【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于连接微光刻成像装置的部件的连接装置，该微光刻成像装置适于使用紫外光，特别是极紫外(euv)范围内的光。此外，本专利技术涉及一种包括这种连接装置的光学成像装置。本专利技术可以与任何期望的光学成像方法结合使用。本专利技术可以特别有利地用于生产或检查微电子电路以及用于微电子电路(例如光学掩模)的光学元件。
技术介绍
1、与微电子电路的生产结合使用的光学装置通常包括多个光学元件单元，这些光学元件单元包括一个或多个光学元件，例如透镜元件、反射镜或光栅，这些光学元件布置在成像光路中。所述光学元件通常在成像过程中协作，以便将物体的像(例如形成在掩模上的图案)转印到衬底(例如所谓的晶片)上。光学元件通常组合为一个或多个功能组，这些功能组可选地保持在单独的成像单元中。特别是在以所谓的真空紫外范围内的波长(vuv，例如193nm的波长)工作的主要为折射的系统的情况下，这种成像单元通常由保持一个或多个光学元件的光学模块的堆叠形成。所述光学模块通常包括支撑结构，该支撑结构具有基本上环形的外部支撑单元，该外部支撑单元支撑一个或多个光学元件保持器，该光学元件保持器又支撑光学元件。
2、不断发展的半导体部件微型化导致了对用于其生产的光学系统分辨率的不断提高的需求。这种提高分辨率的需求必然要求提高光学系统的数值孔径(na)和成像精度。
3、一种提高光学分辨率的方法是减小成像过程中使用的光的波长。近年来的趋势越来越多地促进了使用所谓的极紫外(euv)范围内的光的系统的发展，euv范围内的光的波长通常为5nm至20nm
4、这种向在euv范围内具有高数值孔径(例如na>0.4)的纯反射光学系统的转变导致了关于成像装置设计的相当大的挑战。
5、上述因素导致对参与成像的光学元件相对于彼此的位置和/或方向以及单个光学元件的变形有非常严格的要求，以便实现期望的成像精度。此外，有必要在整个操作过程中、最终在系统的整个寿命期间保持这种高成像精度。
6、因此，在成像期间协作的光学成像装置的部件(即，例如照明装置的光学元件、掩模、投射装置的光学元件和衬底)必须以明确的方式被支撑，以便保持这些部件之间的给定的明确的空间关系，并获得这些部件的最小的不期望的变形，从而最终实现最高可能的成像质量。
7、这里出现的一个问题是成像装置中各个部件的不同热膨胀系数导致的不期望的热致变形。这些不期望的热致变形通常是由成像光的能量输入引起的，这可能无法通过冷却系统完全补偿。所使用的光学元件通常由这里具有特别低的热膨胀系数的材料制成，以保持能量输入对光学元件几何形状的影响尽可能低。光学元件与相邻支撑结构的界面在这里通常是有问题的，因为支撑结构、尤其是其在与光学元件的界面区域中的部件不能由热膨胀系数相对较低的材料制造，或者至少在经济上不可行。
8、为此，例如从us2005/046815 a1(ebinuma等人，其全部公开内容通过引用并入于此)中已知的，通过弹性变形来吸收这种不同的热致膨胀的补偿元件通常设置在光学元件与相邻支撑结构的界面区域中。然而，在此，弹性恢复力仍然被引入到光学元件中，并且这些弹性恢复力导致不期望的寄生应力和由此产生的变形。
技术实现思路
1、因此，本专利技术的目的是提供一种用于连接微光刻成像装置的部件的连接装置和具有这种装置的相应光学成像装置、一种用于连接成像装置的部件的方法、以及一种光学成像方法，它们没有上述缺点，或者至少在较小程度上具有这些缺点，并且特别容易地至少减少成像装置的部件的不期望的热致寄生变形。
2、本专利技术利用独立权利要求的特征实现了这个目的。
3、本专利技术基于如下技术教导：如果两个部件经由具有两个接触部分和中间耦接部分的连接装置连接，则可以容易地至少减少、甚至可能完全避免成像装置的部件的不期望的热致寄生变形，使得耦接部分两端之间的距离的热致变化在两个接触部分之间引起补偿运动，该补偿运动横向于耦接部分并且至少部分地补偿接触部分的区域中耦接的部件之间的距离的热致变化。
