【技术实现步骤摘要】
本技术涉及采集，特别涉及一种高精度热电阻采集电路。
技术介绍
1、热电阻是中低温区常用的一种温度检测器，基于金属导体的电阻值随温度的增加而增加这一特性来进行温度测量的。基于热电阻采集的难点在于传感器的线阻的计算，不同线长度的热电阻线阻不一样会影响采集的精度还有线阻计算的重复性也会影响。本司提出一种利用电路产生两路相同的高精度恒流源去抵消线阻的电路结构。
技术实现思路
1、本技术的目的是提供一种高精度热电阻采集电路。
2、本技术要解决的是现有热电阻的采集精度不够的问题。
3、为了解决上述问题，本技术通过以下技术方案实现：
4、一种高精度热电阻采集电路，包括电源电路、恒流源电路及热电阻。所述电源电路用于接入外接电源后生产基准电压及分电压，所述分电压小于所述基准电压；所述恒流源电路分别接入所述基准电压及分电压后，两路输出电流的相等；所述热电阻为三线制热电阻，所述热电阻的三根引线长度相同；位于所述热电阻同一端的两根引线中一根接地、另一根接入所述恒流源电路的一路输出，位于所述热电阻另一端的一根引线接入所述恒流源电路的另一路输出。
5、进一步地，所述恒流源电路包括双运算放大器、两分压电阻组件及两开关管组件，所述双运算放大器的同相输入端分别接入分电压，所述双运算放大器的第一反相输入端分别与第一分压电阻组件及第一开关管组件相连，所述双运算放大器的第二反相输入端分别与第二分压电阻组件及第二开关管组件相连，所述第一分压电阻组件与所述第二分压电阻组件的另一
6、进一步地，所述第一分压电阻组件的阻值与所述第二分压电阻组件的阻值相等。
7、进一步地，所述第一分压电阻组件及所述第二分压电阻组件均采用0.1％25ppm的电阻。
8、进一步地，所述一开关管组件包括第一pmos管，所述第一pmos管的源极与所述第一分压电阻组件相连，所述第一pmos管的漏极与所述热电阻的电源线相连，所述第一pmos管的栅极与所述双运算放大器的输出端相连；所述二开关管组件包括第二pmos管，所述第二pmos管的源极与所述第二分压电阻组件相连，所述第二pmos管的漏极与所述热电阻的温度检测线相连，所述第二pmos管的栅极与所述双运算放大器的另一输出端相连。
9、进一步地，所述热电阻的温度检测线与所述恒流源电路的输出之间还串联有第十电阻。
10、进一步地，所述电源电路包括外接电源组件、与所述外接电源组件的输出端相连的基准电压组件、串联于所述基准电压组件的输出端与地之间的若干电阻；所述外接电源组件用于接入外接电源，所述基准电压组件输出所述基准电压，串联的若干电阻的其一公共端输出所述分电压。
11、进一步地，所述外接电源组件包括串联在外接电源正负极之间的保险电阻、二极管、稳压二极管、以及并联在所述稳压二极管之间的电容；所述二极管的阴极与所述稳压二极管的阴极相连；所述外接电源的负极接地，所述稳压二极管的阴极为所述外接电源组件的输出端。
12、进一步地，所述基准电压组件包括基准芯片及第三电阻，所述基准芯片的r脚通过第三电阻与所述外接电源组件的输出端相连，所述基准芯片的a脚接地，所述基准芯片的a脚与c脚相连后串联若干电阻。
13、与现有技术相比，本技术技术方案及其有益效果如下：
14、(1)本技术的热电阻的三根引线的长度相同，从而三端引线的线阻相同。位于热电阻同一端的两根引线中一根接地、另一根接入恒流源电路的一路输出，位于热电阻另一端的一根引线接入恒流源电路的另一路输出，那么热电阻的电源线端与温度检测线端之间的压差变化，与线阻无关，仅为热电阻因温度变化而引起的电阻变化带来的压差变化，从而使得基于热电阻的采集电路的采集精度更高。
15、(2)本技术的热电阻的温度检测线与恒流源电路的输出之间还串联有第十电阻，从而使得采集电压范围为负压至正压，提高了adc的采集精度。
