【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种应用于电容去离子的应变型mxene/硒化钒的构筑方法。
技术介绍
1、
2、电容去离子技术作为一种新型脱盐方式，通过在常温常压操作条件下，在电极两端施加电压，将海水或苦咸水置于电极两端之间，利用电能将离子储存在电极材料中，随后施加反向电压或短接时可以实现电极再生，具有脱盐效率高、能耗低、环境友好等特点。海水和苦咸水的电容去离子技术被认为是解决面临的淡水资源短缺的一种有前景的解决方案。目前，该技术的研究重点之一是开发高效且稳定的电极材料。
3、mxene材料由于高导电性、高容量和良好的亲水性等优点备受关注，但其易堆叠和活性位点较少的问题有待改善。因此，对mxene基电极材料进行合理化的修饰，通过原位部分硒化构建异质结构克服mxene的堆叠，并通过液氮淬冷改变晶面间距的方式提供丰富电化学活性位点，从而提高电化学性能，使其作为良好的电容去离子电极材料，对于设计优异性能电容去离子的电极材料具有重要研究意义。
技术实现思路
1、
2、本专利技术的目的是要克服mxene易堆叠和活性位点较少的问题，而提供一种简单、新颖、产率较高的构筑方法。
3、本专利技术的一种应用于电容去离子的应变型mxene/硒化钒的构筑方法是按以下步骤完成：
4、(1) 采用质量浓度为40%氢氟酸在水浴加热和搅拌条件下蚀刻v2alc粉末，刻蚀完成后，将分散液进行离心，用去离子水反复洗涤至ph为6，干燥；
5、(2) 将步骤(1)中的产
6、(3) 将0.2克步骤(2)中的混合物置于管式炉中，在n2保护条件下煅烧，再通过液氮进行淬冷，得到应变型mxene/硒化钒材料；
7、所述步骤(1)中氢氟酸的体积为20-30毫升，水浴加热温度为30-60摄氏度，搅拌时间为90-150小时，干燥条件为60-80摄氏度真空干燥10-15小时。
8、所述步骤(2)中步骤(1)中的产物和硒粉质量比为1:1.5-1:3，球磨转速为每分钟500-800转，球磨时间为10-30分钟。
9、所述步骤(3)中煅烧温度为500-800摄氏度，煅烧时间为2-3小时，液氮淬冷温度为25-600摄氏度。
10、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术构筑了一种应用于电容去离子的应变型mxene/硒化钒，在构筑过程中通过新颖的方式构建异质结构和实现晶格应变，制得应变型mxene/硒化钒材料，该材料具有优异的电容去离子性能。
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1.一种应用于电容去离子的应变型MXene/硒化钒的构筑方法，所述方法是按以下步骤完成的：
2.根据权利要求1所述的一种应用于电容去离子的应变型MXene/硒化钒的构筑方法，其特征在于：所述步骤(1)中氢氟酸的体积为20-30毫升，水浴加热温度为30-60摄氏度，搅拌时间为90-150小时，干燥条件为60-80摄氏度真空干燥10-15小时。
3.根据权利要求1所述的一种应用于电容去离子的应变型MXene/硒化钒的构筑方法，其特征在于：所述步骤(2)中步骤(1)中的产物和硒粉质量比为1:1.5-1:3，球磨转速为每分钟500-800转，球磨时间为10-30分钟。
4.根据权利要求1所述的一种应用于电容去离子的应变型MXene/硒化钒的构筑方法，其特征在于：所述步骤(3)中煅烧温度为500-800摄氏度，煅烧时间为2-3小时，液氮淬冷温度为25-600摄氏度。
【技术特征摘要】
1.一种应用于电容去离子的应变型mxene/硒化钒的构筑方法，所述方法是按以下步骤完成的：
2.根据权利要求1所述的一种应用于电容去离子的应变型mxene/硒化钒的构筑方法，其特征在于：所述步骤(1)中氢氟酸的体积为20-30毫升，水浴加热温度为30-60摄氏度，搅拌时间为90-150小时，干燥条件为60-80摄氏度真空干燥10-15小时。
3.根据权利要求1所述的一种应用于...
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