System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 氢负离子导体制造技术_技高网
当前位置: 首页 > 专利查询>AGC株式会社专利>正文

氢负离子导体制造技术

技术编号:40846886 阅读:5 留言:0更新日期:2024-04-01 15:15
一种氢负离子导体,通式由式(1)表示,MAMBH<subgt;4-x</subgt;F<subgt;x</subgt;(1),其中,MA选自Ca、Sr和Ba,MB选自Mg和Ca且与MA不同,0<x<4。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种氢负离子导体


技术介绍

1、由氢原子和2个电子构成的氢负离子(h-)具有比锂离子更轻量、离子半径与氟离子(f-)同等等诸多特征,在电化学上是非常有魅力的电荷载体。

2、例如,在燃料电池和二次电池等电化学装置中,利用氢负离子导体作为代替以往的质子(h+)和锂离子(li+)的离子导体时,有可能实现一种新型能源装置。

3、迄今为止,已经报告了一些显示出高离子传导率的氢负离子导体(例如,非专利文献1、2)。

4、现有技术文献

5、非专利文献

6、非专利文献1:keiga fukui,etal.,“characteristic fast h-ion conductionin oxygen-substituted lanthanum hysride”,nature communications,(2019)10:2578

7、非专利文献2:maarten c.verbraeken,etal.,“high h-ionic conductivity inbariumu hydride”,nature materials,vol.14,p.95-p.100,january,2015


技术实现思路

1、以往的氢负离子导体在稳定性的方面上存在问题。即,以往的氢负离子导体存在暴露于大气环境中时会急剧分解的问题。

2、因此,预测为了将氢负离子导体实际应用于电化学装置而需要一种在大气环境下稳定的氢负离子导体

3、本专利技术是鉴于这样的背景而完成的,本专利技术的目的在于提供一种在大气环境中更稳定的氢负离子导体。

4、本专利技术中,提供一种氢负离子导体,通式由式(1)表示,

5、mambh4-xfx(1)

6、这里,

7、ma选自ca、sr和ba,

8、mb选自mg和ca,且与ma不同,

9、0<x<4。

10、另外,本专利技术中,提供一种氢负离子导体,具有baznf4型结构,300℃下的传导率为10-5s/cm以上。

11、本专利技术中,能够提供一种在大气环境中更稳定的氢负离子导体。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氢负离子导体,由通式(1)表示,

2.一种氢负离子导体,具有BaZnF4型结构,300℃时的传导率为10-5S/cm以上。

3.根据权利要求1或2所述的氢负离子导体,其由通式SrMgH4-xFx或BaMgH4-xFx表示。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种氢负离子导体,由通式(1)表示,

2.一种氢负离子导体,具有baznf4型结构,300℃时的传导率为10-5...

【专利技术属性】
技术研发人员:目崎雄也户田喜丈山田耕太松井直喜姜珖中菅野了次
申请(专利权)人:AGC株式会社
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1