一种区分Fe4GeTe2/Bi2Te3异质结铁磁性主导贡献的光电流方法技术

本发明专利技术涉及一种区分Fe<subgt;4</subgt;GeTe<subgt;2</subgt;/Bi<subgt;2</subgt;Te<subgt;3</subgt;异质结铁磁性主导贡献的光电流方法，该方法通过测试具有设定厚度Fe<subgt;4</subgt;GeTe<subgt;2</subgt;的Fe<subgt;4</subgt;GeTe<subgt;2</subgt;/Bi<subgt;2</subgt;Te<subgt;3</subgt;异质结的圆偏振光电流、普通光电导电流和磁场相关的反常霍尔电阻，可简单区分影响异质结铁磁性的主导机制。具体来说，通过测量不同温度条件下的Fe<subgt;4</subgt;GeTe<subgt;2</subgt;/Bi<subgt;2</subgt;Te<subgt;3</subgt;异质结的圆偏振光致电流、普通光电导电流，提取出和自旋轨道耦合强度成正比的有效电场α<subgt;e</subgt;，再与不同温度条件下反常霍尔电阻随磁场的变化曲线进行对比，若和α<subgt;e</subgt;的趋势一致，证明磁各向异性是影响该材料铁磁性的主导机制之一，若不一致，则证明影响铁磁性的主导机制是界面交换相互作用。本发明专利技术方法简单，易于实现，不会损伤材料，适用于具有强自旋轨道耦合的铁磁材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及自旋电子学领域，具体涉及一种区分fe4gete2/bi2te3异质结铁磁性主导贡献的光电流方法。

技术介绍

1、在自旋电子学中，二维范德瓦尔斯晶体是最有前景的长距离自旋输运和有效的自旋控制的材料类别。fe4gete2作为其中的一员展现出了接近室温的居里温度、较大的磁化强度和高的电导率。它可以通过分子束外延进行生长，具有强的面内磁各向异性，在低温下面内各向异性会转变为垂直磁各向异性。此外，fe4gete2体材料的居里温度高达270k。为了满足工业或航空航天领域的设备操作标准，通常需要材料能够承受300k以上的温度，目前的二维铁磁材料的居里温度远低于此，因此寻找一个高居里温度的铁磁材料迫在眉睫。最近，fe4gete2材料和具有强自旋轨道耦合表面态的三维拓扑绝缘体bi2te3结合形成异质结被发现具有高于室温的居里温度。

2、一般来说，铁磁材料铁磁性可以由海森堡模型进行解释，海森堡模型指出流动的铁磁性可以由自旋交换相互作用和由自旋轨道耦合诱导的磁各向异性决定，但是对于铁磁材料来说，由于自旋交换相互作用很难在实验上被观察出来，导致了影响铁磁本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种区分Fe4GeTe2/Bi2Te3异质结铁磁性主导贡献的光电流方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种区分Fe4GeTe2/Bi2Te3异质结铁磁性主导贡献的光电流方法，其特征在于，所述步骤S1中，Fe4GeTe2/Bi2Te3异质结的长和宽分别为1cm和0.3mm，Bi2Te3厚度为8nm，Fe4GeTe2厚度为3nm。

3.根据权利要求1所述的一种区分Fe4GeTe2/Bi2Te3异质结铁磁性主导贡献的光电流方法，其特征在于，所述步骤S4中，激光功率为100mW的激光由x-z平面入射，入射角为30°，在x方向测量光电流，由一对长轴...

【技术特征摘要】

1.一种区分fe4gete2/bi2te3异质结铁磁性主导贡献的光电流方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种区分fe4gete2/bi2te3异质结铁磁性主导贡献的光电流方法，其特征在于，所述步骤s1中，fe4gete2/bi2te3异质结的长和宽分别为1cm和0.3mm，bi2te3厚度为8nm，fe4gete2厚度为3nm。

3.根据权利要求1所述的一种区分fe4gete2/bi2te3异质结铁磁性主导贡献的光电流方法，其特征在于，所述步骤s4中，激光功率为100mw的激光由x-z平面入射，入射角为30°，在x方向测量光电流，由一对长轴电极收集微弱电流信号；起偏器偏振方向与水平面呈45°，光学斩波器频率和锁相放大器参考...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞金玲，林宗凯，程树英，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：