System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 准确且快速的功率模块性质评估制造技术_技高网

准确且快速的功率模块性质评估制造技术

技术编号:40868701 阅读:2 留言:0更新日期:2024-04-08 16:34
提供了用于准确且快速测量功率模块的结温的系统和方法。这样的系统和方法包括一个或多个功率晶体管,每个功率晶体管都具有相应的管芯表面,相应的管芯表面上定位并电耦接到导电覆盖层。温度传感器物理结合到导电覆盖层的顶表面,以提供对一个或多个功率晶体管的直接温度测量。

【技术实现步骤摘要】

这些教导大体上涉及功率模块,并且更特别地涉及功率模块的结温测量。


技术介绍

1、功率模块采用晶体管输出稳定且可靠的功率,用于各种应用,包括用于飞行器和类似的高性能系统。此外,功率模块的操作可能会产生大量的热量,如果管理不当,可能会损坏功率模块和/或产生不可靠的操作条件和功率输出。因此,在操作功率模块时,通常采用控制电路来考虑温度。


技术实现思路

【技术保护点】

1.一种功率模块,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,进一步包括:

3.根据权利要求2所述的功率模块,其特征在于,其中所述电流传感器包括电流感测分流器。

4.根据权利要求2所述的功率模块,其特征在于,进一步包括:

5.根据权利要求4所述的功率模块,其特征在于,其中调控所述一个或多个功率晶体管的所述操作包括当所述直接温度测量和所述电流的测量中的至少一个超过阈值时停止所述一个或多个功率晶体管的操作。

6.根据权利要求4所述的功率模块,其特征在于,其中调控所述一个或多个功率晶体管的所述操作包括当所述直接温度测量和所述电流的测量中的至少一个超过阈值时限制所述一个或多个功率晶体管的操作。

7.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,其中所述一个或多个功率晶体管包括碳化硅(SiC)MOSFET。

8.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,其中所述导电覆盖层从所述一个或多个功率晶体管中的每一个的所述相应的管芯表面移位一段距离,并且

9.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,其中所述温度传感器包括具有非导电外壳的电阻温度检测器。

10.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,其中所述温度传感器利用导热环氧树脂结合到所述导电覆盖层。

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【技术特征摘要】

1.一种功率模块,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,进一步包括:

3.根据权利要求2所述的功率模块,其特征在于,其中所述电流传感器包括电流感测分流器。

4.根据权利要求2所述的功率模块,其特征在于,进一步包括:

5.根据权利要求4所述的功率模块,其特征在于,其中调控所述一个或多个功率晶体管的所述操作包括当所述直接温度测量和所述电流的测量中的至少一个超过阈值时停止所述一个或多个功率晶体管的操作。

6.根据权利要求4所述的功率模块,其特征在于,其中调控所述一个或多个功率晶体管的所述操作包括当所述直...

【专利技术属性】
技术研发人员:李尚益杨励强达雷尔·L·格里姆斯曹赫明
申请(专利权)人:通用电气航空系统有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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