【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子电路，尤其涉及一种电子保险丝启动控制电路、启动控制方法、设备及介质。
技术介绍
1、电子保险丝能够实现缓启，避免热插拔产生大电流或者拉低电压，同时能提供功率监控和过电流保护等功能，因此随着服务器、存储设备、交换机等硬件板卡的热插拔需求，以及板卡供电母线的保护需要，越来越多的板卡在供电母线上设计电子保险丝。
2、电子保险丝的主功率芯片是一个通流能力极强的金属氧化物半导体场效应晶体管。随着主板功耗越来越大，突破单个金属氧化物半导体场效应晶体管的通流极限，越来越多的应用场景使用金属氧化物半导体场效应晶体管并联来满足通流的需求。
3、但是并联使用时，由于主功率金属氧化物半导体场效应晶体管的参数、使用环境温度、布局布线的差异，会导致的不均流。尤其是在启动时，由于电子保险丝要保护的输入电压母线功耗很大，需要的滤波电容也多，为了避免金属氧化物半导体场效应晶体管启动时较大的inrush电流，需要长时间缓慢的软启动，通常时间在1-20毫秒级别。在启动过程中金属氧化物半导体场效应晶体管工作在饱和区，因此，如何在电子保险丝的启动过程中，保证金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性已经成为业界亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种电子保险丝启动控制电路、启动控制方法、设备及介质，用以解决现有技术中如何在电子保险丝的启动过程中，保证金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性已经成为业界亟待解决的问题。
2、本专利技术提供一种电子保险丝启动控制电路，
3、所述第一脉冲宽度调制模块与所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管连接，所述第二脉冲宽度调制模块与所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管连接，所述控制芯片与所述功率侦测电阻连接；
4、其中，所述第一脉冲宽度调制模块用于控制所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的工作状态，所述第二脉冲宽度调制模块用于控制所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的工作状态。
5、根据本专利技术提供的一种电子保险丝启动控制电路，所述控制芯片用于在所述电子保险丝的启动过程中，控制所述第一脉冲宽度调制模块和所述第二脉冲宽度调制模块交替开启，直至所述电子保险丝的输出电压和输入电压相等。
6、根据本专利技术提供的一种电子保险丝启动控制电路，所述控制芯片具体用于在所述电子保险丝的启动过程中，控制所述第一脉冲宽度调制模块和所述第二脉冲宽度调制模块按照第一周期交替输出脉冲宽度调制信号，以控制所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管交替打开；
7、在所述电子保险丝的输出电压和输入电压相等的情况下，所述控制芯片将所述第一脉冲宽度调制模块和所述第二脉冲宽度调制模块的输出调制为直流信号，以使得所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管持续导通并工作在线性区；
8、其中，在任意一个所述第一周期中，控制所述第一脉冲宽度调制模块开启，在所述第一脉冲宽度调制模块开启的时长超过第一预设时长后，关闭所述第一脉冲宽度调制模块，控制所述第二脉冲宽度调制模块开启；
9、在所述第二脉冲宽度调制模块开启的时长超过第二预设时长后，关闭所述第二脉冲宽度调制模块，完成一个所述第一周期；
10、其中，所述第一预设时长是根据所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的安全工作区曲线确定的；
11、其中，所述第二预设时长是根据所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的安全工作区曲线确定的。
12、根据本专利技术提供的一种电子保险丝启动控制电路，所述第一脉冲宽度调制模块与所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的g极连接，所述第二脉冲宽度调制模块与所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的g极连接。
13、本专利技术还提供一种基于上述任一电子保险丝启动控制电路的启动控制方法，包括：
14、在电子保险丝的启动过程中，控制芯片通过第一脉冲宽度调制模块与所述第二脉冲宽度调制模块按照第一周期交替输出脉冲宽度调制信号，以控制所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管按照所述第一周期交替开启。
15、根据本专利技术提供的一种启动控制方法，在控制芯片通过第一脉冲宽度调制模块与所述第二脉冲宽度调制模块控制所述交替输出脉冲宽度调制信号，以控制所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管交替打开的步骤之后，还包括：
16、在所述电子保险丝的输出电压和输入电压相等的情况下，将所述第一脉冲宽度调制模块和所述第二脉冲宽度调制模块的输出调制为直流信号，以使得所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管持续导通并工作在线性区。
17、根据本专利技术提供的一种启动控制方法，控制芯片通过第一脉冲宽度调制模块与所述第二脉冲宽度调制模块按照第一周期控制所述交替输出脉冲宽度调制信号，包括：
18、在任意一个所述第一周期中，控制所述第一脉冲宽度调制模块开启，在所述第一脉冲宽度调制模块开启的时长超过第一预设时长后，关闭所述第一脉冲宽度调制模块，控制所述第二脉冲宽度调制模块开启；
