【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子元器件领域,尤其涉及一种功率组件及其制备方法、电子设备。
技术介绍
1、目前,常采用晶体盖固定mos管,使得mos管的一面由晶体盖压附固定,mos管的另一面与散热器接触,mos管的引脚则向上弯折与晶体盖一侧的电路板焊接,但是晶体盖占用电路板面积较大,散热器和电路板尺寸都得相继增加,功率密度很难得到提升;同时晶体盖的长期可靠性和平面度很难得到保证,且组装公差较多,包括晶体盖公差、mos管引脚弯折垂直度、散热器固定公差、电路板形变公差、焊接后平面度一致性等等,使得mos管引脚受到垂直方向的应力较大,带来一系列的mos管引脚受力失效风,并且mos管需要手动插装、采用波峰焊焊接,组装、加工难度大,自动化程度低;随着并联的单管数量不断增加,常常出现mos管和散热器无法贴紧导致产品失效的案例。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的是提供一种功率组件及其制备方法、电子设备,旨在解决mos管和散热器无法紧贴导致产品失效或mos管引脚受力失效问题,以及功率器件、电路板、散热器三者之间组装
...【技术保护点】
1.一种功率组件,其特征在于,所述功率组件包括:电路板、功率器件和散热器;
2.如权利要求1所述的功率组件,其特征在于,所述功率器件为多个,多个所述功率器件通过所述走线层电连接形成预设电路拓扑。
3.如权利要求2所述的功率组件,其特征在于,所述预设电路拓扑包括功率半导体全桥拓扑、功率半导体H桥拓扑、功率半导体半桥拓扑、功率制动拓扑、功率晶体管全桥拓扑、功率晶体管H桥拓扑、功率晶体管半桥拓扑、两电平逆变拓扑、三电平逆变拓扑中的至少一者。
4.如权利要求2所述的功率组件,其特征在于,多层所述走线层中的一层具有正极走线,多层所述走线层中的
...【技术特征摘要】
1.一种功率组件,其特征在于,所述功率组件包括:电路板、功率器件和散热器;
2.如权利要求1所述的功率组件,其特征在于,所述功率器件为多个,多个所述功率器件通过所述走线层电连接形成预设电路拓扑。
3.如权利要求2所述的功率组件,其特征在于,所述预设电路拓扑包括功率半导体全桥拓扑、功率半导体h桥拓扑、功率半导体半桥拓扑、功率制动拓扑、功率晶体管全桥拓扑、功率晶体管h桥拓扑、功率晶体管半桥拓扑、两电平逆变拓扑、三电平逆变拓扑中的至少一者。
4.如权利要求2所述的功率组件,其特征在于,多层所述走线层中的一层具有正极走线,多层所述走线层中的一层具有负极走线,所述正极走线与所述负极走线位于不同所述走线层,所述预设电路拓扑分别通过所述正极走线与电源正极电连接、通过所述负极走线与电源负极电连接。
5.如权利要求4所述的功率组件,其特征在于,所述正极走线和所述负极走线在所述散热器靠近所述电路板的表面上的正投影至少部分重叠。
6.如权利要求1所述的功率器件,其特征在于,所述功率器件的引脚为贴片式引脚,所述贴片式引脚的贴合焊接面高于所述功率器件的散热面...
【专利技术属性】
技术研发人员:邬金星,赵国源,邓新贵,
申请(专利权)人:苏州汇川控制技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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