【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对由esd(静电放电)等造成的过渡性的异常电压、雷电浪涌、开关浪涌等浪涌进行吸收的过渡电压吸收元件。
技术介绍
1、一般来说，若在传输线路与接地之间插入过渡电压吸收元件，则高频信号通过过渡电压吸收元件的杂散电容而向接地泄漏，因此传输线路的传输特性变差。
2、在专利文献1示出了排除了无用的寄生元件的影响的低杂散电容的过渡电压吸收元件。
3、图9是在专利文献1公开的过渡电压吸收元件的剖视图。在该例子中，在半导体基板201上形成有第1外延层210，在第1外延层210的表面附近形成有埋入层220，在埋入层220上形成有第2外延层211，在第2外延层211内形成有第1深度扩散层250，在第1深度扩散层250内形成有齐纳二极管，在从齐纳二极管分开的位置形成有第1pn二极管。齐纳二极管被沟槽501分离，第1pn二极管被沟槽502分离，齐纳二极管和第1pn二极管经由埋入层220而反向地串联连接。通过该构造，可得到能够排除无用的寄生元件的影响且低电容的过渡电压吸收元件。
4、在先技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开2012-182381号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、如图9所示，各二极管被沟槽分离，由此可抑制横向的寄生电容。但是，关于纵向，则残留有寄生电容。在图9中，寄生电容c1是在阳极电极端子121与第1外延层210之间产生的寄生电容，寄生电容c2是在阴极电极端子120以及第3扩散
3、图10是上述过渡电压吸收元件的等效电路图。该过渡电压吸收元件是如下的构造，即，在阴极电极端子120与阳极电极端子121之间连接有pn结二极管101和齐纳二极管110的串联电路，并且在阴极电极端子120与阳极电极端子121之间连接有pn结二极管102。寄生电容c1连接在齐纳二极管110的两端之间，寄生电容c2连接在pn结二极管101的两端之间。
4、像这样，成为在串联连接的二极管各自连接有寄生电容的电路，因此若将该过渡电压吸收元件插入到传输线路与接地之间，则高频信号通过过渡电压吸收元件的杂散电容而向接地泄漏，传输线路的传输特性变差。
5、因此，本专利技术的目的在于，构成进一步降低了杂散电容的过渡电压吸收元件，从而提供一种能够抑制传输线路的高频通过特性的下降的过渡电压吸收元件。
6、用于解决问题的技术方案
7、作为本公开的一个例子的过渡电压吸收元件的特征在于，具备：
8、半导体基板；
9、外延层，形成在该半导体基板的表面；和
10、p+区域以及n+区域，形成在该外延层，
11、由所述外延层、所述p+区域以及所述n+区域构成浪涌吸收用二极管，
12、所述过渡电压吸收元件具备从所述外延层的表面到达所述半导体基板的沟槽。
13、专利技术效果
14、根据本专利技术，可得到进一步降低了杂散电容的过渡电压吸收元件，可抑制传输线路的高频通过特性的下降。
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1.一种过渡电压吸收元件，具备：
2.根据权利要求1所述的过渡电压吸收元件，其中，
3.根据权利要求2所述的过渡电压吸收元件，其中，
4.根据权利要求2所述的过渡电压吸收元件，其中，
5.根据权利要求2所述的过渡电压吸收元件，其中，
6.根据权利要求3所述的过渡电压吸收元件，其中，
7.根据权利要求3所述的过渡电压吸收元件，其中，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种过渡电压吸收元件，具备：
2.根据权利要求1所述的过渡电压吸收元件，其中，
3.根据权利要求2所述的过渡电压吸收元件，其中，
4.根据权利要求2所述的过渡电压...
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