【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种制造配线基板的方法及配线基板。
技术介绍
1、为了满足电子机器的小型化、轻型化、高速化的要求，构成电子机器的配线基板需要具备具有微小宽度的配线。作为形成具有微小宽度的配线的方法，广泛利用半加成(sap)法及改质半加成(msap)法(专利文献1)。这些方法通常包括在金属层上通过电镀来形成镀铜层的工序。种子层通常在sap中通过无电镀来形成，在msap中通过铜箔的层叠来形成。
2、以往技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2004-6773号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术课题
2、在种子层上通过电镀来形成镀铜层的情况下，在种子层与镀铜层的界面附近的镀铜层内，有时观测到具有小于0.3μm的宽度的微小的黑色部分。推测该黑色部分为微小的空隙。由于为极其微小的空隙，因此不易影响配线本身的特性，但是随着配线宽度的进一步微小化，若微小的空隙多，则镀铜层与种子层的密合性有可能不足。
3、本专利技术的一方面涉及一种如下方法：在利用包括在种子层上通过电镀来形成镀铜层的步骤的方法来制造配线基板的情况下，抑制在种子层与镀铜层的界面附近产生微小的黑色部分。
4、用于解决技术课题的手段
5、本专利技术的一方面涉及以下内容。
6、[1]一种制造配线基板的方法，其依次包括：
7、在设置于支撑体上的包含金属的种子层上形成抗蚀剂层的步骤；
8、通过所述抗蚀剂层的
9、在露出于所述开口内的所述种子层上通过电镀来形成镀铜层的步骤，
10、所述种子层的与所述支撑体相反侧的表面的算术平均粗糙度ra为0.05μm以上且0.30μm以下。
11、[2]根据[1]所述的方法，其中，
12、该方法进一步包括在所述支撑体上通过无电镀设置所述种子层的步骤。
13、[3]根据[2]所述的方法，其中，
14、该方法进一步包括使所述支撑体的表面粗糙化的步骤，
15、所述种子层设置于所述支撑体的经粗糙化的所述表面上。
16、[4]根据[3]所述的方法，其中，
17、使所述支撑体的表面粗糙化，以使所述支撑体的表面的表面粗糙度ra成为0.05μm以上且0.30μm以下。
18、[5]根据[1]所述的方法，其中，
19、该方法进一步包括在所述支撑体上通过层叠金属箔而设置所述种子层的步骤。
20、[6]根据[1]至[5]中任一项所述的方法，其中，
21、所述种子层的厚度为200nm以上且1000nm以下。
22、[7]根据[1]至[6]中任一项所述的方法，其中，
23、曝光前的所述抗蚀剂层含有包含(甲基)丙烯酸作为单体单元的粘合剂聚合物。
24、[8]根据[7]所述的方法，其中，
25、所述粘合剂聚合物进一步包含(甲基)丙烯酸苄酯或其衍生物、或者苯乙烯或苯乙烯衍生物中的至少一者作为单体单元。
26、[9]根据[1]至[8]中任一项所述的方法，其中，
27、曝光前的所述抗蚀剂层包含染料。
28、[10]根据[1]至[9]中任一项所述的方法，其中，
29、所述种子层的与所述支撑体相反侧的表面的算术平均粗糙度ra在0.05μm以上且0.30μm以下的范围内进行调整，以使在所述种子层与所述镀铜层的界面附近的所述镀铜层内观测到的宽度小于0.3μm的黑色部分的数量在与所述支撑体的主面平行的方向上的每1μm宽度中成为9.0个以下。
30、[11]一种配线基板，其具备：
31、支撑体；及
32、配线，包括设置于所述支撑体上的包含金属的种子层及通过电镀而形成的镀铜层，
33、所述种子层的与所述支撑体相反侧的表面的算术平均粗糙度ra为0.05μm以上且0.30μm以下。
34、[12]根据[11]所述的配线基板，其中，
35、在所述种子层与所述镀铜层的界面附近的所述镀铜层内观测到的宽度小于0.3μm的黑色部分的数量在与所述支撑体的主面平行的方向上的每1μm宽度中为9.0个以下。
36、专利技术效果
37、根据本专利技术的一方面所涉及的方法，在利用包括在种子层上通过电镀来形成镀铜层的步骤的方法来制造配线基板的情况下，能够抑制在种子层与镀铜层的界面附近产生微小的黑色部分。本专利技术的一方面所涉及的配线基板的镀铜层与种子层的密合性可以良好。
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1.一种制造配线基板的方法，其依次包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，
3.根据权利要求2所述的方法，其中，
4.根据权利要求3所述的方法，其中，
5.根据权利要求1所述的方法，其中，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，
7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，
8.根据权利要求7所述的方法，其中，
9.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，
10.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，
11.一种配线基板，其具备：
12.根据权利要求11所述的配线基板，其中，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种制造配线基板的方法，其依次包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，
3.根据权利要求2所述的方法，其中，
4.根据权利要求3所述的方法，其中，
5.根据权利要求1所述的方法，其中，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，
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【专利技术属性】
技术研发人员：东之崎庆，满仓一行，鸟羽正也，岩下健一，小野敬司，成田真生，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：
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