【技术实现步骤摘要】
本申请涉及伺服驱动电路，具体是一种基于单相全桥驱动芯片驱动桥臂组的低压伺服驱动电路。
技术介绍
1、近年来，低压伺服驱动器(dc100v以下)广泛应用于agv物流小车、医疗设备、机器人等自动化领域，是现代化工业、服务业脱离市电向自动发展的重要的组成部分，一般说来低压伺服驱动器由以下几个部分组成：电源模块、dsp、fpga、相电流检测模块、整线电流检测模块，电压检测模块，驱动mos模块。
2、但是在现在的低压伺服驱动器，一般都是低电流为主(连续电流20a以下)当应用高负载大电流(大于100a)，单相用一个全桥驱动一组桥臂(由一对mosfet组成)对mosfet电流要求高，且mosfet存在难采购、体积大、成本贵等问题。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种基于单相全桥驱动芯片驱动桥臂组的低压伺服驱动电路，以解决上述
技术介绍
中提出的技术问题。
2、为实现上述目的，本申请公开了以下技术方案：一种基于单相全桥驱动芯片驱动桥臂组的低压伺服驱动电路，包括自举电路、驱动芯片u1、上桥驱动电路和下桥驱动电路；
3、所述驱动芯片的vcc脚连接+12v输入电压，所述驱动芯片的com脚接地；
4、所述自举电路包括电阻r1、二极管d1和自举电容c3，所述电阻r1的第一脚连接+12v输入电压，所述电阻r1的第二脚与所述二极管d1的正极连接，所述二极管d1的负极与所述自举电容c3的第一脚和所述驱动芯片u1的vb脚连接，所述自举电容c3的第二脚与所述驱动芯片
5、所述上桥驱动电路与所述驱动芯片u1的ho脚连接，所述下桥驱动电路与所述驱动芯片u1的lo脚连接；
6、所述上桥驱动电路包括n沟道增强型mos管q2、n沟道增强型mos管q4n沟道增强型mos管q6，所述n沟道增强型mos管q2、所述n沟道增强型mos管q4、所述n沟道增强型mos管q6并联设置；所述下桥驱动电路包括n沟道增强型mos管q1、n沟道增强型mos管q3和n沟道增强型mos管q5，所述n沟道增强型mos管q1、所述n沟道增强型mos管q3和所述n沟道增强型mos管q5并联设置；所述n沟道增强型mos管q1的漏极与所述n沟道增强型mos管q2的源极连接，所述n沟道增强型mos管q3的漏极与所述n沟道增强型mos管q4的源极连接，所述n沟道增强型mos管q5的漏极与所述所述n沟道增强型mos管q6的源极连接，所述自举电容c3的第二脚与所述n沟道增强型mos管q1的漏极、所述n沟道增强型mos管q4的漏极和所述n沟道增强型mos管q5的漏极连接。
7、一种实施方式中，所述驱动芯片u1的hin脚连接有上桥驱动pwm信号端m1_sig_h，所述驱动芯片u1的lin脚连接有下桥驱动pwm信号端m1_sig_l。
8、一种实施方式中，所述驱动芯片u1的hin脚连接有接地电容rn1-c，所述驱动芯片u1的lin脚连接有接地电容rn2-c。
9、一种实施方式中，所述驱动芯片u1的gnd脚接地，
10、一种实施方式中，所述n沟道增强型mos管q2的栅极与电阻r2的第一脚连接，所述电阻r2的第二脚与所述驱动芯片u1的ho脚连接，所述电阻r2的第一脚还与电阻r4的第一脚连接，所述电阻r4的第二脚与二极管d2的正极连接，所述二极管d2的负极与所述驱动芯片u1的ho脚连接；所述n沟道增强型mos管q2的漏极与电压端+v_mot连接；
11、所述n沟道增强型mos管q4的栅极与电阻r7的第一脚连接，所述电阻r7的第二脚与所述驱动芯片u1的ho脚连接，所述电阻r7的第一脚还与电阻r5的第一脚连接，所述电阻r5的第二脚与所述二极管d2的正极连接；所述n沟道增强型mos管q4的漏极与所述伺服驱动正电压端连接；
12、所述n沟道增强型mos管q6的栅极与电阻r8的第一脚连接，所述电阻r8的第二脚与所述驱动芯片u1的ho脚连接，所述电阻r8的第一脚还与电阻r6的第一脚连接，所述电阻r6的第二脚与所述二极管d2的正极连接；所述n沟道增强型mos管q6的漏极与所述伺服驱动正电压端连接。
13、一种实施方式中，所述n沟道增强型mos管q1的栅极与电阻r3的第一脚连接，所述电阻r3的第二脚与所述驱动芯片u1的lo脚连接，所述电阻r3的第一脚还与电阻r9的第一脚连接，所述电阻r9的第二脚与二极管d3的正极连接，所述二极管d3的负极与所述驱动芯片u1的ho脚连接；所述n沟道增强型mos管q1的源极连接接地电阻r14；所述n沟道增强型mos管q1的源极与电阻r17的第一脚连接，所述电阻r17的第一脚连接有正分流输出端m1_shunt+，所述电阻r17的第二脚连接有负分流输出端m1_shunt-，且所述电阻r17的第二脚接地；
14、所述n沟道增强型mos管q3的栅极与电阻r12的第一脚连接，所述电阻r12的第二脚与所述驱动芯片u1的lo脚连接，所述电阻r12的第一脚还与电阻r10的第一脚连接，所述电阻r10的第二脚与所述二极管d3的正极连接；所述n沟道增强型mos管q3的源极连接有接地电阻r15；所述n沟道增强型mos管q3的源极与所述电阻r17的第一脚连接；