19、在所述第二脉冲宽度调制模块开启的时长超过第二预设时长后，关闭所述第二脉冲宽度调制模块，完成一个所述第一周期，重复循环所述第一周期，直至所述电子保险丝的输出电压和输入电压相等。
20、根据本专利技术提供的一种启动控制方法，所述第一预设时长和第二预设时长的计算方法，具体包括：
21、获取所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的安全工作区曲线中的最大允许电流和最大允许电压；
22、根据所述最大允许电流和最大允许电压，确定使所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管每次打开的功率均处于所述安全工作区曲线内的第一预设时长和第二预设时长。
23、本专利技术还提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如上述任一种所述启动控制方法。
24、本专利技术还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述启动控制方法。
25、本专利技术还提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述启动控制方法。
26、本专利技术提供的电子保险丝启动控制电路、启动控制方法、设备及介质，通过第一脉冲宽度调制模块和第二脉冲宽度调制模块，分别控制并联的第一金属氧化物半导体场效应晶体管、第二金属氧化物半导体场效应晶本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电子保险丝启动控制电路，包括电子保险丝，所述电子保险丝包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管、第二金属氧化物半导体场效应晶体管和功率侦测电阻，其特征在于，所述电子保险丝启动控制电路还包括：控制芯片，所述控制芯片包括第一脉冲宽度调制模块和第二脉冲宽度调制模块；
2.根据权利要求1所述的电子保险丝启动控制电路，其特征在于，所述控制芯片用于在所述电子保险丝的启动过程中，控制所述第一脉冲宽度调制模块和所述第二脉冲宽度调制模块交替开启，直至所述电子保险丝的输出电压和输入电压相等。
3.根据权利要求2所述的电子保险丝启动控制电路，其特征在于，所述控制芯片具体用于在所述电子保险丝的启动过程中，控制所述第一脉冲宽度调制模块和所述第二脉冲宽度调制模块按照第一周期交替输出脉冲宽度调制信号，以控制所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管交替打开；
4.根据权利要求1所述的电子保险丝启动控制电路，其特征在于，所述第一脉冲宽度调制模块与所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的G极连接，所述第二脉冲宽度调制模块与所述第二金属氧化物半导
5.一种基于上述权利要求1-4任一项所述电子保险丝启动控制电路的启动控制方法，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的启动控制方法，其特征在于，在控制芯片通过第一脉冲宽度调制模块与所述第二脉冲宽度调制模块控制所述交替输出脉冲宽度调制信号，以控制所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管交替打开的步骤之后，还包括：
7.根据权利要求5所述的启动控制方法，其特征在于，控制芯片通过第一脉冲宽度调制模块与所述第二脉冲宽度调制模块按照第一周期控制所述交替输出脉冲宽度调制信号，包括：
8.根据权利要求7所述的启动控制方法，其特征在于，所述第一预设时长和第二预设时长的计算方法，具体包括：
9.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求5至8任一项所述启动控制方法。
10.一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求5至8任一项所述启动控制方法。
...【技术特征摘要】
1.一种电子保险丝启动控制电路，包括电子保险丝，所述电子保险丝包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管、第二金属氧化物半导体场效应晶体管和功率侦测电阻，其特征在于，所述电子保险丝启动控制电路还包括：控制芯片，所述控制芯片包括第一脉冲宽度调制模块和第二脉冲宽度调制模块；
2.根据权利要求1所述的电子保险丝启动控制电路，其特征在于，所述控制芯片用于在所述电子保险丝的启动过程中，控制所述第一脉冲宽度调制模块和所述第二脉冲宽度调制模块交替开启，直至所述电子保险丝的输出电压和输入电压相等。
3.根据权利要求2所述的电子保险丝启动控制电路，其特征在于，所述控制芯片具体用于在所述电子保险丝的启动过程中，控制所述第一脉冲宽度调制模块和所述第二脉冲宽度调制模块按照第一周期交替输出脉冲宽度调制信号，以控制所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管交替打开；
4.根据权利要求1所述的电子保险丝启动控制电路，其特征在于，所述第一脉冲宽度调制模块与所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的g极连接，所述第二脉冲宽度调制模块与所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的g极...
【专利技术属性】
技术研发人员：苟昌华，申同，郭月俊，
申请(专利权)人：苏州元脑智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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