【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磁传感器。
技术介绍
1、专利文献1中公开了一种磁阻抗效应元件，其具备：感磁部，其由多个软磁体膜形成，并且被赋予了单轴各向异性；和磁轭部，其由软磁体膜形成，并且将磁通诱导至感磁部。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2008-249406号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、对于使用了通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件的磁传感器，要求对磁场变化的灵敏度高。
3、本专利技术的目的在于提高利用了磁阻抗效应的磁传感器的灵敏度。
4、用于解决课题的手段
5、根据本专利技术，可提供下述(1)～(6)涉及的专利技术。
6、(1)磁传感器，其具备：
7、感应元件(感应元件31)，所述感应元件包含软磁体，并且，所述感应元件具有长边方向和短边方向，在与该长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场；
8、突出部(突出部40)，所述突出部包含软磁体，并且从前述感应元件中的前述长边方向的端部沿着该长边方向突出；和
9、诱导构件(第1诱导构件51、第2诱导构件52)，所述诱导构件与前述突出部相对地设置，并且，所述诱导构件由软磁体形成，并向该突出部诱导磁感线。
10、(2)如(1)所述的磁传感器，其特征在于，前述诱导构件以与前述突出部重叠的方式设置。
11、(3)如(2)所述的磁传
12、(4)如(2)或(3)中任一项所述的磁传感器，其特征在于，前述诱导构件的前述长边方向的端部较之前述突出部而言在该长边方向上伸出。
13、(5)如(1)～(4)中任一项所述的磁传感器，其特征在于，具备：
14、沿着前述短边方向排列的多个前述感应元件；和
15、从各个前述感应元件中的前述长边方向的端部沿着该长边方向突出的多个前述突出部，
16、前述诱导构件与多个前述突出部相对地设置。
17、(6)如(1)～(5)中任一项所述的磁传感器，其特征在于，前述诱导构件包含磁导率比前述感应元件中所含的软磁体高的软磁体。
18、专利技术效果
19、根据本专利技术，能够提高利用了磁阻抗效应的磁传感器的灵敏度。
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1.磁传感器，其具备：
2.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述诱导构件以与所述突出部重叠的方式设置。
3.如权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，所述诱导构件与所述突出部重叠的区域的所述长边方向的长度为该突出部的该长边方向的长度的10％以上100％以下。
4.如权利要求2或3中任一项所述的磁传感器，其特征在于，所述诱导构件的所述长边方向的端部较之所述突出部而言在该长边方向上伸出。
5.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，具备：
6.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述诱导构件包含磁导率比所述感应元件中所含的软磁体高的软磁体。
【技术特征摘要】
1.磁传感器，其具备：
2.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述诱导构件以与所述突出部重叠的方式设置。
3.如权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，所述诱导构件与所述突出部重叠的区域的所述长边方向的长度为该突出部的该长边方向的长度的10％以上100％以下。
4....
【专利技术属性】
技术研发人员：远藤大三，富田浩幸，利根川翔，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：
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