4、在该过程中能够以简单的方式实现的是，在(正的或负的)热膨胀的情况下，相应的接触部分和被接触部件之间的接触力具有可预定的分布。在该过程中，相应的接触力可以在特定的公差范围内保持几乎恒定，就像也可以获得确定的接触力曲线一样。例如，因此在不同热状态之间提供相应接触力的特定增加或减少可能是有利的。
5、两个接触部分之间的补偿运动可以通过由耦接部分两端之间的距离变化引起的耦接部分的变形来实现。在这种情况下，补偿运动可以容易地由耦接部分的几何形状和材料特性来定义。特别地，耦接部分的固有热膨胀可以用作影响因素。自然地，由接触力导致的耦接部分的变形同样也可以作为影响因素来使用或考虑。
6、根据一个方面，本专利技术因此涉及一种用于通过具有第一接触部分、第二接触部分和耦接部分的连接单元来连接微光刻成像装置的第一部件和第二部件的连接装置，特别是用于使用极紫外(euv)范围内的光的微光刻成像装置。第一接触部分被配置成在组装状态下接触第一部件，而第二接触部分被配置成在组装状态下接触第二部件。第一接触部分包括第一耦接区域和第二耦接区域，第二耦接区域在第一方向上与第一耦接区域相距一耦接区域距离。耦接部分具有第一端和相对的第二端，其中耦接部分至少在组装状态下通过耦接部分的第一端连接至第一耦接区域并且所述耦接部分的第二端连接至第二耦接区域而将第一接触部分和第二接触部分耦接在一起。耦接部分至少在组装状态下在第一端和第二端之间连接至第二接触部分。第一接触部分和/或耦接部分还被设计成在组装状态下，特别是在由热膨胀引起的、随着耦接区域距离的增加而从第一状态到第二状态的状态变化的情况下，将沿着第二方向的运动分量施加到第二接触部分上，其中第二方向横穿第一方向。
7、原则上，连接单元以及第一和第二部件可以以任何合适的方式彼此布置，以便获得期望的连接。在特别简单和有利的变型中，连接单元被设计成在组装状态下布置在第一部件和第二部件之间的中间空间中，其中第一部件尤其可以具有比第二部件更大的热膨胀系数。
8、在这种情况下，当状态从第一状态变为第二状态时，中间空间可能减小，并且第二接触部分在第二方向上的运动分量指向第一部件，以便获得期望的补偿运动。当第一部件位于第二部件的凹部中时，产生特别有利和紧凑的设计。
9、替代地，当状态从第一状态变为第二状态时，中间空间可以增大，并且第二接触部分的与第二方向相反的运动分量可以指向远离第一部件的方向，以便实现期望的补偿运动。在此，当第二部件位于第一部件的凹部中时，也产生特别有利和紧凑的设计。
10、原则上，耦接部分可以以适于实现所述补偿运动的期望方式设计。例如，耦接本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于通过连接单元(110；210；310；410)连接微光刻成像装置(101)的第一部件(104.2；304.2)和第二部件(M3)的连接装置，特别是用于使用极紫外(EUV)范围内的光的微光刻成像装置(101)，所述连接装置具有：
2.根据权利要求1所述的连接装置，
3.根据权利要求1或2所述的连接装置，其中，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的连接装置，其中，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的连接装置，其中，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的连接装置，其中，
7.根据权利要求6所述的连接装置，其中，
8.根据权利要求7所述的连接装置，其中，
9.根据权利要求1至5中任一项所述的连接装置，其中，
10.根据权利要求9所述的连接装置，其中，
11.根据权利要求1至10中任一项所述的连接装置，其中，
12.根据权利要求1至11中任一项所述的连接装置，其中，
13.根据权利要求1至12中任一项所述的连接装置，其中，
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