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1.一种高精度热电阻采集电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种高精度热电阻采集电路，其特征在于，所述恒流源电路包括双运算放大器、两分压电阻组件及两开关管组件，所述双运算放大器的同相输入端分别接入分电压，所述双运算放大器的第一反相输入端分别与第一分压电阻组件及第一开关管组件相连，所述双运算放大器的第二反相输入端分别与第二分压电阻组件及第二开关管组件相连，所述第一分压电阻组件与所述第二分压电阻组件的另一端均连接基准电压，所述第一开关管组件与所述热电阻的电源线相连，所述第二开关管组件与所述热电阻的温度检测线相连。
3.根据权利要求2所述的一种高精度热电阻采集电路，其特征在于，所述第一分压电阻组件的阻值与所述第二分压电阻组件的阻值相等。
4.根据权利要求3所述的一种高精度热电阻采集电路，其特征在于，所述第一分压电阻组件及所述第二分压电阻组件均采用0.1％25PPM的电阻。
5.根据权利要求3所述的一种高精度热电阻采集电路，其特征在于，所述一开关管组件包括第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极与所述第一分压电阻组件相连，所述
6.根据权利要求1所述的一种高精度热电阻采集电路，其特征在于，所述热电阻的温度检测线与所述恒流源电路的输出之间还串联有第十电阻。
7.根据权利要求1所述的一种高精度热电阻采集电路，其特征在于，所述电源电路包括外接电源组件、与所述外接电源组件的输出端相连的基准电压组件、串联于所述基准电压组件的输出端与地之间的若干电阻；所述外接电源组件用于接入外接电源，所述基准电压组件输出所述基准电压，串联的若干电阻的其一公共端输出所述分电压。
8.根据权利要求7所述的一种高精度热电阻采集电路，其特征在于，所述外接电源组件包括串联在外接电源正负极之间的保险电阻、二极管、稳压二极管、以及并联在所述稳压二极管之间的电容；所述二极管的阴极与所述稳压二极管的阴极相连；所述外接电源的负极接地，所述稳压二极管的阴极为所述外接电源组件的输出端。
9.根据权利要求7所述的一种高精度热电阻采集电路，其特征在于，所述基准电压组件包括基准芯片及第三电阻，所述基准芯片的R脚通过第三电阻与所述外接电源组件的输出端相连，所述基准芯片的A脚接地，所述基准芯片的A脚与C脚相连后串联若干电阻。
...【技术特征摘要】
1.一种高精度热电阻采集电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种高精度热电阻采集电路，其特征在于，所述恒流源电路包括双运算放大器、两分压电阻组件及两开关管组件，所述双运算放大器的同相输入端分别接入分电压，所述双运算放大器的第一反相输入端分别与第一分压电阻组件及第一开关管组件相连，所述双运算放大器的第二反相输入端分别与第二分压电阻组件及第二开关管组件相连，所述第一分压电阻组件与所述第二分压电阻组件的另一端均连接基准电压，所述第一开关管组件与所述热电阻的电源线相连，所述第二开关管组件与所述热电阻的温度检测线相连。
3.根据权利要求2所述的一种高精度热电阻采集电路，其特征在于，所述第一分压电阻组件的阻值与所述第二分压电阻组件的阻值相等。
4.根据权利要求3所述的一种高精度热电阻采集电路，其特征在于，所述第一分压电阻组件及所述第二分压电阻组件均采用0.1％25ppm的电阻。
5.根据权利要求3所述的一种高精度热电阻采集电路，其特征在于，所述一开关管组件包括第一pmos管，所述第一pmos管的源极与所述第一分压电阻组件相连，所述第一pmos管的漏极与所述热电阻的电源线相连，所述第一pmos管的栅极与所述双运算放大器的输出端相连；所述二开关管组件包括第二pmos管，所述第二pmos管的...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈凤华，洪斯星，
申请(专利权)人：厦门科芯城科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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