【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种垂直反应腔mocvd设备喷淋头装置。
技术介绍
1、半导体金属有机物化学气相沉积(mocvd)的外延生长腔室生长源输运方式是决定其生长过程的重要因素，传统的生长源输运方式主要分为水平式以及垂直喷淋式，两者主要区别在于水平式反应腔主气流平行与衬底表面，不同气源在进入反应室后通过质量扩散达到衬底表面，不同气源在进入反应室后通过质量扩散到达衬底表面，由于进气口宽度需要与托盘尺寸一致，而且需要交长距离使气源能够实现充足的质量扩散，导致占地空间较大，气源利用率交底，且无法应用于生产型设备，垂直喷淋式反应腔气源垂直于衬底进行喷淋，气源喷淋口与衬底距离短且位置正处于托盘上方，使其具有生长源利用率高、占地面积小等优势，在产业界得以大规模应用。
2、目前由于垂直喷淋反应腔的气源出口与衬底之间的距离太短，且不同种类的气源或金属源在不同位置的喷淋口向衬底高速喷淋，因此很难实现反应源的高度均匀混合。
3、鉴于此，本专利技术提出一种能够在有限的喷淋头与衬底之间距离实现最大化的生长源均匀混合，有利于高效提高氮化物半导体材料外延生长均匀性。
技术实现思路
1、为了解决上述问题，本专利技术提出一种垂直反应腔mocvd设备喷淋头装置。
2、本专利技术通过以下技术方案实现的：
3、本专利技术提出垂直反应腔mocvd设备喷淋头装置包括喷淋装置本体，其中：
4、所述喷淋装置本体包括上喷淋装置和下喷淋装置，所述上喷淋装置包括上喷淋
5、所述上喷淋装置包括第一混合腔，所述上喷淋装置底部设有与第一混合腔连通的喷淋管，所述上喷淋装置顶部还设有第一入口，所述下喷淋装置包括第二混合腔，所述下喷淋装置底部设有与第二混合腔连通的喷淋管，所述下喷淋装置顶部设有第二入口，所述喷淋管底部设有导流部，所述喷淋管由竖直方向逐渐向水平方向倾斜。
6、进一步的，还包括外壁，所述上喷淋装置和所述下喷淋装置位于所述外壁内部，所述外壁还包括设于顶部的第三入口和第四入口。
7、进一步的，所述外壁上还设有监测窗口。
8、进一步的，所述导流部喷出金属源、氢化物源的与所述导流部的初始方向相差小于30度。
9、进一步的，所述导流部喷出的金属源、氢化物源在水平平面内喷射的方向为逆时针或顺时针并与外部托盘旋转的方向一致，每个导流部的喷射方向相同。
10、进一步的，所述监测窗口为环形。
11、进一步的，所述喷淋管末端的法线方向与水平方向的夹角在0°到80°之间。
12、本专利技术的有益效果：
13、本专利技术提出的垂直反应腔mocvd设备喷淋头装置通过将喷淋管进行倾斜设置以及喷淋管末端设置导流部，可以使得喷射出的金属源、氢化物源气流垂直方向速率被降低，而具有水平速率分量，因此可促进金属源、氢化物源气体在第一混合腔、第二混合腔内相互接触，并延长从喷头到衬底所需的时间，有利于金属源、氢化物源扩散，并使其能够更加均匀的混合，最后导入到反应腔内，以提高氮化物半导体材料外延生长均匀性。
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1.一种垂直反应腔MOCVD设备喷淋头装置，其特征在于，包括喷淋装置本体，其中：
2.根据权利要求1所述的垂直反应腔MOCVD设备喷淋头装置，其特征在于，还包括外壁，所述上喷淋装置和所述下喷淋装置位于所述外壁内部，所述外壁还包括设于顶部的第三入口和第四入口。
3.根据权利要求2所述的垂直反应腔MOCVD设备喷淋头装置，其特征在于，所述外壁上还设有监测窗口。
4.根据权利要求1所述的垂直反应腔MOCVD设备喷淋头装置，其特征在于，所述导流部喷出金属源、氢化物源的与所述导流部的初始方向相差小于30度。
5.根据权利要求4所述的垂直反应腔MOCVD设备喷淋头装置，其特征在于，所述导流部喷出的金属源、氢化物源在水平平面内喷射的方向为逆时针或顺时针并与外部托盘旋转的方向一致，每个导流部的喷射方向相同。
6.根据权利要求3所述的垂直反应腔MOCVD设备喷淋头装置，其特征在于，所述监测窗口为环形。
7.根据权利要求1所述的垂直反应腔MOCVD设备喷淋头装置，其特征在于，所述喷淋管末端的法线方向与水平方向的夹角在0°到80°
...【技术特征摘要】
1.一种垂直反应腔mocvd设备喷淋头装置，其特征在于，包括喷淋装置本体，其中：
2.根据权利要求1所述的垂直反应腔mocvd设备喷淋头装置，其特征在于，还包括外壁，所述上喷淋装置和所述下喷淋装置位于所述外壁内部，所述外壁还包括设于顶部的第三入口和第四入口。
3.根据权利要求2所述的垂直反应腔mocvd设备喷淋头装置，其特征在于，所述外壁上还设有监测窗口。
4.根据权利要求1所述的垂直反应腔mocvd设备喷淋头装置，其特征在于，所述导流部喷出金属源、氢化物源的...
【专利技术属性】
技术研发人员：贲建伟，孙晓娟，黎大兵，蒋科，张山丽，吕顺鹏，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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