选择电路包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一MOS管、第二MOS管和第一电阻；其中，第一二极管与第二二极管串联，第一二极管和第三二极管的正向端与外接电源的输入端连接，第三二极管的反向端与第一MOS管和第二MOS管的栅极连接，第一MOS管的源极和第二MOS管的源极连接，第一电阻的一端与第一MOS管和第二MOS管的栅极连接，其另一端与第一MOS管和第二MOS管的源极连接。
6.根据权利要求1所述的一种应用于RFID系统中射频功率测量电路，其特征在于：所述测量装置本体上设置有触控显示屏，所述测量装置本体内设置有一电源接口和散热风扇。
...【技术特征摘要】
1.一种应用于rfid系统中射频功率测量电路，其特征在于：包括测量装置本体、固定衰减器以及射频功率测量电路板和电感耦合器以及控制电路和供电电路；
2.根据权利要求1所述的一种应用于rfid系统中射频功率测量电路，其特征在于：所述射频功率测量电路板具有多条支路，且每条支路具有不同的阻抗特性，并通过相应的受控开关与射频信号输入端连接。
3.根据权利要求1所述的一种应用于rfid系统中射频功率测量电路，其特征在于：所述控制电路包括微处理器、存储芯片、第一扩展芯片、第二扩展芯片、usb接口电路和spi接口电路，其中，所述微处理器分别与所述存储芯片、所述第一扩展芯片、所述第二扩展芯片、所述usb接口电路和所述spi接口电路连接，并且，所述微处理器通过所述存储芯片获取校准数据，通过所述第一扩展芯片与显示模块连接，通过所述第二扩展芯片与按键输入模块连接，通过所述usb接口电路与外部设备通信，通过所述spi接口电路与射频信号采集电路连接。
4.根据权利要求1所述的一种应用于rfid系统中射频功率测量...
【专利技术属性】
技术研发人员：奚圣铎，邹立明，孙传奇，钱文武，
申请(专利权)人：上海普正信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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