一种CDs复合Mo-La离子共掺杂TiO2纳米管阵列的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种CDs复合Mo‑La离子共掺杂TiO<subgt;2</subgt;纳米管阵列的制备方法，属于光催化技术领域。具体制备方法为：先对钛片进行打磨，清洗干燥，在氟化铵‑乙二醇‑水电解质溶液中通电，得到一层TiO<subgt;2</subgt;纳米管阵列薄膜；接着将附着TiO<subgt;2</subgt;纳米管的钛片，分别在钼的可溶性无机盐溶液和镧的可溶性无机盐溶液中里，通过电化学反应得到Mo<supgt;6+</supgt;‑La<supgt;3+</supgt;共掺杂TiO<subgt;2</subgt;纳米管；通过水热法制备CDs，配制一定浓度的CDs溶液，将Mo<supgt;6+</supgt;‑La<supgt;3+</supgt;共掺杂TiO<subgt;2</subgt;纳米管在CDs溶液中通过电泳法进行复合，得到CDs复合Mo<supgt;6+</supgt;‑La<supgt;3+</supgt;共掺杂TiO<subgt;2</subgt;纳米管。本发明专利技术制备的CDs复合Mo‑La离子共掺杂TiO<subgt;2</subgt;纳米管阵列以一层薄膜状结构附着在钛基底上，厚度为1.5um～3um，管径为70nm～100nm纳米管排列有序，表面平整，管径均匀，呈圆形。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种cds复合mo-la离子共掺杂tio2纳米管阵列的制备方法，属于光催化剂。

技术介绍

1、随着人类经济社会的快速发展，所引起的生态环境污染问题日益严重，并影响到人们的日常生活与健康，而利用半导体材料的光催化性能去除环境中的各种污染物是一种行之有效的方法，已引起世界的广泛关注。纳米tio2半导体光催化材料因催化活性高，稳定性好，价格低廉，无毒无害，适用范围广等突出性能而成为研究热点。但是目前粉末状纳米tio2颗粒易团聚，难以回收和再利用，容易对环境造成二次污染，限制了其在光催化领域的实际应用。依托钛基底生长的二氧化钛纳米管阵列不仅可以将光催化剂固定化，解决催化剂分离回收难的问题，还可以克服悬浮相催化剂稳定性差和容易中毒的缺点，同时其特殊的管状结构具有更大的比表面积和吸附能力，能为光催化降解提供更高的反应，因而受到特别关注。但是纯tio2纳米管阵列自身仍然存在两个关键问题：一是其禁带宽度较宽(锐钛矿型约3.2ev)，只能对紫外光响应，太阳光利用率低下；二是纯tio2的光生电子和空穴的复合速率很快，一般发生在皮秒和纳秒的时间尺度范围内，光量子效本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种CDs复合Mo-La离子共掺杂TiO2纳米管阵列的制备方法，其特征在于：通过CDs复合Mo-La离子共掺杂得到TiO2纳米管，具体制备步骤如下所述：

2.根据权利要求1所述CDs复合Mo-La离子共掺杂TiO2纳米管阵列的制备方法，其特征在于：步骤(1)中纯钛片的；依次用200#、400#、800#、1000#、1500#、2000#、2500#砂纸打磨至表面无明显划痕；依次用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗。

3.根据权利要求1所述CDs复合Mo-La离子共掺杂TiO2纳米管阵列的制备方法，其特征在于：步骤(2)中去离子水与乙二醇的体积比为95:5～80...

【技术特征摘要】

1.一种cds复合mo-la离子共掺杂tio2纳米管阵列的制备方法，其特征在于：通过cds复合mo-la离子共掺杂得到tio2纳米管，具体制备步骤如下所述：

2.根据权利要求1所述cds复合mo-la离子共掺杂tio2纳米管阵列的制备方法，其特征在于：步骤(1)中纯钛片的；依次用200#、400#、800#、1000#、1500#、2000#、2500#砂纸打磨至表面无明显划痕；依次用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗。

3.根据权利要求1所述cds复合mo-la离子共掺杂tio2纳米管阵列的制备方法，其特征在于：步骤(2)中去离子水与乙二醇的体积比为95:5～80:20；去离子水中氟化铵的添加量为0.1mol/l～1mol/l；氧化电压为10v～40v，氧化时间为0.5h～3h。

4.根据权利要求1所述cds复合mo-la离子共掺杂tio2纳米管阵列的制备方法，其特征在于：步骤(3)中所述mo的无机盐包括分析纯的钼酸钠、钼酸铵、钼酸镁中的任一种，去离子水中mo的无机盐加入量为0.01mol/l～0.1mol/l，反应电压为4v～10v、反应时间为0.5h～2h。

5.根据权利要求1所述cds复合mo-la离子共掺杂tio2纳米管阵列的制备方法，其特征在于：步骤(4)中所述la的无机盐包括分析纯的硝酸镧、氯化镧、硫酸镧中的任一种，去离子水中la的无机盐加入量为0.005mol/l～0.05mol/l，反应电压为4v～10v、反应时间为0.5h～2h。

6.根据权利要求1所述cds复合mo-la离子共掺杂tio2纳米管阵列的制备方法，其特征在于：步骤(3)和步骤(4)中mo离子和l...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜景红，秦朝乾，张蓉蓉，苟益，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：