半导体器件制造技术

半导体器件具有：衬底，具有第一主面；电极，设置于所述第一主面的上方；第一钝化层，覆盖所述电极，包含无机材料；以及第二钝化层，形成在所述第一钝化层之上，包含有机材料，在所述第一钝化层形成使所述电极的一部分露出的第一开口部，在所述第二钝化层形成与所述第一开口部相连的第二开口部，所述第二开口部的第二侧壁面位于所述第一开口部的第一侧壁面的内侧。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及半导体器件。本申请主张以2021年10月21日申请的日本申请第2021-172674号为基础的优先权，并引用所述日本申请中记载的所有记载内容。

技术介绍

1、公开了在形成在电极之上的钝化层中使用了氮化硅层及聚酰亚胺层的半导体器件。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开平2-251158号公报

5、专利文献2：日本特开昭56-19639号公报

6、专利文献3：日本特开平3-96243号公报

技术实现思路

1、本公开的半导体器件具有：衬底，具有第一主面；电极，设置于所述第一主面的上方；第一钝化层，覆盖所述电极，包含无机材料；以及第二钝化层，形成在所述第一钝化层之上，包含有机材料，在所述第一钝化层形成使所述电极的一部分露出的第一开口部，在所述第二钝化层形成与所述第一开口部相连的第二开口部，所述第二开口部的第二侧壁面位于所述第一开口部的第一侧壁面的内侧。

【技术保护点】

1.一种半导体器件，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，其中，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体器件，其中，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体器件，其中，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体器件，其中，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体器件，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其中，

5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：木岛正贵，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：