多赫蒂放大电路制造技术

技术编号：40826967 阅读：3 留言：0更新日期：2024-04-01 14:48

本发明专利技术提供一种多赫蒂放大电路，抑制特性的变化。多赫蒂放大电路包括：载波放大器，其包括一个或多个放大器；以及峰值放大器，其包括一个或多个放大器。至少一个放大器包括：晶体管，其基极或栅极被输入高频信号和变化的偏置电压或偏置电流，从集电极或漏极输出放大后的高频信号；以及反馈电路，其将基于放大后的高频信号的电压或电流提供给晶体管的基极或栅极、或者发射极或源极。

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【技术实现步骤摘要】

本公开涉及多赫蒂(doherty)放大电路。

技术介绍

1、在专利文献1中记载了一种使峰值放大器的偏置点变化的多赫蒂放大电路。峰值放大器在使偏置点变化时，能够控制增益。

2、在先技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：美国专利申请公开第2019/0149099号说明书

技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、发射极接地放大器在偏置点变化时，输入阻抗、通过相位特性有时变化较大。该发射极接地放大器的特性的变化有时对多赫蒂放大电路的载波放大器及峰值放大器的通过相位特性造成影响。多赫蒂放大电路的载波放大器及峰值放大器的通过相位特性的相关性是重要的，期望载波放大器及峰值放大器的通过相位特性不变化。因此，多赫蒂放大电路由于上述的发射极接地放大器的特性的变化，结果有时得不到良好的特性(高频输出信号失真)。

3、本公开是鉴于上述而完成的，其目的在于抑制特性的变化。

4、用于解决问题的手段

5、本公开的一方面的多赫蒂放大电路包括：载波放大器，其包括一个或多个放大器；以及峰值放大器，其包括一个或多个放大器。至少一个放大器包括：晶体管，其基极或栅极被输入高频信号和变化的偏置电压或偏置电流，从集电极或漏极输出放大后的高频信号；以及反馈电路，其将基于放大后的高频信号的电压或电流提供给晶体管的基极或栅极、或者发射极或源极。

6、专利技术效果

7、根据本公开，能够抑制特性的变化。

【技术保护点】

1.一种多赫蒂放大电路，包括：

2.根据权利要求1所述的多赫蒂放大电路，其中，

3.根据权利要求2所述的多赫蒂放大电路，其中，

4.根据权利要求3所述的多赫蒂放大电路，其中，

5.根据权利要求4所述的多赫蒂放大电路，其中，

6.根据权利要求1所述的多赫蒂放大电路，其中，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的多赫蒂放大电路，其中，

【技术特征摘要】

1.一种多赫蒂放大电路，包括：

2.根据权利要求1所述的多赫蒂放大电路，其中，

3.根据权利要求2所述的多赫蒂放大电路，其中，

4.根据权利要求3所述的多赫蒂放大电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：今井翔平，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：

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