【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术关于一种用于投射曝光设备的光学系统,以及关于一种包含此光学系统的投射曝光设备。优先权申请案第de 10 2021 209 099.0号的内容整个是以引用方式并入本文供参考。
技术介绍
1、微光刻用于生产微结构化组成元件,诸如,例如集成电路。使用具有照明系统及投射系统的光刻设备来执行微光刻制程。在这情况下,通过照明系统所照明的掩模(掩模版)的像通过投射系统而投射到例如硅晶片的基板上,其涂布有光敏层(光刻胶)并配置在投射系统的像面中,以将掩模结构转印到基板的光敏涂层上。
2、受在集成电路生产中对更小结构的需求的驱驶,目前开发使用具有从0.1nm至30nm范围内波长的光的euv光刻设备,特别是13.5nm波长。在此euv光刻设备的情况下,由于大多数材料对具有该波长的光的高度吸收,必须使用反射光学单元,即反射镜,而不是像以前使用的折射光学单元,即透镜元件。
3、为了防止投射系统的光学单元或诸如,例如传感器框架的其他组成部件由于震动而损坏,所谓终点止动可放置在力框架与该传感器框架之间,其限定了该力框架与该传感器框
...【技术保护点】
1.一种用于投射曝光设备(1)的光学系统(100),包含:
2.如权利要求1所述的光学系统,其中在该致动区域(A)外的该弯曲元件(200、200A、200B、200C)的刚度比在该致动区域(A)内的刚度大数倍。
3.如权利要求1或2所述的光学系统,其中该弯曲元件(200、200A、200B、200C)的刚度在该弯曲元件(200、200A、200B、200C)的小于100μm的偏转距离(w)内突然增加。
4.如权利要求1至3中任一项所述的光学系统,其中在该致动区域(A)外的该弯曲元件(200、200A、200B、200C)的刚度大于该
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于投射曝光设备(1)的光学系统(100),包含:
2.如权利要求1所述的光学系统,其中在该致动区域(a)外的该弯曲元件(200、200a、200b、200c)的刚度比在该致动区域(a)内的刚度大数倍。
3.如权利要求1或2所述的光学系统,其中该弯曲元件(200、200a、200b、200c)的刚度在该弯曲元件(200、200a、200b、200c)的小于100μm的偏转距离(w)内突然增加。
4.如权利要求1至3中任一项所述的光学系统,其中在该致动区域(a)外的该弯曲元件(200、200a、200b、200c)的刚度大于该致动区域(a)内的刚度的一百倍或一百倍以上。
5.如权利要求1到4中任一项所述的光学系统,其中该弯曲元件(200、200a、200b、200c)包含弧形弯曲的第一板簧部(202)以及弧形弯曲的第二板簧部(204),并且其中该第一板簧部(202)与该第二板簧部(204)沿相反方向弯曲。
6.如权利要求5所述的光学系统,其中该第一板簧部(202)与该第二板簧部(204)分别在各端侧借助于该第一连接部(206)与该第二连接部(208)相互连接。
7.如权利要求5或6所述的光学系统,其中由于相互平行延伸的该第一板簧部(202)与该第二板簧部(204)的事实,该弯曲元件(200、200a、200b、200c)的刚度在到达该致动区域(a)的极限时突然增加。
8.如权利要求5至7中任一项所述的光学系统,其中该弯曲元件(200、200a、200b、200c)允许该第二部件(104)在该致动区域(a)内相对于该第一部件(102)移动,因为该第一板簧...
【专利技术属性】
技术研发人员:B·普尼尼,
申请(专利权)人:卡尔蔡司SMT有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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