功率电子组件制造技术

本发明专利技术涉及一种功率电子组件(100)和一种用于生产用于功率电子组件(100)的半成品的方法。为了说明改进的功率电子组件(100)，提出，组件(100)具有基底(20)，该基底具有金属化部(30)，该金属化部通过中间空间(40)形成彼此分开的第一结构和第二结构(35，36)，并且该金属化部具有至少300μm的厚度(D30)，其中，在第一结构(35)上施加有功率半导体(50)。具有至少50W/mK的导热率的电绝缘体(42)相对于中间空间(40)至少逐段地布置为，使得邻接到相应的中间空间(40)的结构(35，36)通过绝缘体(42)热连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种功率电子组件。本专利技术还涉及一种用于生产用于功率电子组件的半成品的方法。

技术介绍

1、这种功率电子组件例如在用于变流器的功率模块中使用。在此，应用可以位于电气驱动技术、电压转换或能源技术的领域中。

2、在当今用于功率电子组件的电路载体中，开关部件(igbt、mosfets等)位于金属导体轨道上，该金属导体轨道一方面具有传导电流的任务，另一方面还负责散发半导体的废热并将其引导至冷却器。铜层越厚，横向热量分配在此越有效。电路在运行中通常具有高的温差，即半导体芯片附近的热区域或结构和通常进一步远离芯片或与芯片热隔离的较冷区域或结构(例如栅极触点、发射极感测、分流器触点等)。这些温差导致现在需要使用底板进行温度分配，或者冷却器本身必须开销更高地设计。

技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题在于，说明一种改进的功率电子组件。

2、该技术问题通过具有权利要求1中说明的特征的功率电子组件来解决。功率电子组件在此包括具有金属化部的基底。金属化部被结构化地设计。为了结构化，金本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率电子组件(100)，包括具有金属化部(30)的基底(20)，所述金属化部通过中间空间(40)形成彼此分开的第一结构和第二结构(35，36)，并且所述金属化部具有至少300μm、尤其至少1mm或2mm的厚度(D30)，

2.根据权利要求1所述的功率电子组件(100)，其中，所述金属化部(30)具有至多7mm、尤其至多4mm的厚度(D30)。

3.根据权利要求1或2所述的功率电子组件(100)，其中，所述中间空间(40)具有0.1mm和8mm之间、尤其0.3mm和5mm之间的宽度(B40)。

4.根据上述权利要求中任一项所述的功率电子组件(10...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种功率电子组件(100)，包括具有金属化部(30)的基底(20)，所述金属化部通过中间空间(40)形成彼此分开的第一结构和第二结构(35，36)，并且所述金属化部具有至少300μm、尤其至少1mm或2mm的厚度(d30)，

2.根据权利要求1所述的功率电子组件(100)，其中，所述金属化部(30)具有至多7mm、尤其至多4mm的厚度(d30)。

3.根据权利要求1或2所述的功率电子组件(100)，其中，所述中间空间(40)具有0.1mm和8mm之间、尤其0.3mm和5mm之间的宽度(b40)。

4.根据上述权利要求中任一项所述的功率电子组件(100)，其中，所述第二结构(36)不具有功率半导体(50)。

5.根据上述权利要求中任一项所述的功率电子组件(100)，其中，所述第一结构(35)中的至少一个第一结构与所述第二结构(36)中的至少一个第二结构通过所述绝缘体(42)之一热连接。

6.根据上述权利要求中任一项所述的功率电子组件(100)，其中，所述功率电子组件具有分流器(60)，所述分流器与所述第一结构(35)之一和所述第二结构(36)之一电接触，所述第一结构之一和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·海曼，R·洛尔斯，B·穆勒，C·拉杜奇，S·施泰格迈尔，J·斯特洛吉斯，
申请(专利权)人：西门子股份公司，
类型：发明
国别省市：