基板处理方法和基板处理系统技术方案

技术编号：40963868 阅读：3 留言：0更新日期：2024-04-18 20:43

一种基板处理方法，用于处理基板，所述基板处理方法包括：向所述基板的表面供给包含氢氟酸和磷酸的蚀刻液，来蚀刻该表面；回收蚀刻后的所述蚀刻液；测定蚀刻后的所述基板的厚度分布；以及基于所测定出的所述厚度分布，针对在蚀刻后回收到的所述蚀刻液至少选择氢氟酸或磷酸进行添加，来调整该蚀刻液的组成比率。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及一种基板处理方法和基板处理系统。

技术介绍

1、在专利文献1中公开有一种半导体晶圆的制造方法，该半导体晶圆的制造方法包括以下工序：对将半导体晶锭切片而得到的晶圆的至少表面进行平坦化；以及通过旋转蚀刻来蚀刻晶圆的被平坦化后的表面。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开平11-135464号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、本公开所涉及的技术在对蚀刻液进行再利用来蚀刻多个基板的情况下，适当地控制蚀刻后的基板表面形状。

3、用于解决问题的方案

4、本公开的一个方式为一种基板处理方法，用于处理基板，所述基板处理方法包括：向所述基板的表面供给包含氢氟酸和磷酸的蚀刻液，来蚀刻该表面；回收蚀刻后的所述蚀刻液；测定蚀刻后的所述基板的厚度分布；以及基于所测定出的所述厚度分布，针对在蚀刻后回收到的所述蚀刻液至少选择氢氟酸或磷酸进行添加，来调整该蚀刻液的组成比率。

5、专利技术的效果

6、根据本公开，在对蚀刻液进行再利用来蚀刻多个基板的情况下，能够适当地控制蚀刻后的基板表面形状。

【技术保护点】

1.一种基板处理方法，用于处理基板，所述基板处理方法包括：

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理方法，其中，

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的基板处理方法，其中，

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的基板处理方法，其中，

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的基板处理方法，其中，

8.一种基板处理系统，用于处理基板，所述基板处理系统具有：

9.根据权利要求8所述的基板处理系统，其中，

10.根据权利要求9所述的基板处理系统，其中，

11.根据权利要求8～10中的任一项所述的基板处理系统，其中，

12.根据权利要求8～11中的任一项所述的基板处理系统，其中，

13.根据权利要求8～12中的任一项所述的基板处理系统，其中，

14.根据权利要求8～13中的任一项所述的基板处理系统，其中，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】