【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电机控制，更具体地说，本专利技术涉及一种大功率三相桥mos管驱动电路。
技术介绍
1、市场上的低压电机控制器在相电流达到1500a以上时，无论是增加mos管数量，还是增加mos管功率，都会引起驱动的mos栅极电容增加，导致mos管开关响应速度变慢，继而导致必须增加死区时间以保证安全性，使mos管导通时间下降，做功时间变短，导致相电流提升变小甚至负提升，为了提高栅极电路驱动能力，传统方法是多个驱动模块并联使用、增加反向二极管使关断速度加快等，但是并联模块会因为不同模块一致性不同，导致响应时间不同步，出现一个模块工作其他待机的情况，并且多个模块会增大走线长度，引起电路分布电容增加，继续增加驱动难度，反向二极管由于存在固有压降(0.4v～0.7v)，导致关断有残余信号，在大电流系统中会有漏电流出现，可能引起失控。
2、因此即使更换了更大功率的mos管或者增加了mos管数量，由于mos管栅极电路驱动能力不足，会引起各种问题同时出现，难以同时解决诸多问题，导致提升相电流的成本呈现指数增加，继续提升功率的成本十分高昂。
3、因此，亟需一种大功率三相桥mos管驱动电路。
技术实现思路
1、为了克服现有技术的上述缺陷，本专利技术的实施例提供一种大功率三相桥mos管驱动电路，可以取消outl输出的限流电阻，增大关断控制电流，减少关断时间，同时保留outh输出限流电阻，防止短路，并且取消in+和in-之间的电容，加快响应时间，排布时增大outl引脚的散热面积，减少
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种大功率三相桥mos管驱动电路，包括u1、u2、c1、c2、c3、c4、r1、r2以及mos1和mos2；
3、所述u1为一号驱动芯片；
4、所述u2为二号驱动芯片；
5、所述c1为u1驱动电源的去耦电容；
6、所述c2为u1驱动电源的去耦电容；
7、所述c3为u2驱动电源的去耦电容；
8、所述c4为u2驱动电源的去耦电容；
9、所述r1为u1的outh管脚限流电阻；
10、所述r2为u2的outh管脚限流电阻；
11、所述mos1为需要驱动的一号mos管；
12、所述mos2为需要驱动的二号mos管。
13、在一个优选的实施方式中，所述mos1和mos2一侧连接有栅极、漏极和源极。
14、在一个优选的实施方式中，所述c1和c2分别连接于u1的两侧。
15、在一个优选的实施方式中，所述c3和c4分别连接于u2的两侧。
16、在一个优选的实施方式中，所述r1连接于u1靠近c2的一侧。
17、在一个优选的实施方式中，所述r2连接于u2靠近c4的一侧。
18、在一个优选的实施方式中，所述mos2连接于r1远离u1的一侧。
19、在一个优选的实施方式中，所述mos1连接于r2远离u2的一侧。
20、本专利技术的技术效果和优点：
21、芯片u1驱动mos管，当mos管打开时，u1的管脚7(outl)处于浮空状态，u1的管脚6(outh)输出12v,12v电压经过限流电阻r1连接mos管的栅极(管脚g)，由于有限流电阻r1的存在，无需考虑输出电流过大造成的问题，当mos管需要关闭时，u1的管脚6(outh)处于浮空状态，u1的管脚7(outl)输出低电平，通常会认为这个过程是瞬间完成的，但是mos管栅极电压从12v降低至0v是有过程的，是一个接近线性的从vcc至0v的斜波，时间和电压增长基本呈现线性，这里以vcc为30v为参考计算，当需要mos管关断的时候，mos管栅极(管脚g)电压为12v，栅极等效电容参考上面资料取13370pf，则此时栅极电容电荷量cs1＝12v*13370pf(用cs1表示栅极电压12v对应电荷量)，当经过时间ts＝tf＝40ns后电压下降为0(ts表示栅极电压从12v变为0v所需时间)，则此时栅极电容电荷量cs2＝0c(c为库伦，电荷单位)，则在ts时间内u1的管脚7(outl)需要流过的平均电流is＝(cs1–cs2)/ts＝12v*13370pf/40ns＝4a，而pai8211a的技术手册里描述瞬间电流可以达到10a，这表示在不使用u1的管脚7(outl)的限流电阻的情况下，该芯片可以至少驱动2颗以上的(hsy0076a)mos，如果随着vcc电压的增加，ts变得更长，芯片可以驱动更多的mos，如果u1的管脚7(outl)增加1欧姆的限流电阻，则由于rc电路的延迟作用，关断mos的下降沿会产生5τ(τ＝rc，为一阶阻容电路响应时间常数)的延迟，约5*r*c＝5*1ω*13370pf＝65ns，在40ns的基础上延迟65ns即105ns，可以看到低电平输出缩短了超过60％的时间，这就使本专利技术可以取消outl输出的限流电阻，增大关断控制电流，减少关断时间，同时保留outh输出限流电阻，防止短路，并且取消in+和in-之间的电容，加快响应时间，排布时增大outl引脚的散热面积，减少大电流导致的过热，只能使用outh和outl引脚分立封装的器件，增加控制周期，使outl两次关断操作的间隔能够使热量和电气结构恢复，防止热击穿和电击穿。
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1.一种大功率三相桥MOS管驱动电路，其特征在于：包括U1、U2、C1、C2、C3、C4、R1、R2以及MOS1和MOS2；
2.根据权利要求1所述的一种大功率三相桥MOS管驱动电路，其特征在于：所述MOS1和MOS2一侧连接有栅极、漏极和源极。
3.根据权利要求1所述的一种大功率三相桥MOS管驱动电路，其特征在于：所述C1和C2分别连接于U1的两侧。
4.根据权利要求1所述的一种大功率三相桥MOS管驱动电路，其特征在于：所述C3和C4分别连接于U2的两侧。
5.根据权利要求1所述的一种大功率三相桥MOS管驱动电路，其特征在于：所述R1连接于U1靠近C2的一侧。
6.根据权利要求1所述的一种大功率三相桥MOS管驱动电路，其特征在于：所述R2连接于U2靠近C4的一侧。
7.根据权利要求1所述的一种大功率三相桥MOS管驱动电路，其特征在于：所述MOS2连接于R1远离U1的一侧。
8.根据权利要求1所述的一种大功率三相桥MOS管驱动电路，其特征在于：所述MOS1连接于R2远离U2的一侧。
【技术特征摘要】
1.一种大功率三相桥mos管驱动电路，其特征在于：包括u1、u2、c1、c2、c3、c4、r1、r2以及mos1和mos2；
2.根据权利要求1所述的一种大功率三相桥mos管驱动电路，其特征在于：所述mos1和mos2一侧连接有栅极、漏极和源极。
3.根据权利要求1所述的一种大功率三相桥mos管驱动电路，其特征在于：所述c1和c2分别连接于u1的两侧。
4.根据权利要求1所述的一种大功率三相桥mos管驱动电路，其特征在于：所述c3和c4分别连接于u2...
【专利技术属性】
技术研发人员：黎亚平，廖根忠，
申请(专利权)人：江苏远驱科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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