【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于x射线衍射分析，具体涉及一种利用xrd分析硅铁球中单质硅含量的方法。
技术介绍
1、硅铁球是以焦炭、钢屑、石英(或硅石)为原料，用电炉冶炼制成的铁硅合金，主要成分包括si、c、ca、fe、mn等。硅铁球是炼钢的重要辅料之一，起着还原、造渣、合金化等作用。单质硅是其中还原作用的主要有效成分，而硅氧化物为惰性无效成分。gb/t 4333《硅铁化学分析方法》只能对硅元素总含量进行分析，包括单质硅、sio2、fesi2等物质，无法分析其中的单质硅含量。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是针对现有技术的缺陷，提供了一种利用xrd分析硅铁球中单质硅含量的方法。
2、本专利技术是通过以下技术方案实现的：
3、一种利用xrd分析硅铁球中单质硅含量的方法，包括：
4、(1)将参比物粉末与纯硅粉末混合均匀，得到混合粉末；
5、(2)用xrd扫描所述混合粉末，根据得到的衍射图谱获取所述参比物粉末与所述纯硅粉末的定量衍射峰强度，并计算参比物粉末和纯硅粉末的定量衍射峰强度的关系；
6、(3)将待测硅铁球粉末与参比物粉末混合均匀得到粉末样品，记录硅铁球粉末重量及参比物粉末重量；
7、(4)用xrd扫描所述粉末样品，得到衍射图谱获取硅衍射峰强度及参比物衍射峰强度，结合参比物粉末和纯硅粉末的定量衍射峰强度关系、硅铁球粉末重量、参比物粉末重量，计算所述待测硅铁球粉末中单质硅百分含量。
8、上述的利用xrd分析硅铁球中
9、上述的利用xrd分析硅铁球中单质硅含量的方法，所述参比物粉末、所述纯硅粉末及所述待测硅铁球粉末颗粒半径范围为50～100μm。
10、上述的利用xrd分析硅铁球中单质硅含量的方法，步骤(1)中所述参比物粉末与所述纯硅粉末的重量比为1:1。
11、上述的利用xrd分析硅铁球中单质硅含量的方法，步骤(3)中待测硅铁球粉末与参比物粉末的重量比为1：(0.3～0.8)。
12、上述的利用xrd分析硅铁球中单质硅含量的方法，步骤(2)和步骤(4)中，xrd扫描参数为：x光管电压：35～40kv，x光管电流：45～55ma，扫描角度范围：30°～55°，扫描速度：≤1°每分钟。
13、上述的利用xrd分析硅铁球中单质硅含量的方法，所述纯硅粉末的定量衍射峰强度为扣除背底线后的33.2°衍射峰的强度；所述参比物粉末的定量衍射峰强度为α-al2o3扣除背底线后的50.8°衍射峰强度。
14、上述的利用xrd分析硅铁球中单质硅含量的方法，所述扣除背底线采用highscore软件进行。
15、上述的利用xrd分析硅铁球中单质硅含量的方法，当所述参比物粉末和纯硅粉末的重量比为1:1时，二者定量衍射峰强度关系如下：
16、k＝isi/i参比物
17、其中，k为参比物粉末和纯硅粉末的定量衍射峰强度关系，无量纲；
18、isi为硅衍射峰强度，counts；
19、i参比物为参比物衍射峰强度，counts。
20、上述的利用xrd分析硅铁球中单质硅含量的方法，所述待测硅铁球粉末中单质硅百分含量计算公式如下：
21、
22、其中，a％为待测硅铁球粉末中单质硅百分含量，％；
23、k为参比物粉末和纯硅粉末的定量衍射峰强度关系，无量纲；
24、i1为待测硅铁球粉末的硅衍射峰强度，counts；
25、m1为待测硅铁球粉末的重量，g；
26、i2为参比物粉末的衍射峰强度，counts；
27、m2为参比物粉末的重量，g。
28、本专利技术的技术方案具有如下的有益效果：
29、(1)本专利技术的利用xrd分析硅铁球中单质硅含量的方法，与传统化学分析方法只能分析总硅含量相比，可以分析硅铁球中还原性单质硅含量，排除硅铁球中其他形态硅的干扰，弥补了传统方法的不足；
30、(2)本专利技术的利用xrd分析硅铁球中单质硅含量的方法，操作简单，分析结果精确，对炼钢辅料硅铁球的质量评估提供了重要的依据。
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1.一种利用XRD分析硅铁球中单质硅含量的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的利用XRD分析硅铁球中单质硅含量的方法，其特征在于，所述参比物粉末为α-Al2O3粉末。
3.根据权利要求1所述的利用XRD分析硅铁球中单质硅含量的方法，其特征在于，所述参比物粉末、所述纯硅粉末及所述待测硅铁球粉末颗粒半径范围为50～100μm。
4.根据权利要求1所述的利用XRD分析硅铁球中单质硅含量的方法，其特征在于，步骤(1)中所述参比物粉末与所述纯硅粉末的重量比为1:1。
5.根据权利要求1所述的利用XRD分析硅铁球中单质硅含量的方法，其特征在于，步骤(3)中待测硅铁球粉末与参比物粉末的重量比为1：(0.3～0.8)。
6.根据权利要求1所述的利用XRD分析硅铁球中单质硅含量的方法，其特征在于，步骤(2)和步骤(4)中，XRD扫描参数为：X光管电压：35～40KV，X光管电流：45～55mA，扫描角度范围：30°～55°，扫描速度：≤1°每分钟。
7.根据权利要求2所述的利用XRD分析硅铁球中单质硅含量的方法，
8.根据权利要求7所述的利用XRD分析硅铁球中单质硅含量的方法，其特征在于，所述扣除背底线采用HIGHSCORE软件进行。
9.根据权利要求4所述的利用XRD分析硅铁球中单质硅含量的方法，其特征在于，当所述参比物粉末和纯硅粉末的重量比为1:1时，二者定量衍射峰强度关系如下：
10.根据权利要求1所述的利用XRD分析硅铁球中单质硅含量的方法，其特征在于，所述待测硅铁球粉末中单质硅百分含量计算公式如下：
...【技术特征摘要】
1.一种利用xrd分析硅铁球中单质硅含量的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的利用xrd分析硅铁球中单质硅含量的方法，其特征在于，所述参比物粉末为α-al2o3粉末。
3.根据权利要求1所述的利用xrd分析硅铁球中单质硅含量的方法，其特征在于，所述参比物粉末、所述纯硅粉末及所述待测硅铁球粉末颗粒半径范围为50～100μm。
4.根据权利要求1所述的利用xrd分析硅铁球中单质硅含量的方法，其特征在于，步骤(1)中所述参比物粉末与所述纯硅粉末的重量比为1:1。
5.根据权利要求1所述的利用xrd分析硅铁球中单质硅含量的方法，其特征在于，步骤(3)中待测硅铁球粉末与参比物粉末的重量比为1：(0.3～0.8)。
6.根据权利要求1所述的利用xrd分析硅铁球中单质硅含量的方法，其特征在于，步骤(2)和步骤(4)中，xrd扫描...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘浩，徐梅，廉晓洁，赵振铎，谷宇，
申请(专利权)人：山西太钢不锈钢股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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