【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于有机电子学领域，具体涉及一种含有硫醇自组装修饰层的柔性聚合物场效应晶体管器件及其制备方法。
技术介绍
1、有机场效应晶体管(organic field-effect transistors,ofets)是一种通过控制栅压来调控有机半导体层导电能力的有源器件，在下一代柔性电路和电子学器件如电子纸、射频电子标签(radio frequency identification，rfid)、柔性显示等方面有着巨大的潜在应用前景。衡量ofet性能的一个重要参数是迁移率。有机半导体材料是ofet器件的核心，对器件迁移率有着决定性的影响。有机半导体按照分子量和化学结构可以分为三类：有机小分子、寡聚物以及聚合物半导体材料。同有机小分子和寡聚物半导体材料相比，聚合物半导体材料具有易于制备，同柔性基底兼容性好，易于大规模制备等特点，所以更受柔性电子学领域研究工作者和企业界研发人员的青睐，基于聚合物半导体的柔性ofet器件研究已经成为近年来有机电子学领域的热点之一。与此同时，ofet器件有着多种界面包括电极/有机半导体界面、有机半导体/介电层界面...
【技术保护点】
1.一种柔性聚合物场效应晶体管器件，由下至上依次为柔性衬底、源漏电极、有机半导体层、绝缘层和栅电极，
2.根据权利要求1所述的柔性聚合物场效应晶体管器件，其特征在于：
3.根据权利要求1或2所述的柔性聚合物场效应晶体管器件，其特征在于：所述硫醇自组装修饰层的厚度为0.5-1纳米。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的柔性聚合物场效应晶体管器件，其特征在于：所述柔性衬底的材料可为聚对苯二甲酸乙二醇酯；
5.制备权利要求1-4中任一项所述的柔性聚合物场效应晶体管器件的方法，包括如下步骤：1)在柔性衬底上沉积源漏电极；
...【技术特征摘要】
1.一种柔性聚合物场效应晶体管器件，由下至上依次为柔性衬底、源漏电极、有机半导体层、绝缘层和栅电极，
2.根据权利要求1所述的柔性聚合物场效应晶体管器件，其特征在于：
3.根据权利要求1或2所述的柔性聚合物场效应晶体管器件，其特征在于：所述硫醇自组装修饰层的厚度为0.5-1纳米。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的柔性聚合物场效应晶体管器件，其特征在于：所述柔性衬底的材料可为聚对苯二甲酸乙二醇酯；
5.制备权利要求1-4中任一项所述的柔性聚合物场效应晶体管器件的方法，包括如下步骤：1)在柔性衬底上沉积源漏电极；
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：步骤2)中，所述硫醇溶液所用溶剂包括甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、四...
【专利技术属性】
技术研发人员：张卫锋，周彦凯，韦旭扬，车前，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：
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