【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电容测量,具体涉及一种自补偿寄生电容的电桥电容测量电路、装置及方法。
技术介绍
1、随着科技的迅猛发展,各行各业对电容检测的精度、灵敏度、分辨率以及测量范围等提出了更高的要求,因此各国研究学者或计量测试部门纷纷投入了大量的精力和人力,旨在研究出一种测量范围广、精度高、分辨率高的电容检测电路;对于宏观系统,可以采用直接测量的方式估算出系统内部寄生电容的大小,但是对于mems器件而言,mems器件是在硅等半导体基底材料上制作而成的微小结构腔体,其寄生电容主要来源于功能电极到其相邻的微观结构和基底,而且mems往往具有不同的微观结构,从而导致mems器件的寄生电容难以测量或者计算。
2、为了解决或减少寄生电容的问题,有人提出通过适当的电路调节手段来补偿或减弱寄生电容的影响,然而,目前提出的调节技术,需要手动校准或预设一些参数,以适应不同的工作条件和寄生电容情况,随着装置的工作环境变化,导致设置的参数失效,仍需要再次进行手动校准,因此,为了更好地补偿不同工作条件下的寄生电容影响,亟需一种可以自动补偿寄生电容的电容测量装
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【技术保护点】
1.一种自补偿寄生电容的电桥电容测量装置,其特征在于,包括核心控制器(1)、采集模块(2)、PI控制模块(3)、测量电路(4)、PC上位机(5)和电源模块(6),所述采集模块(2)的输入端与测量电路(4)的输出端连接,所述采集模块(2)的输出端与FPGA的IO口连接;
2.根据权利要求1所述的一种自补偿寄生电容的电桥电容测量装置,其特征在于,所述核心控制器(1)对采集模块(2)的连接,主要是通过走线连接采集模块(2)的时钟和并行数据线,所述核心控制器(1)与PC上位机(5)进行串口通信时,需要先在FPGA内部构建UART通信块,然后通过FPGA的IO口连接
...【技术特征摘要】
1.一种自补偿寄生电容的电桥电容测量装置,其特征在于,包括核心控制器(1)、采集模块(2)、pi控制模块(3)、测量电路(4)、pc上位机(5)和电源模块(6),所述采集模块(2)的输入端与测量电路(4)的输出端连接,所述采集模块(2)的输出端与fpga的io口连接;
2.根据权利要求1所述的一种自补偿寄生电容的电桥电容测量装置,其特征在于,所述核心控制器(1)对采集模块(2)的连接,主要是通过走线连接采集模块(2)的时钟和并行数据线,所述核心控制器(1)与pc上位机(5)进行串口通信时,需要先在fpga内部构建uart通信块,然后通过fpga的io口连接pc上位机(5)。
3.根据权利要求2所述的一种自补偿寄生电容的电桥电容测量装置,其特征在于,所述核心控制器(1)对pi控制模块(3)时序控制时,首先fpga内部构建pi控制块,然后通过fpga的io连接可编程数字电容,完成可编程数字电容的pi控制。
4.一种自补偿寄生电容的电桥电容测量电路,其特征在于,使用了权利要求1-3中任一项所述的一种自补偿寄生电容的电桥电容测量装置,包括紧耦合电桥、反向器a1、可编程电容器ct、放大器a2和滤波器a3,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:马晗旭,丁瑞尧,王谋赏,冷爽,许鹏源,黄钰淋,许博睿,许博文,
申请(专利权)人:安徽大学,
类型:发明
国别省市:
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