抗干扰单线双向通讯电路制造技术

本技术公开一种抗干扰单线双向通讯电路，包括：端口隔离防护电路、RXD开关控制电路以及TXD开关控制电路；端口隔离防护电路的连接端与外接端口Comm电连接，且通过匹配电阻与电源VCC电连接，其另一连接端分别与RXD开关控制电路的连接端和TXD开关控制电路的连接端电连接，RXD开关控制电路的另一连接端与系统信号接收端RXD电连接，TXD开关控制电路的另一连接端与系统信号发送端TXD电连接。本技术将系统信号接收端RXD和系统信号发送端TXD两个信号接口合并成一个对外信号接口，并通过半双工控制方式实现收发数据，节约了系统上的一个对外信号端口，节省了结构空间。

【技术实现步骤摘要】

本技术具体涉及一种抗干扰单线双向通讯电路。

技术介绍

1、在信号传输系统中，通讯电路是非常重要的一个组成部分，能够让两个系统之间进行数据传输与信号控制。通讯电路通常包含发送、接收两根信号线，但在系统架构或空间受限的情况下无法在通讯电路上同时放置发送、接收信号线，这时就需要使用单线双向通讯电路，即使用一根信号线同时实现发送与接收的功能。

2、传统的串口通讯电路是采用两个独立的信号接口分别进行发送、接收作用，实现双工或半双工的通讯方式。使用两个独立的信号接口会占用更多的通讯接口与结构空间，在系统架构或空间极限的情况下无法满足正常的信息传输与数据交换。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题，本技术提出了抗干扰单线双向通讯电路。

2、为了达到上述目的，本技术的技术方案如下：

3、本技术公开一种抗干扰单线双向通讯电路，包括：端口隔离防护电路、rxd开关控制电路以及txd开关控制电路；

4、端口隔离防护电路的连接端与外接端口comm电连接，且通过匹配电阻与电源vcc电连接，其另一连接端分别与rxd开关控制电路的连接端和txd开关控制电路的连接端电连接，rxd开关控制电路的另一连接端与系统信号接收端rxd电连接，txd开关控制电路的另一连接端与系统信号发送端txd电连接；

5、端口隔离防护电路包括：防护二极管d1，其阳极与外接端口comm电连接，其阴极分别与rxd开关控制电路和txd开关控制电路电连接；

6、rxd开关控制电路包括：晶体管q3和晶体管q4，晶体管q3的基极与防护二极管d1的阴极电连接，其集电极分别与电源vdd、晶体管q4的基极电连接，其发射极接地，晶体管q4的基极与晶体管q3的集电极电连接，其集电极分别与电源vdd、系统信号接收端rxd电连接，其发射极接地；

7、txd开关控制电路包括：晶体管q1和晶体管q2，晶体管q1的集电极与防护二极管d1的阴极电连接，其基极分别与电源vdd、晶体管q2的集电极电连接，其发射极接地，晶体管q2的集电极与晶体管q1的基极电连接，其基极与系统信号发送端txd电连接，其发射极接地。

8、在上述技术方案的基础上，还可做如下改进：

9、作为优选的方案，端口隔离防护电路还包括：至少一个防护电阻，防护电阻与防护二极管d1串联。

10、作为优选的方案，晶体管q4通过至少一个上拉电阻与电源vdd电连接。

11、作为优选的方案，晶体管q2通过至少一个上拉电阻与电源vdd电连接。

12、作为优选的方案，晶体管q3的基极通过至少一个限流电阻与防护二极管d1的阴极电连接。

13、作为优选的方案，晶体管q4的基极通过至少一个限流电阻分别与晶体管q3的集电极、电源vdd电连接。

14、作为优选的方案，晶体管q2的基极通过至少一个限流电阻与系统信号发送端txd电连接。

15、作为优选的方案，晶体管q1、晶体管q2、晶体管q3、晶体管q4的基极分别通过至少一个下拉电阻接地。

16、本技术公开一种抗干扰单线双向通讯电路具有以下有益效果：

17、第一，将系统信号接收端rxd和系统信号发送端txd两个信号接口合并成一个对外信号接口，并通过半双工控制方式实现收发数据，节约了系统上的一个对外信号端口，节省了结构空间。

18、第二，替代原双线控制方式应用于串口通讯电路，该电路具有双向通讯能力进行数据收发，电路搭建成本低廉，抗干扰能力强的特点。

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【技术保护点】

1.抗干扰单线双向通讯电路，其特征在于，包括：端口隔离防护电路、RXD开关控制电路以及TXD开关控制电路；

2.根据权利要求1所述的抗干扰单线双向通讯电路，其特征在于，所述端口隔离防护电路还包括：至少一个防护电阻，所述防护电阻与防护二极管D1串联。

3.根据权利要求1所述的抗干扰单线双向通讯电路，其特征在于，所述晶体管Q4通过至少一个上拉电阻与电源VDD电连接。

4.根据权利要求1所述的抗干扰单线双向通讯电路，其特征在于，所述晶体管Q2通过至少一个上拉电阻与电源VDD电连接。

5.根据权利要求1所述的抗干扰单线双向通讯电路，其特征在于，所述晶体管Q3的基极通过至少一个限流电阻与防护二极管D1的阴极电连接。

6.根据权利要求1所述的抗干扰单线双向通讯电路，其特征在于，所述晶体管Q4的基极通过至少一个限流电阻分别与晶体管Q3的集电极、电源VDD电连接。

7.根据权利要求1所述的抗干扰单线双向通讯电路，其特征在于，所述晶体管Q2的基极通过至少一个限流电阻与系统信号发送端TXD电连接。

8.根据权利要求1所述的抗干扰单线双向通讯电路，其特征在于，所述晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4的基极分别通过至少一个下拉电阻接地。

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【技术特征摘要】

1.抗干扰单线双向通讯电路，其特征在于，包括：端口隔离防护电路、rxd开关控制电路以及txd开关控制电路；

2.根据权利要求1所述的抗干扰单线双向通讯电路，其特征在于，所述端口隔离防护电路还包括：至少一个防护电阻，所述防护电阻与防护二极管d1串联。

3.根据权利要求1所述的抗干扰单线双向通讯电路，其特征在于，所述晶体管q4通过至少一个上拉电阻与电源vdd电连接。

4.根据权利要求1所述的抗干扰单线双向通讯电路，其特征在于，所述晶体管q2通过至少一个上拉电阻与电源vdd电连接。

5.根据权利要求1所述的抗干扰单...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱灵聪，吴成飞，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：新型
国别省市：