System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种应用于电容去离子的铁钴金属间化合物的构筑方法技术_技高网

一种应用于电容去离子的铁钴金属间化合物的构筑方法技术

技术编号:40922993 阅读:3 留言:0更新日期:2024-04-18 14:47
本发明专利技术涉及一种应用于电容去离子的铁钴金属间化合物的构筑方法。本发明专利技术的目的为解决现有金属间化合物合成过程中易被氧化和活性位点较少的问题,提供一种高吸附性能的铁钴金属间化合物的构筑方法。方法:以硝酸铁、硝酸钴、聚乙烯吡咯烷酮和去离子水为原料,采用煅烧法和液氮淬冷法,得到具有高吸附性能的铁钴金属间化合物,为提高现有金属间化合物电容去离子性能提供了一种构筑方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种应用于电容去离子的铁钴金属间化合物的构筑方法


技术介绍

1、电容去离子技术作为一种新型脱盐方式,通过在常压室温条件下操作的技术,在施加电压时,液体在电极之间或者通过电极流动,利用电场作用力将离子储存在电极中,随后施加反向电压和短接时可以实现电极再生,具有低电压、操作简单、无二次污染、能耗低、电极易再生等优势。由于地下水资源的透支导致地下水盐浓度增加或沿海地区的海水入侵,造成淡水资源的短缺,通过电容去离子技术将其转化为有应用价值的淡水资源,缓解淡水资源的短缺。目前,研究重点之一是开发高效且储量丰富的电极材料。

2、铁钴金属间化合物具有比单金属铁/钴更优异的电化学活性,但其合成过程易氧化和电化学活性位点少的问题有待改善。在合成铁钴金属间化合物的过程中通过加入聚乙烯吡咯烷酮,防止铁钴金属间化合物被氧化,并通过液氮淬冷来制造缺陷的方式来提供丰富电化学活性位点,从而提高电容去离子性能,对解决淡水资源短缺问题具有重要研究意义。


技术实现思路

1、[本专利技术的目的是要克服铁钴金属间化合物易氧化、反应活性位点少的问题,而提供一种简单、新颖、产率较高的构筑方法。

2、本专利技术的一种应用于电容去离子的铁钴金属间化合物的构筑方法是按以下步骤完成:

3、(1) 将聚乙烯吡咯烷酮加入去离子水中,常温下充分搅拌使其溶解,得到聚乙烯吡咯烷酮水溶液;

4、(2) 将硝酸钴和硝酸铁分别加入步骤(1)中的聚乙烯吡咯烷酮水溶液中,常温下搅拌得到溶液a,将溶液a放入烘干箱中干燥24小时;

5、(3) 将0.2克步骤(2)中的干燥物置于管式炉中,在n2保护条件下煅烧,再通过液氮进行淬冷,得到铁钴金属间化合物材料;

6、所述步骤(1)中聚乙烯吡咯烷酮的质量为0.2-2克,去离子水的体积为10-60毫升,搅拌时间为0.5-2小时;

7、所述步骤(2)中硝酸钴为0.5-2克,硝酸铁为0.2-1克,搅拌时间为2-8小时,干燥条件为70-120摄氏度22-28小时;

8、所述步骤(3)中煅烧温度为600-900摄氏度,煅烧时间为1-3小时,液氮淬冷温度为50-700摄氏度。

9、与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:本专利技术构筑了一种高吸附性能的铁钴金属间化合物,在构筑过程中仅需较短时间就可制得。另外,该材料的合成不需要复杂设备,所制得的材料具有优异的电容去离子性能。

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【技术保护点】

1.一种应用于电容去离子的铁钴金属间化合物的构筑方法,所述方法是按以下步骤完成的:

2.根据权利要求1所述的一种应用于电容去离子的铁钴金属间化合物的构筑方法,其特征在于:所述步骤(1)中聚乙烯吡咯烷酮的质量为0.2-2克,去离子水的体积为10-60毫升,搅拌时间为0.5-2小时。

3.根据权利要求1所述的一种应用于电容去离子的铁钴金属间化合物的构筑方法,其特征在于:所述步骤(2)中硝酸钴为0.5-2克,硝酸铁为0.2-1克,搅拌时间为2-8个小时,干燥条件为70-120摄氏度22-28小时。

4.根据权利要求1所述的一种应用于电容去离子的铁钴金属间化合物的构筑方法,其特征在于:所述步骤(3)中煅烧温度为600-900摄氏度,煅烧时间为1-3小时,液氮淬冷温度为50-700摄氏度。

【技术特征摘要】

1.一种应用于电容去离子的铁钴金属间化合物的构筑方法,所述方法是按以下步骤完成的:

2.根据权利要求1所述的一种应用于电容去离子的铁钴金属间化合物的构筑方法,其特征在于:所述步骤(1)中聚乙烯吡咯烷酮的质量为0.2-2克,去离子水的体积为10-60毫升,搅拌时间为0.5-2小时。

3.根据权利要求1所述的一种应用于电容去离子的铁钴金属间...

【专利技术属性】
技术研发人员:李金龙程宝昌郭东轩柴东凤
申请(专利权)人:齐齐哈尔大学
类型:发明
国别省市:

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