【技术实现步骤摘要】
本申请涉及声学，具体涉及一种耳机。
技术介绍
1、随着声学输出技术的发展，声学装置(例如，耳机)已广泛地应用于人们的日常生活，其可以与手机、电脑等电子设备配合使用，以便于为用户提供听觉盛宴。按照用户的佩戴方式，声学装置一般可以分为入耳式、头戴式、耳挂式等。
2、因此，有必要提供一种能够提高用户佩戴舒适度且具有较好的输出性能的耳机。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种耳机，其包括发声部和悬挂结构。发声部包括换能器和容纳换能器壳体。换能器包括用于在激励信号的作用下产生声音的振膜。在佩戴状态下，耳挂的第一部分挂设在用户耳廓和头部之间，所述耳挂的第二部分向所述耳廓背离所述头部的一侧延伸并连接所述发声部，以将发声部佩戴于耳道附近但不堵塞耳道的位置。壳体朝向耳廓的内侧面上开设有出声孔，用于将振膜前侧产生的声音导出壳体后传向耳道；壳体的其他侧面上开设有第一泄压孔，用于将振膜后侧产生的声音导出壳体。所述出声孔的中心距所述耳挂的上顶点之间的距离与所述第一泄压孔的中心距所述耳挂的上顶点之间的距离的比值在1.10-1.70范围内。如此设置，可以防止发声部伸入耳甲腔时第一泄压孔被遮挡。
2、在一些实施例中，出声孔的中心与耳挂的上顶点之间的距离的范围为22.5mm-34.5mm，且第一泄压孔的中心距耳挂的上顶点的距离的范围为16.15mm-24.25mm。如此设置，可以在保证发声部至少部分插入耳甲腔的前提下，使出声孔在矢状面的投影能够部分或全部位于耳甲腔区域内。
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4、在一些实施例中，第一泄压孔开设在壳体的上侧面或开设在壳体的外侧面。
5、在一些实施例中，出声孔的面积与出声孔的深度的比值与第一泄压孔的面积与第一泄压孔的深度的比值之间的比值在1.10-1.75范围内，可以使前腔与后腔的谐振频率接近。
6、在一些实施例中，出声孔的面积与第一泄压孔的面积的比值在0.5-1.5范围内。
7、在一些实施例中，在佩戴状态下，出声孔的中心在矢状面的投影点距耳道的耳道口在矢状面的投影的形心的距离与第一泄压孔的中心在矢状面的投影点距耳道口在矢状面的投影的形心的距离的比值在0.10-0.35范围内，可以使发声部能够伸入耳甲腔且第一泄压孔不被耳部结构遮挡，同时能够尽可能使出声孔在离耳道较近的位置且不被遮挡。
8、在一些实施例中，换能器还包括磁路组件，磁路组件用于提供磁场，出声孔的中心距磁路组件的长轴中心面的距离与第一泄压孔的中心距长轴中心面的距离之差的绝对值在4.0mm-6.1mm范围内，可以实现出声孔在耳道处的收音效果较好的同时远场漏音相消的效果好。
9、在一些实施例中，出声孔的中心距磁路组件的底面的距离与第一泄压孔的中心距磁路组件的底面的距离之间的差值在3.65mm-7.05mm范围内，可以使得发声部的发声效率较高，且能使后腔谐振频率在合适频率范围内(例如，2000hz-6000hz)，以实现出声孔在耳道处的收音效果较好的同时漏音相消的效果好。
10、在一些实施例中，壳体的其他侧面上还开设有第二泄压孔，第一泄压孔的面积大于第二泄压孔的面积，可以减少从第二泄压孔导出并传向耳道的声音强度，从而避免第二泄压孔发出的声音在耳道(即听音位置)与出声孔发出的声音反相相消而降低听音音量。
11、在一些实施例中，出声孔的中心距第一泄压孔的中心与第二泄压孔的中心的连线的中垂面的距离为0mm-2mm，可以使得第一泄压孔和第二泄压孔均距离出声孔较远位置，从而避免第一泄压孔和第二泄压孔输出的声音影响出声孔输出的声音在听音位置的音量。
12、在一些实施例中，第一泄压孔开设在壳体的上侧面，第二泄压孔开设在壳体的下侧面。
13、在一些实施例中，在佩戴状态下，出声孔的中心在矢状面的投影点距内侧面的下边界的1/3点在矢状面的投影点的距离与第二泄压孔的中心在矢状面的投影点距内侧面的下边界的1/3点在矢状面的投影点的距离之间的比值在0.65-1.05范围内，可以减弱第二泄压孔的声音通过泄漏结构(发声部与耳部之间形成的泄漏结构)传入腔体结构与出声孔的声音在耳道内的相消程度，同时，可以保证第二泄压孔输出的声音与出声孔经由泄漏结构(发声部与耳部之间形成的泄漏结构)泄漏的声音在远场的相消效果较强。
14、在一些实施例中，出声孔的中心与第一泄压孔的中心的连线与出声孔的中心与第二泄压孔的中心的连线之间的夹角在46.40°-114.04°范围内，可以使第一泄压孔或第二泄压孔与出声孔之间的距离保持在较大范围内。
15、在一些实施例中，出声孔的中心距第一泄压孔的中心的距离与出声孔的中心距第二泄压孔的中心的距离之间的比值在0.9-1.1范围内，可以减小泄压孔对出声孔处输出声音的影响。
