一种发声部制造技术

技术编号:40887540 阅读:3 留言:0更新日期:2024-04-08 18:30
本说明书实施例提供一种发声部,包括振膜、磁路组件、线圈和壳体。线圈与振膜连接并至少部分位于磁路组件形成的磁间隙中,线圈通电后带动振膜振动以产生声音。壳体的内侧面上开设有出声孔,用于将振膜前侧产生的声音导出所述壳体。振膜包括主体区域和环绕主体区域的折环区域,折环区域包括弧形段和与主体区域连接的连接段,出声孔的中心距壳体的下侧面的距离与弧形段的跨度之间的存在第一差值,第一差值在2.75mm‑4.15mm之间。如此设置,可以防止出声孔处空气的流通影响弧形段形变的均匀性,从而减小发声部的失真程度,提升发声部的声学输出性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及声学,具体涉及一种发声部


技术介绍

1、随着声学输出技术的发展,声学装置(例如,耳机)已广泛地应用于人们的日常生活,其可以与手机、电脑等电子设备配合使用,以便于为用户提供听觉盛宴。发声部中振膜的结构和与振膜配合的支撑结构通常影响发声部的输出性能。

2、因此,有必要提出一种具有高输出性能的发声部。


技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种发声部,包括振膜、磁路组件、线圈和壳体。所述线圈与所述振膜连接并至少部分位于所述磁路组件形成的磁间隙中,所述线圈通电后带动所述振膜振动以产生声音。所述壳体的内侧面上开设有出声孔,用于将所述振膜前侧产生的声音导出所述壳体。所述振膜包括主体区域和环绕主体区域的折环区域,所述折环区域包括弧形段和与所述主体区域连接的连接段,所述出声孔的中心距所述壳体的下侧面的距离与所述弧形段的跨度之间的存在第一差值,所述第一差值在2.75mm-4.15mm之间。如此设置,可以使出声孔靠近耳道同时减小出声孔对振膜振动的影响,以减小发声部的失真程度。

2、在一些实施例中,所述弧形段的跨度在1.2mm-1.7mm范围内,和/或所述出声孔的中心距所述壳体的下侧面的距离范围为4.05mm~6.05mm。如此设置,可以使出声孔的中心在振膜上的投影位于弧形段内侧,从而减小出声孔对振膜振动的影响,进而减小发声部的失真程度。此外,还可以使具有该发声部的耳机处于佩戴状态时出声孔靠近耳道,从而提高听音位置的听音音量。

3、在一些实施例中,所述弧形段的跨度与所述振膜的短轴尺寸的比值在0.1-0.3之间,和/或所述出声孔的中心距所述壳体的下侧面的距离与所述振膜的短轴尺寸的比值在0.3-0.5之间。如此设置,可以在保证具有该发声部的耳机处于佩戴状态时出声孔靠近耳道的同时,减小出声孔对振膜振动的影响,从而减小发声部的失真程度。

4、在一些实施例中,所述第一差值与所述振膜的短轴尺寸的比值在0.3-0.7之间,可以使出声孔在垂直于振膜振动方向上避开弧形段,且使振膜具有足够大的短轴尺寸。

5、在一些实施例中,所述弧形段的跨度在1.2mm-1.7mm范围内,和/或所述出声孔的中心距所述壳体的后侧面的距离范围为8.15mm~12.25mm。如此设置,可以使出声孔的中心在振膜上的投影位于弧形段内侧,从而减小出声孔对振膜振动的影响,进而减小发声部的失真程度。此外,还可以使具有该发声部的耳机处于佩戴状态时出声孔靠近耳道,从而提高听音位置的听音音量。

6、在一些实施例中,所述弧形段的跨度与所述振膜的长轴尺寸的比值在0.065-0.1之间,和/或所述出声孔的中心距所述壳体的后侧面的距离与所述振膜的长轴尺寸的比值在0.45-0.65之间。如此设置,可以在保证具有该发声部的耳机处于佩戴状态时出声孔靠近耳道的同时,减小出声孔对振膜振动的影响,从而减小发声部的失真程度。

7、在一些实施例中,所述出声孔的中心距所述壳体的后侧面的距离与所述弧形段的跨度之间存在第二差值,所述第二差值在6.8mm-10.3mm之间。如此设置,可以使出声孔靠近耳道同时减小出声孔对振膜振动的影响,以减小发声部的失真程度。

8、在一些实施例中,所述第二差值与所述振膜的长轴尺寸的比值在0.40-0.55之间,可以使出声孔在垂直于振膜振动方向上避开弧形段,且使振膜具有足够大的长轴尺寸。

9、在一些实施例中,所述振膜的长轴尺寸在13mm-25mm范围内,和/或所述振膜的短轴尺寸在4mm-13mm范围内。

10、在一些实施例中,所述弧形段的高度与所述弧形段的跨度的比值在0.35-0.4范围内,可以使发声部具有较好的输出与较低的失真。

11、在一些实施例中,在振膜振动方向上,所述出声孔的面积与所述振膜的投影面积的比值在0.08-0.32之间内,可以使前腔的谐振频率保持在较高的频率范围内(例如,大于3khz),从而使发声部的整体的频率响应曲线具有较宽的平坦区域。

