偏置电流生成电路及芯片制造技术

本公开的实施例提供一种偏置电流生成电路及芯片。偏置电流生成电路包括：偏置电压产生电路、第一偏置电流产生电路与第二偏置电流产生电路。偏置电压产生电路被配置为生成第一偏置电压信号、第二偏置电压信号与第三偏置电压信号，并经由第一节点将所述第一偏置电压信号提供至所述第一偏置电流产生电路、经由第二节点将所述第二偏置电压信号提供至所述第二偏置电流产生电路以及经由第三节点将所述第三偏置电压信号提供至所述第二偏置电流产生电路；第一偏置电流产生电路被配置为根据所述第一偏置电压信号，产生PMOS偏置电流信号；第二偏置电流产生电路被配置为根据所述第二偏置电压信号与所述第三偏置电压信号，产生NMOS偏置电流信号。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例涉及集成电路，具体地涉及一种偏置电流生成电路及芯片。

技术介绍

1、在模拟集成电路中，偏置电流是电路正常工作的重要参考源，因此偏置电流生成电路是模拟芯片不可缺少的模块。

2、图1是一种偏置电流生成电路100的示例性电路图。nmos晶体管mn1、mn2和电阻r1构成负反馈环路，使a点电位为va＝vgs_mn1，b点电位为vb＝vgs_mn1+vgs_mn2，其中，vgs_mn1为nmos晶体管mn1的栅源电压，vgs_mn2为nmos晶体管mn2的栅源电压。因此流过nmos晶体管mn1的电流为电阻r0上的电流ir0＝[vcc–(vgs_mn1+vgs_mn2)]/r0，流过nmos晶体管mn2和pmos晶体管mp1的电流均为电阻r1上的电流ir1＝vgs_mn1/r1。pmos晶体管mp2与pmos晶体管mp1构成电流镜电路，且pmos晶体管mp2的宽长比与pmos晶体管mp1的宽长比成比例，假设该比例为k，则pmos晶体管mp2的漏源电流为ip＝k*vgs_mn1/r1，即为电路100产生的偏置电流，该偏置电流为pmos偏置电流信本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种偏置电流生成电路，其特征在于，包括：偏置电压产生电路、第一偏置电流产生电路与第二偏置电流产生电路，

2.根据权利要求1所述的偏置电流生成电路，其特征在于，所述偏置电压产生电路包括：第一电阻器、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管与第二电阻器，

3.根据权利要求2所述的偏置电流生成电路，其特征在于，所述第一偏置电流产生电路包括：第四晶体管，

4.根据权利要求2所述的偏置电流生成电路，其特征在于，所述第二偏置电流产生电路包括：第五晶体管，

5.根据权利要求2所述的偏置电流生成电路，其特征在于，所述第一晶体管为PMOS晶体管，所述第二晶体管...

【技术特征摘要】

1.一种偏置电流生成电路，其特征在于，包括：偏置电压产生电路、第一偏置电流产生电路与第二偏置电流产生电路，

2.根据权利要求1所述的偏置电流生成电路，其特征在于，所述偏置电压产生电路包括：第一电阻器、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管与第二电阻器，

3.根据权利要求2所述的偏置电流生成电路，其特征在于，所述第一偏置电流产生电路包括：第四晶体管，

4.根据权利要求2所述的偏置电流生成电路，其特征在于，所述第二偏置电流产生电路包括：第五晶体管，

5.根据权利要求2所述的偏置电流生成电路，其特征在于，所述第一晶体管为pmos晶体管，所述第二晶体管与所述第三晶体管均为nmos晶体管。

6.根据权利要求3所述的偏置电流生成电路，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张利地，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：