【技术实现步骤摘要】
本申请属于绝缘栅双极晶体管测试，具体涉及一种绝缘栅双极晶体管的测试系统及方法。
技术介绍
1、在将驱动电路的组件(包括驱动芯片等)和绝缘栅双极晶体管(igbt，insulate-gate bipolar transistor)封装到智能功率模块(ipm，intelligent po wer module)中之前，需要对驱动电路的组件和绝缘栅双极晶体管进行模拟匹配测试，这就需要一种绝缘栅双极晶体管的测试系统。
2、在先技术中，测试人员通过仿真软件，对驱动电路的组件和绝缘栅双极晶体管进行模拟匹配测试。
3、在实现本申请过程中，专利技术人发现在先技术中至少存在如下问题：由于测试人员通过仿真软件，对驱动电路的组件和绝缘栅双极晶体管进行模拟匹配测试，导致匹配测试结果误差大。
技术实现思路
1、本申请旨在提供一种绝缘栅双极晶体管的测试系统及方法，至少解决在先技术中由于测试人员通过仿真软件，对驱动电路的组件和绝缘栅双极晶体管进行模拟匹配测试，导致匹配测试结果误差大的问题。
2、为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
3、第一方面，本申请实施例提供了一种绝缘栅双极晶体管的测试系统，所述系统包括：示波器、驱动电路、第一电源、绝缘栅双极晶体管、第一二极管、负载电路；所述示波器与所述驱动电路连接，所述示波器与所述绝缘栅双极晶体管连接，所述驱动电路与所述绝缘栅双极晶体管连接，所述绝缘栅双极晶体管与所述第一二极管并联，所述绝缘栅双极晶体管与所述负载电路串联
4、所述驱动电路用于响应于控制指令，控制所述绝缘栅双极晶体管导通或关断；
5、所述第一二极管用于保护所述绝缘栅双极晶体管在关断时不被电压击穿；
6、所述第一电源用于在所述绝缘栅双极晶体管导通的情况下，向所述负载电路供电；
7、所述示波器用于采集所述绝缘栅双极晶体管的电流信号并展示。
8、第二方面，本申请实施例提供了一种绝缘栅双极晶体管的测试方法，应用于如第一方面所述的绝缘栅双极晶体管的测试系统，所述方法包括：
9、通过驱动电路响应于控制指令，控制绝缘栅双极晶体管导通或关断；其中，在所述绝缘栅双极晶体管导通的情况下，向与所述绝缘栅双极晶体管串联的负载电路供电；通过与所述绝缘栅双极晶体管并联的第一二极管，保护所述绝缘栅双极晶体管在关断时不被电压击穿；
10、采集所述绝缘栅双极晶体管的电流信号并展示。
11、在本申请实施例中，绝缘栅双极晶体管的测试系统包括示波器、驱动电路、第一电源、绝缘栅双极晶体管、第一二极管、负载电路，通过驱动电路通过驱动电路响应于控制指令，控制绝缘栅双极晶体管导通或关断，第一二极管保护绝缘栅双极晶体管在关断时不被电压击穿，第一电源在绝缘栅双极晶体管导通的情况下，向负载电路供电，示波器采集绝缘栅双极晶体管的电流信号并展示，以供测试人员进行分析，得到驱动电路的组件和绝缘栅双极晶体管的匹配结果，与使用仿真软件对驱动电路的组件和绝缘栅双极晶体管进行模拟匹配测试相比，通过本申请实施例中的绝缘栅双极晶体管的测试系统进行真实匹配测试，降低了匹配测试结果的误差，解决了在先技术中由于测试人员通过仿真软件，对驱动电路的组件和绝缘栅双极晶体管进行模拟匹配测试，导致匹配测试结果误差大的问题。
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1.一种绝缘栅双极晶体管的测试系统，其特征在于，所述系统包括：示波器、驱动电路、第一电源、绝缘栅双极晶体管、第一二极管、负载电路；所述示波器与所述驱动电路连接，所述示波器与所述绝缘栅双极晶体管连接，所述驱动电路与所述绝缘栅双极晶体管连接，所述绝缘栅双极晶体管与所述第一二极管并联，所述绝缘栅双极晶体管与所述负载电路串联，所述第一电源与所述绝缘栅双极晶体管、所述负载电路均连接；
2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的测试系统，其特征在于，所述驱动电路包括第二电源、信号发生器、驱动芯片、第一电容、第一电阻、第二电阻、第二二极管、第三二极管；
3.根据权利要求2所述的绝缘栅双极晶体管的测试系统，其特征在于，所述第一电容为自举电容；
4.根据权利要求2所述的绝缘栅双极晶体管的测试系统，其特征在于，从所述驱动芯片的第一端到所述绝缘栅双极晶体管的栅极的线路的长度小于第一预设阈值。
5.根据权利要求2所述的绝缘栅双极晶体管的测试系统，其特征在于，从所述驱动芯片的第二端到所述绝缘栅双极晶体管的发射极的线路的长度小于第二预设阈值。
6.
7.根据权利要求2所述的绝缘栅双极晶体管的测试系统，其特征在于，所述信号发生器的正极与所述驱动芯片的正极输入端连接，所述示波器的电压采集端与所述信号发生器的正极连接，所述示波器的电流采集端与所述绝缘栅双极晶体管的集电极连接；
8.根据权利要求7所述的绝缘栅双极晶体管的测试系统，其特征在于，从所述驱动芯片的负极输入端到所述第一电源的负极的线路的长度小于第四预设阈值。
9.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的测试系统，其特征在于，所述负载电路包括感性负载、第四二极管；
10.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的测试系统，其特征在于，所述第一电源包括直流电源和第二电容，所述第二电容的第一端与所述直流电源的正极连接，所述第二电容的第二端与所述直流电源的负极连接；
11.一种绝缘栅双极晶体管的测试方法，其特征在于，应用于如权利要求1-10任一项所述的绝缘栅双极晶体管的测试系统，所述方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极晶体管的测试系统，其特征在于，所述系统包括：示波器、驱动电路、第一电源、绝缘栅双极晶体管、第一二极管、负载电路；所述示波器与所述驱动电路连接，所述示波器与所述绝缘栅双极晶体管连接，所述驱动电路与所述绝缘栅双极晶体管连接，所述绝缘栅双极晶体管与所述第一二极管并联，所述绝缘栅双极晶体管与所述负载电路串联，所述第一电源与所述绝缘栅双极晶体管、所述负载电路均连接；
2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的测试系统，其特征在于，所述驱动电路包括第二电源、信号发生器、驱动芯片、第一电容、第一电阻、第二电阻、第二二极管、第三二极管；
3.根据权利要求2所述的绝缘栅双极晶体管的测试系统，其特征在于，所述第一电容为自举电容；
4.根据权利要求2所述的绝缘栅双极晶体管的测试系统，其特征在于，从所述驱动芯片的第一端到所述绝缘栅双极晶体管的栅极的线路的长度小于第一预设阈值。
5.根据权利要求2所述的绝缘栅双极晶体管的测试系统，其特征在于，从所述驱动芯片的第二端到所述绝缘栅双极晶体管的发射极的线路的长度小于第二预设阈值。
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：高梦蝶，李春艳，廖勇波，马颖江，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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