15、所述n沟道增强型mos管q5的栅极与电阻r13的第一脚连接，所述电阻r13的第二脚与所述驱动芯片u1的lo脚连接，所述电阻r13的第一脚还与电阻r11的第一脚连接，所述电阻r11的第二脚与所述二极管d3的正极连接；所述n沟道增强型mos管q5的源极连接有接地电阻r16；所述n沟道增强型mos管q5的源极与所述电阻r17的第一脚连接。
16、一种实施方式中，所述驱动芯片的型号为irs21867strpbf。
17、有益效果：本申请的基于单相全桥驱动芯片驱动桥臂组的低压伺服驱动电路，提供了解决使用单个全桥驱动多对mosfet(上下桥)的方法，具体的，当驱动芯片u1的上桥信号端ho输出高电平，下桥信号端lo输出低电平时，上桥驱动电路的n沟道增强型mos管导通，下桥驱动电路的n沟道增强型mos管q截止，在电机和负载需要大电流时，能够实现通过上桥驱动电路中导通的n沟道增强型mos管导通对电流进行均分担，当驱动芯片u1的上桥信号端ho输出低电平，下桥信号端lo输出高电平时，则由下桥驱动电路中导通的n沟道增强型mos管导通对电流进行均分担。
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1.一种基于单相全桥驱动芯片驱动桥臂组的低压伺服驱动电路，其特征在于，包括自举电路、驱动芯片U1、上桥驱动电路和下桥驱动电路；
2.根据权利要求1所述的基于单相全桥驱动芯片驱动桥臂组的低压伺服驱动电路，其特征在于，所述驱动芯片U1的HIN脚连接有上桥驱动PWM信号端M1_SIG_H，所述驱动芯片U1的LIN脚连接有下桥驱动PWM信号端M1_SIG_L。
3.根据权利要求2所述的基于单相全桥驱动芯片驱动桥臂组的低压伺服驱动电路，其特征在于，所述驱动芯片U1的HIN脚连接有接地电容RN1-C，所述驱动芯片U1的LIN脚连接有接地电容RN2-C。
4.根据权利要求1所述的基于单相全桥驱动芯片驱动桥臂组的低压伺服驱动电路，其特征在于，所述驱动芯片U1的GND脚接地。
5.根据权利要求1所述的基于单相全桥驱动芯片驱动桥臂组的低压伺服驱动电路，其特征在于，所述N沟道增强型MOS管Q2的栅极与电阻R2的第一脚连接，所述电阻R2的第二脚与所述驱动芯片U1的HO脚连接，所述电阻R2的第一脚还与电阻R4的第一脚连接，所述电阻R4的第二脚与二极管D2的正
6.根据权利要求1或5任一项所述的基于单相全桥驱动芯片驱动桥臂组的低压伺服驱动电路，其特征在于，所述N沟道增强型MOS管Q1的栅极与电阻R3的第一脚连接，所述电阻R3的第二脚与所述驱动芯片U1的LO脚连接，所述电阻R3的第一脚还与电阻R9的第一脚连接，所述电阻R9的第二脚与二极管D3的正极连接，所述二极管D3的负极与所述驱动芯片U1的HO脚连接；所述N沟道增强型MOS管Q1的源极连接接地电阻R14；所述N沟道增强型MOS管Q1的源极与电阻R17的第一脚连接，所述电阻R17的第一脚连接有正分流输出端M1_SHUNT+，所述电阻R17的第二脚连接有负分流输出端M1_SHUNT-，且所述电阻R17的第二脚接地；
7.根据权利要求1所述的基于单相全桥驱动芯片驱动桥臂组的低压伺服驱动电路，其特征在于，所述驱动芯片的型号为IRS21867STRPBF。
...【技术特征摘要】
1.一种基于单相全桥驱动芯片驱动桥臂组的低压伺服驱动电路，其特征在于，包括自举电路、驱动芯片u1、上桥驱动电路和下桥驱动电路；
2.根据权利要求1所述的基于单相全桥驱动芯片驱动桥臂组的低压伺服驱动电路，其特征在于，所述驱动芯片u1的hin脚连接有上桥驱动pwm信号端m1_sig_h，所述驱动芯片u1的lin脚连接有下桥驱动pwm信号端m1_sig_l。
3.根据权利要求2所述的基于单相全桥驱动芯片驱动桥臂组的低压伺服驱动电路，其特征在于，所述驱动芯片u1的hin脚连接有接地电容rn1-c，所述驱动芯片u1的lin脚连接有接地电容rn2-c。
4.根据权利要求1所述的基于单相全桥驱动芯片驱动桥臂组的低压伺服驱动电路，其特征在于，所述驱动芯片u1的gnd脚接地。
5.根据权利要求1所述的基于单相全桥驱动芯片驱动桥臂组的低压伺服驱动电路，其特征在于，所述n沟道增强型mos管q2的栅极与电阻r2的第一脚连接，所述电阻r2的第二脚与所述驱动芯片u1的ho脚连接，所述电阻r2的第一脚还与电阻r4的...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈万楷，余声望，孟聪，欧阳平，
申请(专利权)人：苏州之行控智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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