【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备，尤其涉及一种新型多功能二维材料生长设备。
技术介绍
1、二维材料逐渐成为半导体研究领域的焦点，二维材料展现出与相应的三维体材料截然不同的性质，在新型电子器件、光电子器件领域有巨大应用潜力。
2、常见的二维材料包括石墨烯、六方氮化硼、过渡金属硫族化合物等，目前常用的六方氮化硼和过渡金属硫族化合物生长制备方法包括体材料机械剥离、化学气相反应沉积、金属有机化合物气相反应沉积，其中，气相反应沉积需要前驱体在衬底附件产生化学反应，生成目标二维材料分子沉积在衬底上，因此生长过程受气流影响较大，目前气相反应沉积设备大多数是用于algan、gaas、inp等化合物体材料生长，在生长二维材料时，由于生长厚度仅有原子层尺度，现有生长体的缓冲层、变温层等技术不适用二维材料生长，二维材料经过初始成核后很快能合并为连续薄膜，因此成核阶段的调控是实现高质量二维材料生长的关键因素。
3、鉴于此，本申请提供一种新型多功能二维材料生长设备，通过激光刻蚀以及调控成核行为，由此改善生长晶体的质量以及修饰生长的薄膜。
<...【技术保护点】
1.一种新型多功能二维材料生长设备，其特征在于，包括刻蚀组件，其中：
2.根据权利要求1所述的新型多功能二维材料生长设备，其特征在于，还包括容纳组件，所述容纳组件内部设有生长室，所述刻蚀组件位于所述容纳组件顶部一侧。
3.根据权利要求2所述的新型多功能二维材料生长设备，其特征在于，还包括真空组件，所述真空组件设于所述生长室底部，所述真空组件与所述容纳组件固定连接。
4.根据权利要求3所述的新型多功能二维材料生长设备，其特征在于，所述真空组件顶部还设有样品台，所述样品台与所述真空组件固定。
5.根据权利要求4所述的新型多功...
【技术特征摘要】
1.一种新型多功能二维材料生长设备，其特征在于，包括刻蚀组件，其中：
2.根据权利要求1所述的新型多功能二维材料生长设备，其特征在于，还包括容纳组件，所述容纳组件内部设有生长室，所述刻蚀组件位于所述容纳组件顶部一侧。
3.根据权利要求2所述的新型多功能二维材料生长设备，其特征在于，还包括真空组件，所述真空组件设于所述生长室底部，所述真空组件与所述容纳组件固定连接。
4.根据权利要求3所述的新型多功能二维材料生长设备，其特征在于，所述真空组件顶部还设有样品台，所述样...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙晓娟，吕炳辰，陈洋，黎大兵，吕顺鹏，贲建伟，张山丽，蒋科，贾玉萍，石芝铭，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。