【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路，具体涉及一种无基准源的低功耗高精度欠压保护电路。
技术介绍
1、欠压保护是一种电子保护机制，其目的是在电路的电源电压低于临界电压时，自动断开电路。这种保护机制可以有效地保护设备免受电压过低的损害，提高电路的可靠性和使用寿命。欠压保护电路的关键是电源电压和门限电压的比较，门限电压会极大地影响欠压保护电路的功能。
2、门限电压的建立，一般有两种做法：一是在芯片的带隙基准启动前用齐纳管和二极管作为电压限定器件来实现对欠压保护电路门限电压的设定。这种方式的电路启动功耗小，但是由于齐纳管和二极管的温度特性差，欠压保护电路的电压比较点不够精准。二是在芯片的带隙基准电路正常工作后用带隙基准作为欠压保护电路的门限电压。这种方式的欠压保护电路精度高，但是需要内部的带隙基准和比较器电路等先工作，启动功耗大。在传统电路中，无法得到理想的门限电压，欠压保护电路的功能也受到限制。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种无基准源的低功耗高精度欠压保护电路，解决了现有欠压保护电路不能同时做到启动功耗低以及电路精度高，无法得到理想的门限电压的问题。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术的技术方案为：一种无基准源的低功耗高精度欠压保护电路，包括分压网络、电压选择网络、比较网络以及放大网络；
3、所述分压网络的输入端为整个所述欠压保护电路的输入端，所述分压网络的第一输出端与电压选择网络的第一输入端连接，所述分压网络的第二输出端与电压选择网络的第二输入端连接，
4、本专利技术的有益效果是：本专利技术电路结构简单，利用三极管的电流特性建立门限电压，可以在基准电源未建立起时工作，实现低功耗高精度的要求。根据输出的欠压保护电路信号可以调整电压选择网络的分压电压和比较网络的输入电压实现上门限电压和下门限电压的转变即同时有双门限电压比较功能。因此本专利技术解决了现有欠压保护不能同时做到启动功耗低以及电路精度高，无法得到理想的门限电压的问题。
5、进一步地，所述分压网络包括电阻r1、电阻r2以及接地电阻r3；
6、所述电阻r1的一端与电源电压vdd连接，并作为所述分压网络的输入端；所述电阻r1的另一端与电阻r2的一端连接，并作为所述分压网络的第一输出端；所述电阻r2的另一端与接地电阻r3连接，并作为所述分压网络的第二输出端。
7、上述进一步方案的有益效果为：将电源电压进行分压，形成高分压电压以及低分压电压，为后续电压选择做准备。
8、进一步地，所述电压选择网络包括晶体管n1、晶体管n2、晶体管n3以及电阻r4；
9、所述晶体管n1的漏极作为所述电压选择网络的第一输入端，所述晶体管n2的漏极作为所述电压选择网络的第二输入端；所述晶体管n1的栅极与uvlo1信号连接；所述晶体管n1的源极分别与晶体管n2的源极、晶体管n3的漏极以及电阻r4的一端连接，并作为所述电压选择网络的第二输出端；所述晶体管n2的栅极以及晶体管n3的栅极均与uvlo0信号连接；所述晶体管n3的源极与电阻r4的另一端连接，并作为所述电压选择网络的第一输出端。
10、上述进一步方案的有益效果为：根据输出的欠压保护电路信号uvlo0信号可以调整电压选择网络的分压电压和比较网络的输入电压实现上门限电压和下门限电压的转变即同时有双门限电压比较功能。
11、进一步地，所述晶体管n1、晶体管n2和晶体管n3均为nmos管。
12、进一步地，所述比较网络包括晶体管p1、晶体管p2、三极管v1、三极管v2、接地电阻r5以及电阻r6；
13、所述三极管v1的基极作为所述比较网络的第一输入端，所述三极管v2的基极作为所述比较网络的第二输入端；所述晶体管p1的漏极分别与晶体管p1的栅极以及三极管v1的集电极连接，并作为所述比较网络的第一输出端；所述三极管v1的发射极与电阻r6的一端连接；所述电阻r6的另一端分别与接地电阻r5以及三极管v2的发射极连接；所述晶体管p2的漏极分别与晶体管p2的栅极以及三极管v2的集电极连接，并作为所述比较网络的第二输出端；所述晶体管p1的源极分别与晶体管p2的源极、高电压lvdd以及放大网络连接。
