【技术实现步骤摘要】
本公开的示例性实施方式涉及蚀刻方法以及等离子体处理系统。
技术介绍
1、在专利文献1中，公开有蚀刻在含硅膜上形成多晶硅掩模的基板的方法。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2016-21546号公报
技术实现思路
1、本公开提供抑制蚀刻的形状异常的技术。
2、在本公开的一个示例性实施方式中，提供一种蚀刻方法，包含：(a)准备基板的工序，所述基板具备具有凹部的含硅膜和设置在所述含硅膜上且具有露出所述凹部的开口的掩模；(b)在规定所述凹部的所述含硅膜的侧壁上形成含碳膜的工序；以及(c)使用由包含含氟气体和含钨气体的处理气体生成的等离子体，在所述含碳膜上形成含有钨的保护膜并且在所述凹部蚀刻所述含硅膜的工序。
3、专利技术效果
4、根据本公开的一个示例性实施方式，能够提供抑制蚀刻的形状异常的技术。
【技术保护点】
1.一种蚀刻方法，包含：
2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，
3.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其中，
4.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其中，
5.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，
6.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，
7.根据权利要求1～6中任一项所述的蚀刻方法，其中，
8.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其中，
9.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其中，
10.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其中，
11.根据权利要求7所述的蚀刻方法，
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【技术特征摘要】
1.一种蚀刻方法，包含：
2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，
3.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其中，
4.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其中，
5.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，
6.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，
7.根据权利要求1～6中任一项所述的蚀刻方法，其中，
8.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其中，
9.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其中，
10.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其中，
11.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其中，
...【专利技术属性】
技术研发人员：松原稜，高桥笃史，中根由太，齐藤昴，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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