【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，特别涉及一种半导体器件及其制作方法。
技术介绍
1、随着工艺节点的不断缩小，栅极结构需要采用高介电常数金属栅极。由于金属栅极不耐高温，现有技术通常采用后栅极工艺形成金属栅极。在后栅极工艺中，需要先在栅极区域形成伪栅极，在高温退火之后将伪栅极中的栅极材料除去，再向其中填入金属，形成金属栅极。但在伪栅极去除的过程中，不同区域的伪栅极高度不同，进而影响后续金属栅极的形成。此外，在去除伪栅极的过程中，容易在栅极区域之间的介电层上形成较大的凹陷，在后续制程中引起金属残留，影响器件的电学性能。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制作方法，通过本专利技术提供的半导体器件及其制作方法，消除不同区域上栅极的高度差，减小介电层区域的凹陷，提高半导体器件的电学性能。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体器件的制作方法，至少包括以下步骤：
3、提供一衬底，包括第一区域和第二区域；
4、在所述衬底上形成多个伪栅极，且所述...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：在形成第二介电层后，进行第一研磨工艺，采用终点检测的研磨模式，以所述伪栅极上的所述第二停止层为研磨停止层，研磨去除所述第二介电层。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：在所述第一研磨工艺后，采用限定研磨时间的研磨模式进行第二研磨工艺，研磨去除所述第二介电层、所述伪栅极上的所述第二停止层、所述第一停止层和部分硬掩膜层，直至所述第一区域和所述第二区域上的所述硬掩膜层的表...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：在形成第二介电层后，进行第一研磨工艺，采用终点检测的研磨模式，以所述伪栅极上的所述第二停止层为研磨停止层，研磨去除所述第二介电层。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：在所述第一研磨工艺后，采用限定研磨时间的研磨模式进行第二研磨工艺，研磨去除所述第二介电层、所述伪栅极上的所述第二停止层、所述第一停止层和部分硬掩膜层，直至所述第一区域和所述第二区域上的所述硬掩膜层的表面齐平，且研磨至所述硬掩膜层的厚度为0å~50å。
4.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：在所述第二研磨工艺后，进行第三研磨工艺，采用终点检测的研磨模式，以所述第一介电层上的所述第二停止层为检测终点，研磨至所述伪栅极与所述第二停止层平齐，且多个所述伪栅极的高度一致。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱会超，李韦坤，蔡富吉，王文轩，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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