基于特征模理论的双端口单辐射贴片天线平行极化解耦的设计方法技术

提供一种基于特征模理论的双端口单辐射贴片天线平行极化解耦的设计方法，其基于一种基于特征模理论的双端口单辐射贴片天线Ⅲ。天线Ⅲ通过天线Ⅰ、天线Ⅱ逐步演化递进获得。天线均包括一层损耗介质板及与其贴合的上层金属贴片和底层金属接地板；天线Ⅰ的上层金属贴片为一块矩形薄板；在天线Ⅰ的基础上在上层金属贴片的对边开两对槽形成天线Ⅱ；在天线Ⅱ上引入三组金属化过孔和一对馈电探针，形成天线Ⅲ。本发明专利技术将传统TM<subgt;10</subgt;和TM<subgt;11</subgt;模式重塑为具有相等谐振频率和模式电流强度、能够相消的一对奇偶模式，再引入合适的馈电位置，最终实现双端口单辐射贴片天线的解耦。该方法能够高效、可靠地设计双端口单辐射贴片解耦天线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及双端口单辐射贴片天线平行极化解耦领域，具体涉及一种基于特征模理论的双端口单辐射贴片天线平行极化解耦的设计方法。

技术介绍

1、多输入输出(mimo)天线系统中各单元端口之间的解耦是提高无线通信性能的关键。在有限的空间放置多天线单元的同时，维持天线单元之间的高隔离度和良好辐射性能是一个挑战。因此，在mimo天线中简单有效的解耦方法吸引了越来越多的关注。目前为止，大量形式多样、有趣的解耦技巧和方法被提出。从结构的角度来看，有两种主流的解耦思路。第一类就是引入解耦结构，2021年，pei等人提出一种基于相移概念的新型低剖面贴片天线阵解耦结构。研究两个贴片之间传输信号的相位，得到两个紧邻贴片天线在h面上的解耦条件，最后提出由半波微带线和短路针组成的解耦元件，有效抑制相邻贴片间的互耦(t.pei,l.zhu,j.wang and w.wu,ieee trans.antennas propag.,vol.69,no.10,pp.6145-6153,2021.)。另一类是通过合适的设计，不引入额外结构来进行解耦。比如自解耦天线，通过模式相消或者电感电容耦合本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.基于特征模理论的双端口单辐射贴片天线Ⅲ，天线Ⅲ通过天线Ⅰ、天线Ⅱ逐步演化递进获得，其特征在于，所述天线均包括一层损耗介质板及与其贴合的上层金属贴片和底层金属接地板，金属贴片、介质板和金属接地板均为矩形，且其中心在水平面上的投影重合，其长边、短边分别平行；

2.如权利要求1所述的基于特征模理论的双端口单辐射贴片天线Ⅲ，其特征在于，天线Ⅰ、天线Ⅱ、天线Ⅲ的上层金属贴片的长度Lp和宽度Wp范围分别为30-40mm和15-20mm；介质板和金属接地板的长度Lg范围为50-60mm，宽度Wg范围为40-50mm；介质板厚度h范围为2-3mm；介电常数选取范围为2.2-4.0范围内；...

【技术特征摘要】

1.基于特征模理论的双端口单辐射贴片天线ⅲ，天线ⅲ通过天线ⅰ、天线ⅱ逐步演化递进获得，其特征在于，所述天线均包括一层损耗介质板及与其贴合的上层金属贴片和底层金属接地板，金属贴片、介质板和金属接地板均为矩形，且其中心在水平面上的投影重合，其长边、短边分别平行；

2.如权利要求1所述的基于特征模理论的双端口单辐射贴片天线ⅲ，其特征在于，天线ⅰ、天线ⅱ、天线ⅲ的上层金属贴片的长度lp和宽度wp范围分别为30-40mm和15-20mm；介质板和金属接地板的长度lg范围为50-60mm，宽度wg范围为40-50mm；介质板厚度h范围为2-3mm；介电常数选取范围为2.2-4.0范围内；金属贴片及金属接地板厚度范围为0.02-0.04mm。...

【专利技术属性】
技术研发人员：高坤，周禹龙，李桐，杨欢欢，郭泽旭，曹祥玉，
申请(专利权)人：中国人民解放军空军工程大学，
类型：发明
国别省市：