【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片评估，例如涉及一种用于评估芯片软错误率的方法、装置及计算机可读存储介质。
技术介绍
1、目前，半导体元器件的各种制造和封装材料中含有少量的同位素，这些同位素释放出α粒子，具有较强的电离能力。而大气中子是来自宇宙空间的高能粒子射线轰击地球上空的中性大气时诱发产生的中子，其具有非常宽的能量范围且穿透能力极强。当这些高能粒子穿越物质过程中与物质发生交互作用，高能粒子可以通过各种物理作用将能量耗散，这些耗散的一部分能量足以引发被作用物质发生电离，产生电子-空穴对。对于有源器件而言，比如常见的mos结构，mos结构耗尽区的电场会驱使电子-空穴分离，形成一种电荷收集的效应，表象上在漏极形成一个电流脉冲，当收集过程超过“临界电荷”，就会引发mos高低电平的转换。因此，不可避免地会造成具有逻辑或存储功能的集成电路出现软错误，而这种软错误的随机性会造成器件功能错误，传递给整个电子系统，进而可能引发电子系统故障，甚至电子系统失效。特别是对功能安全相关的电子系统而言，这种辐射带来的集成电路软错误的影响尤为明显，会直接威胁到这个电子系统的安全运行。现阶段，测试人员通常采用α粒子源或中子粒子源来模拟宇宙辐射，以对芯片是否出现软错误进行测试。但这种测试方式不仅测试成本较高且测试周期也较长。
2、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、为了对披露的实施例的一些方面有基本的理
2、本公开实施例提供了一种用于评估芯片软错误率的方法、装置及计算机可读存储介质，以解决现有测试方式测试成本较高的技术问题。
3、在一些实施例中，所述用于评估芯片软错误率的方法，包括：将待测芯片存储器所在的位置确定为目标测试位置；控制激光诱导辐射装置按照目标辐照策略对目标测试位置施加辐射应力；在确定加速测试参数已预置的情况下，对待测芯片进行加速测试，以获得单位时间内待测芯片的软错误发生次数；根据单位时间内待测芯片的软错误发生次数，计算待测芯片的软错误率。
4、在一些实施例中，所述用于评估芯片软错误率的方法，包括：控制检测设备对待测芯片进行静态测试；在静态测试表示待测芯片处于正常工作状态的情况下，对待测芯片进行加速测试，以获得单位时间内待测芯片的软错误发生次数。
5、在一些实施例中，所述用于评估芯片软错误率的方法，包括：确定待测芯片的测试信号；在单位时间内多次向输入电路输入测试信号，以依次获得输出电路输出的多个输出信号；根据多个输出信号及待测芯片的标准信号，确定单位时间内待测芯片的软错误发生次数。
6、在一些实施例中，所述用于评估芯片软错误率的方法，包括：获得待测芯片的型号信息；根据待测芯片的型号信息，确定待测芯片的测试信号。
7、在一些实施例中，所述用于评估芯片软错误率的方法，包括：按照输出信号的输出顺序依次将每个输出信号与待测芯片的标准信号进行比对，以获得比对信息；根据比对信息，确定单位时间内待测芯片的软错误发生次数。
8、在一些实施例中，所述用于评估芯片软错误率的方法，包括：根据比对信息，确定输出信号与待测芯片的标准信号不一致的次数；将输出信号与待测芯片的标准信号不一致的次数确定为单位时间内待测芯片的软错误发生次数。
9、在一些实施例中，所述用于评估芯片软错误率的方法，包括：确定单位时间内待测芯片的总测试次数；将单位时间内待测芯片的软错误发生次数与单位时间内待测芯片的总测试次数之商确定为待测芯片的软错误率。
10、在一些实施例中，所述用于评估芯片软错误率的装置，包括：确定模块，被配置为将待测芯片存储器所在的位置确定为目标测试位置；控制模块，被配置为控制激光诱导辐射装置按照目标辐照策略对目标测试位置施加辐射应力；测试模块，被配置为在确定加速测试参数已预置的情况下，对待测芯片进行加速测试，以获得单位时间内待测芯片的软错误发生次数；计算模块，被配置为根据单位时间内待测芯片的软错误发生次数，计算待测芯片的软错误率。
11、在一些实施例中，所述用于评估芯片软错误率的装置，包括：处理器和存储有程序指令的存储器，处理器被配置为在运行程序指令时，执行前述的用于评估芯片软错误率的方法。
12、在一些实施例中，所述计算机可读存储介质，存储有程序指令，程序指令在运行时，用以使得计算机执行前述的用于评估芯片软错误率的方法。
13、本公开实施例提供的用于评估芯片软错误率的方法、装置及计算机可读存储介质，可以实现以下技术效果：通过将待测芯片存储器所在的位置确定为目标测试位置；并控制激光诱导辐射装置按照目标辐照策略对目标测试位置施加辐射应力；从而在确定加速测试参数已预置的情况下，对待测芯片进行加速测试，以获得单位时间内待测芯片的软错误发生次数；进而根据单位时间内待测芯片的软错误发生次数，计算待测芯片的软错误率。以此方案，能够采用激光诱导中子辐射取代高能辐射粒子，并通过老化试验模型加速软错误率测试所需时间，实现测试装置的小型化及便携化，在缩短测试时间的同时有效降低了测试成本。
14、以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于评估芯片软错误率的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对待测芯片进行加速测试，以获得单位时间内待测芯片的软错误发生次数，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述待测芯片的输入端与输入电路相连接，所述待测芯片的输出端与输出电路相连接，对待测芯片进行加速测试，以获得单位时间内待测芯片的软错误发生次数，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，确定待测芯片的测试信号，包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，根据多个输出信号及待测芯片的标准信号，确定单位时间内待测芯片的软错误发生次数，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，根据比对信息，确定单位时间内待测芯片的软错误发生次数，包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述单位时间内待测芯片的软错误发生次数，计算所述待测芯片的软错误率，包括：
8.一种用于评估芯片软错误率的装置，其特征在于，包括：
9.一种用于评估芯片软错误率的装置，包括处理器和存
10.一种计算机可读存储介质，存储有程序指令，其特征在于，所述程序指令在运行时，用以使得计算机执行如权利要求1至7任一项所述的用于评估芯片软错误率的方法。
...【技术特征摘要】
1.一种用于评估芯片软错误率的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对待测芯片进行加速测试，以获得单位时间内待测芯片的软错误发生次数，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述待测芯片的输入端与输入电路相连接，所述待测芯片的输出端与输出电路相连接，对待测芯片进行加速测试，以获得单位时间内待测芯片的软错误发生次数，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，确定待测芯片的测试信号，包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，根据多个输出信号及待测芯片的标准信号，确定单位时间内待测芯片的软错误发生次数，包括：
6.根据权利要求5所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李全勇，姚钊，刘沛华，马廷，张世鹏，刘玉，
申请(专利权)人：青岛海尔电冰箱有限公司，
类型：发明
国别省市：
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