System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种光模块制造技术_技高网

一种光模块制造技术

技术编号:40952701 阅读:9 留言:0更新日期:2024-04-18 20:28
本申请公开了一种光模块,包括光收发组件。光收发组件包括收发壳体、光发射器件、光接收器件、光纤适配器和第三电路板。光发射器件、光接收器件、光纤适配器依次镶嵌于光收发组件的管口。第三电路板由管口插入。收发壳体内设有第一滤光片、铌酸锂芯片、第二透镜、第二滤光片和第三滤光片。光发射器件内部设置有激光芯片和第一透镜。光接收器件内部设置有第三透镜和光接收芯片。铌酸锂芯片,包括衬底和铌酸锂薄膜,光损耗小于10dB。铌酸锂薄膜,铺设于衬底上,厚度小于100μm。本申请中,激光芯片提供大功率光,铌酸锂芯片的光损耗小于硅光芯片的光损耗,使得经铌酸锂芯片调制的调制后光信号满足50G PON发射的光的光功率的要求。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光纤通信,尤其涉及一种光模块


技术介绍

1、50g gpon的国际标准itu-t g.9804.3在2021年9月已经发布。为维持当前pon29db/32db的链路预算,50g pon标准对olt光模块发射的光的光功率提出了更高的要求。当前常规的53gbaud的eml无法满足50g pon发射的光的光功率的要求。

2、为了满足50g pon标准对olt光模块发射的光的光功率的要求,许多国际大厂纷纷研制50g pon用的eml+soa芯片方案。但目前正在研制50g pon用的eml+soa芯片方案的国际大厂均遇到难以突破的技术难题,目前尚无50g pon olt用的eml+soa光器件推出。因此,还没有一种光模块可以满足50g pon发射的光的光功率的要求。


技术实现思路

1、本申请提供了一种光模块,满足50g pon发射的光的光功率的要求。

2、一种光模块,包括:

3、光收发组件,包括收发壳体、光发射器件、光接收器件、光纤适配器和第三电路板;

4、收发壳体,设置有第一管口、第二管口、第三管口和第四管口,内部设置有第一滤光片、铌酸锂芯片、第二透镜、第二滤光片和第三滤光片;

5、光发射器件,镶嵌于第一管口,内部设置有激光芯片和第一透镜;

6、光接收器件,镶嵌于第二管口,内部设置有第三透镜和光接收芯片;

7、光纤适配器,镶嵌于第三管口;

8、第三电路板,由第四管口插入,与铌酸锂芯片连接;

9、第一滤光片,位于光发射器件上方,用于将光发射器件发射的大功率光反射至铌酸锂芯片;

10、铌酸锂芯片,包括衬底和铌酸锂薄膜,光损耗小于10db;

11、铌酸锂薄膜,铺设于衬底上,厚度小于100μm;

12、第二透镜,位于铌酸锂芯片与第二滤光片之间;

13、第三滤光片,位于第二滤光片与光接收器件之间,用于过滤光。

14、有益效果:本申请提供了一种光模块,包括光收发组件。光收发组件包括收发壳体、光发射器件、光接收器件、光纤适配器和第三电路板。收发壳体设置有第一管口、第二管口、第三管口和第四管口。光发射器件镶嵌于第一管口。光接收器件镶嵌于第二管口。光纤适配器镶嵌于第三管口。第三电路板由第四管口插入。收发壳体内部设置有第一滤光片、铌酸锂芯片、第二透镜、第二滤光片和第三滤光片。光发射器件内部设置有激光芯片和第一透镜。光接收器件内部设置有第三透镜和光接收芯片。激光芯片为大功率dfb激光芯片。大功率dfb激光芯片用于发射大功率光。第一透镜用于将激光芯片发射的大功率光耦合至第一滤光片。第一滤光片,位于光发射器件上方,用于将光发射器件发射的大功率光反射至铌酸锂芯片。铌酸锂芯片,与第三电路板连接,包括衬底和铌酸锂薄膜,光损耗小于10db,用于调制大功率光得到调制后光信号。铌酸锂薄膜,铺设于衬底上,厚度小于100μm。由于铌酸锂芯片比较小,集成精度比较高,则相对比硅光芯片来说,铌酸锂芯片具有功耗低、光损耗低等优点。其中,硅光芯片的光损耗小于11.2db,铌酸锂芯片的光损耗小于10db。由于硅光芯片的光损耗小于11.2db,为了使包括dfb激光芯片+硅光芯片组合的光模块满足50g pon发射的光的光功率的要求,要求dfb激光芯片发射的光的光功率>158mw。由于铌酸锂芯片的光损耗小于10db,为了使包括dfb激光芯片+铌酸锂芯片组合的光模块满足50g pon发射的光的光功率的要求,要求dfb激光芯片发射的光的光功率>80mw。常规dfb激光芯片发射的光的光功率小于50mw,大功率dfb激光芯片发射的光的光功率小于120mw。从目前技术上来说,dfb激光芯片发射的光的光功率全温状态下很难满足120mw以上。因此,为了光模块可以满足50g pon发射的光的光功率的要求,光模块只能采用dfb激光芯片+铌酸锂芯片的组合方式。第二透镜,位于铌酸锂芯片与第二滤光片之间,用于将大功率光信号耦合至第二滤光片。第二滤光片用于将大功率光信号透射至光纤适配器中。光纤适配器入射的第二光信号经第二滤光片反射至第三滤光片。第三滤光片,位于第二滤光片与光接收器件之间,用于过滤掉除第二光信号以外的其他波长光信号。第三透镜用于将第二光信号耦合至光接收芯片。本申请中,激光芯片提供大功率光,铌酸锂芯片的光损耗小于硅光芯片的光损耗,使得经铌酸锂芯片调制的调制后光信号满足50g pon发射的光的光功率的要求。

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【技术保护点】

1.一种光模块,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的光模块,其特征在于,所述收发壳体包括收发管座和上盖体;

3.根据权利要求2所述的光模块,其特征在于,所述第四管口包括第一子管口和第二子管口;

4.根据权利要求2所述的光模块,其特征在于,所述上盖体包括上盖体底板和上盖体侧板;

5.根据权利要求2所述的光模块,其特征在于,所述光发射组件包括发射管帽和发射管座;

6.根据权利要求1所述的光模块,其特征在于,所述第二滤光片,可以包括两个45°三棱镜,两个45°三棱镜的斜边粘接,其中一个斜边镀有滤光薄膜;也可以仅包括一个玻璃片,其中,玻璃片朝向光纤的一端镀有滤光薄膜。

7.根据权利要求1所述的光模块,其特征在于,所述第一透镜,可以为一个聚焦透镜;也可以为一个准直透镜和一个聚焦透镜。

8.根据权利要求1所述的光模块,其特征在于,所述光接收组件包括接收管帽和接收管座;

【技术特征摘要】

1.一种光模块,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的光模块,其特征在于,所述收发壳体包括收发管座和上盖体;

3.根据权利要求2所述的光模块,其特征在于,所述第四管口包括第一子管口和第二子管口;

4.根据权利要求2所述的光模块,其特征在于,所述上盖体包括上盖体底板和上盖体侧板;

5.根据权利要求2所述的光模块,其特征在于,所述光发射组件包括发射管帽和发射管座;

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【专利技术属性】
技术研发人员:刘维伟邵乾黄绪杰
申请(专利权)人:青岛海信宽带多媒体技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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