【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于运行具有电化学储能器的设备的方法和一种具有电化学储能器的设备。
技术介绍
1、由于寄生电感，在具有电子半导体开关的半导体系统中的关断过程伴随着高能量，所述高能量可能不可修复地损坏半导体开关。
2、为了防止损坏，已知各种各样的保护电路。
3、在较小的电压和电流的情况下，使用tvs二极管。对于高伏特应用，tvs二极管并联地且串联地连接。
4、在此不利的是，空间需求高。另外，tvs二极管的使用是昂贵的，并且对于高电压等级，是未通过汽车认证的。
5、在有源钳位的情况下，在线性范围中运行mosfet，以便可以导出mosfet中的热量。
6、在此不利的是，并联连接的mosfet的应用由于构件的分散(streuung)而是非常复杂的。
7、另外，已知rc元件的使用，该rc元件与半导体开关并联地布置。
8、在此不利的是，需要大的电容器和功率电阻，使得空间需求高。另外，这种类型的结构元件是昂贵的。
9、us2002/0159212 a1示...
【技术保护点】
1.用于运行设备的方法(100)，所述设备具有电化学储能器、电子高伏特开关和DC保护电路，所述DC保护电路与所述电子高伏特开关并联连接，其中，所述DC保护电路包括由至少一个晶闸管过电压保护构件和至少一个压敏电阻组成的串联电路，所述方法具有下述步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子高伏特开关在所述打开(130)时被软打开，
3.用于运行电化学储能器(201，301，401，501)的设备(200，300，400，500)，所述设备具有电子高伏特开关(203，303，403，503)和DC保护电路，其中，所述电化学储能器(201...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.用于运行设备的方法(100)，所述设备具有电化学储能器、电子高伏特开关和dc保护电路，所述dc保护电路与所述电子高伏特开关并联连接，其中，所述dc保护电路包括由至少一个晶闸管过电压保护构件和至少一个压敏电阻组成的串联电路，所述方法具有下述步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子高伏特开关在所述打开(130)时被软打开，
3.用于运行电化学储能器(201，301，401，501)的设备(200，300，400，500)，所述设备具有电子高伏特开关(203，303，403，503)和dc保护电路，其中，所述电化学储能器(201，301，401，501)通过所述电子高伏特开关(203，303，403，503)与负载(206，306，406，506)连接，其特征在于，所述dc保护电路与所述电子高伏特开关(203，303，403，503)并联地布置，其中，所述dc保护电路具有至少一个晶闸管过电压保护构件(204，304，404，504)和至少一个压敏电阻(205，305，405，505)，所述晶闸管过电压保护构件和所述压敏电阻串联连接。
4.根据权利要求3所述的设备(200，300，400，500)，其特征在于，所述设备(200，300，400，500)具有至少一个器件、尤其是电子电池管理控制器，所述器件设立为用于执行根据权利要求1或2所述的方法的步骤。
5.根据权利要求3或4所述的设备(200，300，400，500)，其特征在于，所述压敏电阻(205，305，405，505)的阈值电压小于所述电化学储能器(201，301，401，501)的最大电压。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的设备(200，300，400，500)，其特征在于，所述晶闸管过电压保护构件(204，304，404，504)的截止电压小于所述电化学储能器(201，301，401，501)的最大电压。
7.根据权利要求5和6所述的设备(200，300，400，500)，其特征在于，所述晶闸管过电压保护构件(204，304，404，504...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·沃尔夫，J·斯沃博达，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：
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