一种大功率三相桥MOS管驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种大功率三相桥MOS管驱动电路，具体涉及电机控制技术领域，包括U1、U2、C1、C2、C3、C4、R1、R2以及MOS1和MOS2；所述U1为一号驱动芯片；所述U2为二号驱动芯片；所述C1为U1驱动电源的去耦电容；所述C2为U1驱动电源的去耦电容；所述C3为U2驱动电源的去耦电容；所述C4为U2驱动电源的去耦电容。本发明专利技术可以取消OUTL输出的限流电阻，增大关断控制电流，减少关断时间，同时保留OUTH输出限流电阻，防止短路，并且取消IN+和IN‑之间的电容，加快响应时间，排布时增大OUTL引脚的散热面积，减少大电流导致的过热，只能使用OUTH和OUTL引脚分立封装的器件，增加控制周期，使OUTL两次关断操作的间隔能够使热量和电气结构恢复，防止热击穿和电击穿。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电机控制，更具体地说，本专利技术涉及一种大功率三相桥mos管驱动电路。

技术介绍

1、市场上的低压电机控制器在相电流达到1500a以上时，无论是增加mos管数量，还是增加mos管功率，都会引起驱动的mos栅极电容增加，导致mos管开关响应速度变慢，继而导致必须增加死区时间以保证安全性，使mos管导通时间下降，做功时间变短，导致相电流提升变小甚至负提升，为了提高栅极电路驱动能力，传统方法是多个驱动模块并联使用、增加反向二极管使关断速度加快等，但是并联模块会因为不同模块一致性不同，导致响应时间不同步，出现一个模块工作其他待机的情况，并且多个模块会增大走线长度，引起电路分布电容增加，继续增加驱动难度，反向二极管由于存在固有压降(0.4v～0.7v)，导致关断有残余信号，在大电流系统中会有漏电流出现，可能引起失控。

2、因此即使更换了更大功率的mos管或者增加了mos管数量，由于mos管栅极电路驱动能力不足，会引起各种问题同时出现，难以同时解决诸多问题，导致提升相电流的成本呈现指数增加，继续提升功率的成本十分高昂。p>

3、因此，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种大功率三相桥MOS管驱动电路，其特征在于：包括U1、U2、C1、C2、C3、C4、R1、R2以及MOS1和MOS2；

2.根据权利要求1所述的一种大功率三相桥MOS管驱动电路，其特征在于：所述MOS1和MOS2一侧连接有栅极、漏极和源极。

3.根据权利要求1所述的一种大功率三相桥MOS管驱动电路，其特征在于：所述C1和C2分别连接于U1的两侧。

4.根据权利要求1所述的一种大功率三相桥MOS管驱动电路，其特征在于：所述C3和C4分别连接于U2的两侧。

5.根据权利要求1所述的一种大功率三相桥MOS管驱动电路，其特征在于：所述R1连接...

【技术特征摘要】

1.一种大功率三相桥mos管驱动电路，其特征在于：包括u1、u2、c1、c2、c3、c4、r1、r2以及mos1和mos2；

2.根据权利要求1所述的一种大功率三相桥mos管驱动电路，其特征在于：所述mos1和mos2一侧连接有栅极、漏极和源极。

3.根据权利要求1所述的一种大功率三相桥mos管驱动电路，其特征在于：所述c1和c2分别连接于u1的两侧。

4.根据权利要求1所述的一种大功率三相桥mos管驱动电路，其特征在于：所述c3和c4分别连接于u2...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎亚平，廖根忠，
申请(专利权)人：江苏远驱科技有限公司，
类型：发明
国别省市：