12、在一些实施例中,在振膜振动方向上,所述振膜的投影面积在90mm2-560mm2范围内,和/或所述出声孔的面积在2.87mm2-46.10mm2范围内。

13、在一些实施例中,所述出声孔的面积与所述出声孔的深度的平方之比在0.31-512.2范围内。

14、在一些实施例中,所述出声孔和所述振膜前侧之间构成前腔,所述壳体的其他侧面上还设有泄压孔,所述泄压孔和所述振膜背面之间构成后腔,所述前腔的谐振频率不小于3khz,和/或所述后腔的谐振频率不小于3.3khz,可以使得发声部的整体的频率响应曲线具有较宽的平坦区域,提升发声部的出声效果。

15、在一些实施例中,所述后腔的谐振频率与所述前腔的谐振频率之差小于300hz,可以使得由泄压孔形成的漏音与出声孔在远场形成的漏音更好地相互抵消。

16、在一些实施例中,发声部还包括环绕所述磁路组件设置的支架,所述支架与所述折环区域上远离所述主体区域的部位连接。所述支架上开设有多个透气孔,所述振膜背面的声音通过所述多个透气孔传输到所述泄压孔,所述多个透气孔的总面积与所述出声孔的面积的比值在0.25-1.60之间,可以维持振膜前后侧声压的均匀性,提升发声部的输出性能。

17、在一些实施例中,所述多个透气孔的总面积在4.54mm2-12.96mm2范围内。

18、在一些实施例中,所述多个透气孔至少包括第一透气孔和第二透气孔,所述第一透气孔的中心距所述泄压孔的中心的距离大于所述第二透气孔的中心距所述泄压孔的中心的距离,且所述第一透气孔的面积大于所述第二透气孔的面积。如此设置,可以更好地平衡气流,使后腔内的气压平衡。

19、在一些实施例中,在振膜的振动方向上,所述线圈的底部与所述磁路组件的底面之间的距离在0.2mm-4mm范围内,和/或所述出声孔的中心距所述磁路组件的底面的距离范围为5.65mm~8.35mm,可以避免发声部的体积过大,同时避免线圈的碰撞,保证发声部的发声效率足够高、后腔谐振频率在合适频率范围内(例如,1000hz-5000hz)。

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【技术保护点】

1.一种发声部,包括:

2.根据权利要求1所述的发声部,其中,所述弧形段的跨度与所述振膜的短轴尺寸的比值在0.1-0.3之间,和/或所述出声孔的中心距所述壳体的下侧面的距离与所述振膜的短轴尺寸的比值在0.3-0.5之间。

3.根据权利要求1所述的发声部,其中,所述第一差值与所述振膜的短轴尺寸的比值在0.3-0.7之间。

4.根据权利要求1所述的发声部,其中,所述弧形段的跨度与所述振膜的长轴尺寸的比值在0.065-0.1之间,和/或所述出声孔的中心距所述壳体的后侧面的距离与所述振膜的长轴尺寸的比值在0.45-0.65之间。

5.根据权利要求1所述的发声部,其中,所述出声孔的中心距所述壳体的后侧面的距离与所述弧形段的跨度之间存在第二差值,所述第二差值在6.8mm-10.3mm之间。

6.根据权利要求5所述的发声部,其中,所述弧形段的跨度在1.2mm-1.7mm范围内,和/或所述出声孔的中心距所述壳体的后侧面的距离在8.15mm-12.25mm之间。

7.根据权利要求5或6所述的发声部,其中,所述第二差值与所述振膜的长轴尺寸的比值在0.40-0.55之间。

8.根据权利要求1所述的发声部,其中,所述弧形段的高度与所述弧形段的跨度的比值在0.35-0.4范围内。

9.根据权利要求1所述的发声部,其中,在振膜振动方向上,所述出声孔的截面积与所述振膜的投影面积的比值在0.08-0.32之间内。

10.根据权利要求1所述的发声部,其中,在振膜振动方向上,所述振膜的投影面积在90mm2-560mm2范围内,和/或所述出声孔的截面积在2.87mm2-46.10mm2范围内。

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【技术特征摘要】

1.一种发声部,包括:

2.根据权利要求1所述的发声部,其中,所述弧形段的跨度与所述振膜的短轴尺寸的比值在0.1-0.3之间,和/或所述出声孔的中心距所述壳体的下侧面的距离与所述振膜的短轴尺寸的比值在0.3-0.5之间。

3.根据权利要求1所述的发声部,其中,所述第一差值与所述振膜的短轴尺寸的比值在0.3-0.7之间。

4.根据权利要求1所述的发声部,其中,所述弧形段的跨度与所述振膜的长轴尺寸的比值在0.065-0.1之间,和/或所述出声孔的中心距所述壳体的后侧面的距离与所述振膜的长轴尺寸的比值在0.45-0.65之间。

5.根据权利要求1所述的发声部,其中,所述出声孔的中心距所述壳体的后侧面的距离与所述弧形段的跨度之间存在第二差值,所述第二差值在6.8mm-10.3mm之间。

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【专利技术属性】
技术研发人员:张磊童珮耕解国林李永坚徐江招涛武多多戢澳齐心
申请(专利权)人:深圳市韶音科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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