【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电应用领域,尤其是涉及一种高灵敏门控雪崩光电二极管高速检测系统。
技术介绍
1、雪崩光电二极管探测器(avalanche photodiode detector,apd)作为一种高增益、高灵敏度的光电探测器,利用载流子的雪崩效应来放大光电信号,原理是p-n结上加上反向临界偏压后,入射光被p-n结吸收后产生光电流的雪崩效应,电流急剧放大。apd利用雪崩效应实现内部的电子倍增,提供更高的增益和灵敏度,相对于传统光电二极管,apd能够实现对微弱光信号的高效、准确的检测,在弱光信号检测领域展现出巨大的潜力和优势。因此,apd在光通信、光谱分析、生物医学和科学研究等领域被广泛应用。
2、基于apd的光电探测器在线性模式下能够在一定范围内实现线性放大,即输入光信号的强度和输出电流之间呈线性关系。这使得线性模式apd在需要进行精确光强度测量的应用中具有优势。并且能够处理更大范围的光强度,不仅能够测量弱光信号,还可以承受更高的光强度,适应不同应用需求。ge j j等人提出一种用于雪崩探测器的超快速低噪声前置放大器,该前置放大
...【技术保护点】
1.一种高灵敏门控雪崩光电二极管高速检测系统,其特征在于包括APD、高速门控电流采样电路、示波器、信号发生器、TEC恒温控温模块、高压可调偏置电源和上位机;
2.如权利要求1所述一种高灵敏门控雪崩光电二极管高速检测系统,其特征在于所述高速门控电流采样电路中的MOSFET采用型号为IRLML2030,用于实现纳秒级高精度电流采样。
3.如权利要求1所述一种高灵敏门控雪崩光电二极管高速检测系统,其特征在于所述电机驱动模块采用型号为L298N电机驱动模块。
4.如权利要求1所述一种高灵敏门控雪崩光电二极管高速检测系统,其特征在于所述温度传
...【技术特征摘要】
1.一种高灵敏门控雪崩光电二极管高速检测系统,其特征在于包括apd、高速门控电流采样电路、示波器、信号发生器、tec恒温控温模块、高压可调偏置电源和上位机;
2.如权利要求1所述一种高灵敏门控雪崩光电二极管高速检测系统,其特征在于所述高速门控电流采样电路中的mosfet采用型号为irlml2030,用于实现纳秒级高精度电流采样。
3.如权利要求1所述一种高灵敏门控雪崩光电二极管高速检测系统,其特征在于所述电机驱动模块采用型号为l298n电机驱动模块。
4.如权利要求1所述一种高灵敏门控雪崩光电二极管高速检测系统,其特征在于所述温度传感器采用lm75bdp温度传感器。
5.如权利要求1所述一种高灵敏门控雪崩光电二极管高速检测系统,其特征在于所述高压可调偏置电源采用高压模块型号为kdhm-c-12s200p-v。
6.如权利要求1所述一种高灵敏门控雪崩光电二极管高速检测系统,其特征在于所述数模转换芯片采用tlv5624cd芯片。
7.如权利要求1所述一种高灵敏门控雪崩光电二极管高速检测系统,其特征在于所述采用调整偏置电压和温度控制这两种方式的综合作用实现apd增益的稳...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑振耀,吴伟,吕毅军,朱丽虹,林苡,陈国龙,陈忠,
申请(专利权)人:厦门大学,
类型:发明
国别省市:
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