一种可低温烧结的黑色氧化铝陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术属于无机黑色陶瓷制备技术领域，具体涉及一种可低温烧结的黑色氧化铝陶瓷及其制备方法，该黑色氧化铝陶瓷包括以下质量百分含量的组分：20～90wt％的Al2O3，1～70wt％的SiO2，0～5wt％的Na2O，0～4wt％的K2O，3～10wt％的Cr2O3，0～8wt％的NiO，1.5～8wt％的CuO，0～10wt％的TiO2，0～7wt％的Y2O3，0～1wt％的La2O3。本发明专利技术通过合理控制分散剂和去离子水等的比例，经过快速搅拌即可获得黑色陶瓷浆料，制备工艺简单、易于控制；在制备过程中，直接将陶瓷粉体原料和黑色颜料原料一起混合，价格低廉，对设备要求低，易于规模化生产，成本低，具有较大的产业化前景；用该方法制备的黑色氧化铝陶瓷烧结温度低，黑色纯正，应用前景大。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于无机黑色陶瓷制备，具体涉及一种可低温烧结的黑色氧化铝陶瓷及其制备方法。

技术介绍

1、黑色氧化铝陶瓷不仅具有耐高温、耐磨、化学稳定性好、绝缘性好、介电常数低等特性，还具有独特的遮光性，被广泛地应用于陶瓷基板、数码管衬板、封装管壳、晶体振荡器等领域。

2、传统的黑色氧化铝陶瓷在制备过程中需添加价格昂贵的氧化钴和氧化镍，导致其烧结温度高、价格较高，限制了其规模化生产和应用。近年来，为制备出性价比高的黑色氧化铝陶瓷，研究人员开发出fe-cr-mn及cr-mo-ti系黑色氧化铝陶瓷，但其烧结温度高，黑色不纯正，难以规模化应用。

3、总之，现有黑色氧化铝陶瓷的制备存在烧结温度高、能耗大、成本高、黑色不易控制等缺点，极大的限制了黑色氧化铝陶瓷的规模化生产和应用。因此，如何低成本制备黑色氧化铝陶瓷是本领域亟需解决的问题。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服传统技术中存在的上述问题，提供一种可低温烧结的黑色氧化铝陶瓷及其制备方法，采用该方法制备的黑色氧化铝陶瓷烧结温度低、黑色纯正本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种可低温烧结的黑色氧化铝陶瓷，其特征在于，包括以下质量百分含量的组分：20～90wt％的Al2O3，1～70wt％的SiO2，0～5wt％的Na2O，0～4wt％的K2O，3～10wt％的Cr2O3，0～8wt％的NiO，1.5～8wt％的CuO，0～10wt％的TiO2，0～7wt％的Y2O3，0～1wt％的La2O3。

2.根据权利要求1所述的黑色氧化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中，含Al2O3化合物粉体为铝矾土、氧化铝、莫来石、硅线石中的至少一种。

4.根据权利要求2所...

【技术特征摘要】

1.一种可低温烧结的黑色氧化铝陶瓷，其特征在于，包括以下质量百分含量的组分：20～90wt％的al2o3，1～70wt％的sio2，0～5wt％的na2o，0～4wt％的k2o，3～10wt％的cr2o3，0～8wt％的nio，1.5～8wt％的cuo，0～10wt％的tio2，0～7wt％的y2o3，0～1wt％的la2o3。

2.根据权利要求1所述的黑色氧化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中，含al2o3化合物粉体为铝矾土、氧化铝、莫来石、硅线石中的至少一种。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中，含sio2化合物粉体为高岭土、粘土、二氧化硅中的至少一种。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中，含na2o化合物粉体为碳酸钠、碳酸氢钠、氢氧化钠、钠长石中的至少一种；含k2o化合物粉体为碳酸钾、...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓先功，时义红，曹荣，柳萍，丁样，冉松林，
申请(专利权)人：安徽工业大学，
类型：发明
国别省市：