一种Hf掺杂的ITO基薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种Hf掺杂的ITO基薄膜晶体管及其制备方法。ITO基薄膜晶体管包括栅极、栅介质、沟道层和源漏电极，其中沟道层是由ITO层和Hf掺杂ITO层复合而成。采用P型重掺杂硅作为栅极，SiO2薄膜作为栅介质层；在栅介质层上首先通过磁控溅射制备ITO层，在制备的ITO层上，利用ITO靶和HfO2靶通过共溅射技术制备成Hf掺杂ITO层，形成沟道层；将溅射的沟道层进行分割；分割后，采用直流溅射沉积Mo金属层、并采用掩模版图案形成源漏电极，得到Hf掺杂的ITO基薄膜晶体管。通过本发明专利技术能够有效减少背沟道中氧空位缺陷，抑制背沟道表面电子捕获和去捕获，从而提高ITO基薄膜晶体管的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

一、：本专利技术涉及半导体器件，具体涉及一种hf掺杂的ito基薄膜晶体管及其制备方法。

技术介绍

0、二、
技术介绍
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1、近年来，氧化物半导体由于其高迁移率、良好的均匀性和低温制备等优点，被广泛应用于薄膜晶体管(tft)的沟道材料中。随着微电子电路系统、平板显示器、物联网的不断发展，对经济实惠、高效节能的新一代电子产品提出了更高的要求。然而，已经商用的产业化ingazno tft迁移率约为10cm2/vs，难以满足先进显示器件对高分辨率、高帧频的显示需求。同时，便携式电子移动设备及小容量电池驱动需要tft具备更小的开启电压，柔性可穿戴设备电子产品需要tft具有低的加工温度(＜300℃)和简便的制作工艺。在众多沟道层材料中，insno(ito)因其高载流子浓度和高透过率作为沟道层材料受到研究人员的关注。但高迁移率通常伴随着较差的稳定性和负的阈值电压等问题，这无疑对实际应用构成了挑战。

2、一般来说，器件的不稳定性是由存在于半导体/绝缘体界面或背通道的陷阱引起的。通常，通过调节氧空位浓度来提高ito tft的稳定性，如掺杂n、ta和ga本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Hf掺杂的ITO基薄膜晶体管，所述ITO基薄膜晶体管包括栅极、栅介质、沟道层和源漏电极，其特征在于：所述沟道层是由ITO层和Hf掺杂ITO层复合而成。

2.根据权利要求1所述的Hf掺杂的ITO基薄膜晶体管，其特征在于：所述ITO层是通过磁控溅射技术制备而成。

3.根据权利要求1所述的Hf掺杂的ITO基薄膜晶体管，其特征在于：所述Hf掺杂ITO层是由ITO靶和HfO2靶通过共溅射技术制备而成。

4.根据权利要求1所述的Hf掺杂的ITO基薄膜晶体管，其特征在于：所述栅极采用P型重掺杂硅薄膜；所述栅介质层采用热氧化法制备的SiO2薄膜；所述SiO2薄...

【技术特征摘要】

1.一种hf掺杂的ito基薄膜晶体管，所述ito基薄膜晶体管包括栅极、栅介质、沟道层和源漏电极，其特征在于：所述沟道层是由ito层和hf掺杂ito层复合而成。

2.根据权利要求1所述的hf掺杂的ito基薄膜晶体管，其特征在于：所述ito层是通过磁控溅射技术制备而成。

3.根据权利要求1所述的hf掺杂的ito基薄膜晶体管，其特征在于：所述hf掺杂ito层是由ito靶和hfo2靶通过共溅射技术制备而成。

4.根据权利要求1所述的hf掺杂的ito基薄膜晶体管，其特征在于：所述栅极采用p型重掺杂硅薄膜；所述栅介质层采用热氧化法制备的sio2薄膜；所述sio2薄膜的厚度为100nm。

5.一种hf掺杂的ito基薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

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【专利技术属性】
技术研发人员：许磊，张新楠，宋增才，朱治华，李军明，刘河潮，罗世钧，梁茹钰，宗石，
申请(专利权)人：华北水利水电大学，
类型：发明
国别省市：