16、在一些实施例中，出声孔的面积与第一泄压孔和第二泄压孔的总面积之间的比值在0.1-0.99范围内。
17、在一些实施例中，振膜将腔体分为分别与振膜前侧和后侧对应的前腔和后腔，其中，后腔的体积与前腔的体积之间的比值在0.1-10范围内。
18、在一些实施例中，振膜将腔体分为分别与振膜前侧和后侧对应的前腔和后腔，其中，前腔的谐振频率与后腔的谐振频率之间的比值在0.1-5范围内。
19、在一些实施例中，出声孔的面积与第一泄压孔和第二泄压孔的总面积之间的比值在1-10范围内。
20、在一些实施例中，振膜将腔体分为分别与振膜前侧和后侧对应的前腔和后腔，其中，后腔的体积与前腔的体积之间的比值在0.1-10范围内。
21、在一些实施例中，振膜将腔体分为分别与振膜前侧和后侧对应的前腔和后腔，其中，前腔的谐振频率与后腔的谐振频率之间的比值在0.5-10范围内。
22、在一些实施例中，出声孔处的声压与第一泄压孔处和第二泄压孔处的总声压之间的比值在0.4-0.6范围内，可以有效降低远场漏音。
23、在一些实施例中，第一泄压孔的面积与第二泄压孔的面积之差与出声孔的面积的比值在2.5-3.9范围内，可以在减小第二泄压孔的声压的情况下，保证第二泄压孔输出的声音与出声孔经由泄漏结构(发声部与耳部之间形成的泄漏结构)泄漏的声音在远场的相消效果，此外，还可以避免第一泄压孔处和第二泄压孔处的声阻差异影响破坏后腔中驻波的效果。
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1.一种耳机，包括：
2.根据权利要求1所述的耳机，其中，所述出声孔的中心与所述耳挂的上顶点之间的距离的范围为22.5mm-34.5mm，且所述第一泄压孔的中心距所述耳挂的上顶点的距离的范围为16.15mm-24.25mm。
3.根据权利要求1所述的耳机，其中，所述出声孔的中心距所述内侧面的上边界的中点的距离与所述第一泄压孔的中心距所述内侧面的上边界的中点的距离之间的比值在1.3-2.1范围内。
4.根据权利要求1或2所述的耳机，其中，所述第一泄压孔开设在所述壳体的上侧面或开设在所述壳体的外侧面。
5.根据权利要求1所述的耳机，其中，在佩戴状态下，所述出声孔的中心在矢状面的投影点距所述耳道的耳道口在所述矢状面的投影的形心的距离与所述第一泄压孔的中心在所述矢状面的投影点距所述耳道口在所述矢状面的投影的形心的距离的比值在0.10-0.35范围内。
6.根据权利要求1所述的耳机，其中，所述换能器还包括磁路组件，所述磁路组件用于提供磁场，所述出声孔的中心距所述磁路组件的长轴中心面的距离与所述第一泄压孔的中心距所述长轴中心面的距离
7.根据权利要求6所述的耳机，其中，所述出声孔的中心距所述磁路组件的底面的距离与所述第一泄压孔的中心距所述磁路组件的底面的距离之间的差值在3.65mm-7.05mm范围内。
8.根据权利要求1所述的耳机，其中，所述出声孔处和/或所述第一泄压孔处设置有声阻网，所述声阻网的厚度为40μm-150μm。
9.根据权利要求1所述的耳机，其中，所述壳体的外侧面、上侧面和下侧面中的一个或多个上还开设有第二泄压孔，所述第一泄压孔的面积大于所述第二泄压孔的面积。
10.根据权利要求9所述的耳机，其中，所述出声孔的中心距所述第一泄压孔的中心与所述第二泄压孔的中心的连线的中垂面的距离为0mm-2mm。
...【技术特征摘要】
1.一种耳机，包括：
2.根据权利要求1所述的耳机，其中，所述出声孔的中心与所述耳挂的上顶点之间的距离的范围为22.5mm-34.5mm，且所述第一泄压孔的中心距所述耳挂的上顶点的距离的范围为16.15mm-24.25mm。
3.根据权利要求1所述的耳机，其中，所述出声孔的中心距所述内侧面的上边界的中点的距离与所述第一泄压孔的中心距所述内侧面的上边界的中点的距离之间的比值在1.3-2.1范围内。
4.根据权利要求1或2所述的耳机，其中，所述第一泄压孔开设在所述壳体的上侧面或开设在所述壳体的外侧面。
5.根据权利要求1所述的耳机，其中，在佩戴状态下，所述出声孔的中心在矢状面的投影点距所述耳道的耳道口在所述矢状面的投影的形心的距离与所述第一泄压孔的中心在所述矢状面的投影点距所述耳道口在所述矢状面的投影的形心的距离的比值在0.10-0.35范围内。
6.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，童珮耕，解国林，李永坚，徐江，招涛，武多多，戢澳，齐心，
申请(专利权)人：深圳市韶音科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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