14、上述进一步方案的有益效果为：比较网络利用三极管的电流特性，让输入电压变化到翻转电压时，比较网络输出的比较信号发生翻转，输入放大网络中，通过比较网络建立了门限电压，可以在无基准电源的情况下实现高精度低功耗的特性。
15、进一步地，所述晶体管p1和晶体管p2均为pmos管，所述三极管v1和三极管v2均为npn型三极管，所述三极管v1的集电极与三极管v2的集电极电流比为8：1。
16、进一步地，所述放大网络包括晶体管p3、晶体管p4、晶体管p5、晶体管n4、晶体管n5以及晶体管n6；
17、所述晶体管p3的栅极作为所述放大网络的第一输入端；所述晶体管p4的栅极与晶体管p5的栅极连接，并作为所述放大网络的第二输入端；所述晶体管p3的源极分别与晶体管p2的源极、晶体管p4的源极以及晶体管p5的源极连接；所述晶体管p3的漏极分别与晶体管n4的漏极、晶体管n4的栅极以及晶体管n5的栅极连接；所述晶体管n4的源极、晶体管n5的源极以及晶体管n6的源极均接地；所述晶体管n5的漏极分别与晶体管n6的栅极以及晶体管p4的漏极连接；所述晶体管p5的漏极与晶体管n6的漏极连接，并作为所述放大网络的输出端。
18、上述进一步方案的有益效果为：放大网络可以把比较网络的比较电流信号转换为输出的uvlo0信号，把电流信号变为可以输出的电压信号表示电路状态，uvlo0信号可以调节选择电压网络和比较网络的输入电压，实现双门限电压比较。
19、进一步地，所述晶体管p3、晶体管p4和晶体管p5均为pmos管，所述晶体管n4、晶体管n5和晶体管n6均为nmos管；
20、所述晶体管p1、晶体管p2、晶体管p3、晶体管p4和晶体管p5尺寸相同，所述晶体管n4和晶体管n5尺寸相同。
21、进一步地，所述放大网络的输出端输出uvlo0信号。
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1.一种无基准源的低功耗高精度欠压保护电路，其特征在于，包括分压网络、电压选择网络、比较网络以及放大网络；
2.根据权利要求1所述的无基准源的低功耗高精度欠压保护电路，其特征在于，所述分压网络包括电阻R1、电阻R2以及接地电阻R3；
3.根据权利要求1所述的无基准源的低功耗高精度欠压保护电路，其特征在于，所述电压选择网络包括晶体管N1、晶体管N2、晶体管N3以及电阻R4；
4.根据权利要求3所述的无基准源的低功耗高精度欠压保护电路，其特征在于，所述晶体管N1、晶体管N2和晶体管N3均为NMOS管。
5.根据权利要求1所述的无基准源的低功耗高精度欠压保护电路，其特征在于，所述比较网络包括晶体管P1、晶体管P2、三极管V1、三极管V2、接地电阻R5以及电阻R6；
6.根据权利要求5所述的无基准源的低功耗高精度欠压保护电路，其特征在于，所述晶体管P1和晶体管P2均为PMOS管，所述三极管V1和三极管V2均为NPN型三极管，所述三极管V1的集电极与三极管V2的集电极电流比为8：1。
7.根据权利要求5所述的无基准源的
8.根据权利要求7所述的无基准源的低功耗高精度欠压保护电路，其特征在于，所述晶体管P3、晶体管P4和晶体管P5均为PMOS管，所述晶体管N4、晶体管N5和晶体管N6均为NMOS管；
9.根据权利要求5所述的无基准源的低功耗高精度欠压保护电路，其特征在于，所述放大网络的输出端输出UVLO0信号。
...【技术特征摘要】
1.一种无基准源的低功耗高精度欠压保护电路，其特征在于，包括分压网络、电压选择网络、比较网络以及放大网络；
2.根据权利要求1所述的无基准源的低功耗高精度欠压保护电路，其特征在于，所述分压网络包括电阻r1、电阻r2以及接地电阻r3；
3.根据权利要求1所述的无基准源的低功耗高精度欠压保护电路，其特征在于，所述电压选择网络包括晶体管n1、晶体管n2、晶体管n3以及电阻r4；
4.根据权利要求3所述的无基准源的低功耗高精度欠压保护电路，其特征在于，所述晶体管n1、晶体管n2和晶体管n3均为nmos管。
5.根据权利要求1所述的无基准源的低功耗高精度欠压保护电路，其特征在于，所述比较网络包括晶体管p1、晶体管p2、三极管v1、三极管v2、接地电阻r5以及电阻r6；
...【专利技术属性】
技术研发人员：吴强，姜慧宇，田仁廷，周靖堡，邸志雄，
申请(专利权)人：西南交通大学，
类型：发明
国别省市：
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