监测光刻过程的方法以及相关设备技术

公开了一种计算机实现方法，该计算机实现方法确定与一个或更多个特征在光刻过程中在衬底上的放置相关的放置度量。该方法包括：获得设置数据，该设置数据包括放置误差贡献项数据和良率数据，该放置误差贡献项数据与多个放置误差贡献项参数相关，该良率数据表示良率；以及限定用于预测良率度量的统计模型，该统计模型基于放置度量，该放置度量是所述放置误差贡献项参数和相关联的模型系数的函数。基于所述设置数据拟合模型系数；以及根据经拟合的所述模型系数确定放置度量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种例如可用于在通过光刻技术进行器件的制造中执行量测的量测设备和方法。本专利技术还涉及用于在光刻过程中监测边缘放置误差或相关度量的这种方法。

技术介绍

1、光刻设备是将期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(ic)的制造中。在该情况下，图案形成装置(其替代地称为掩模或掩模版)可以用以产生待形成在ic的单层上的电路图案。这种图案可以转印至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。图案的转印通常经由成像至被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。

2、在光刻过程中，通常需要频繁地对所创建的结构进行测量，例如用于过程控制和验证。己知用于进行这种测量的各种工具以及用于测量重叠、器件中的两层的对准准确性的专用工具，所述工具包括扫描电子显微镜，所述扫描电子显微镜通常用于测量临界尺寸(cd)。最近，已经开发了用于光刻领域的各种形式的散射仪。这些装置将辐射束引导到目标上，并测量散射辐射的一个或更多本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种包括处理器可读指令的计算机程序，所述处理器可读指令当在合适的处理器控制的设备上运行时使所述处理器控制的设备确定与一个或更多个特征在光刻过程中在衬底上的放置相关的放置度量，所述处理器可读指令被配置为：

2.根据权利要求1所述的计算机程序，其中，所述放置度量与两个或更多个特征的相对放置相关。

3.根据权利要求2所述的计算机程序，其中，所述两个或更多个特征被分布在两个或更多个层上。

4.根据权利要求3所述的计算机程序，其中，所述放置误差贡献项参数至少包括至少一个重叠度量和至少一个临界尺寸度量。

5.根据权利要求4所述的计算机程序，其中，所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种包括处理器可读指令的计算机程序，所述处理器可读指令当在合适的处理器控制的设备上运行时使所述处理器控制的设备确定与一个或更多个特征在光刻过程中在衬底上的放置相关的放置度量，所述处理器可读指令被配置为：

2.根据权利要求1所述的计算机程序，其中，所述放置度量与两个或更多个特征的相对放置相关。

3.根据权利要求2所述的计算机程序，其中，所述两个或更多个特征被分布在两个或更多个层上。

4.根据权利要求3所述的计算机程序，其中，所述放置误差贡献项参数至少包括至少一个重叠度量和至少一个临界尺寸度量。

5.根据权利要求4所述的计算机程序，其中，所述至少一个重叠度量与一对或更多对相关层之间的全局重叠相关，并且所述临界尺寸度量与所述相关层的每个层中的局部临界尺寸的统计测度相关。

6.根据权利要求4或5所述的计算机程序，其中，所述至少一个临界尺寸度量包括以下各项中的一项或两项：蚀刻前临界尺寸度量和蚀刻后临界尺寸度量。

7.根据权利要求2所述的计算机程序，其中，所述两个或更多个特征位于单个层中，所述单个层是在至少第一图案化步骤和第二图案化步骤中形成的。

8.根据权利要求7所述的计算机程序，其中，所述放置误差贡献项参数...

【专利技术属性】
技术研发人员：V·巴斯塔尼，张祎晨，M·德阿赛德科斯塔易席尔瓦，H·A·迪伦，R·J·范维克，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：