一种双脉冲测试负压驱动电路制造技术

本发明专利技术公开一种双脉冲测试负压驱动电路，包括：位于信号发生器和直流电源之间的待测的功率半导体元件，所述信号发生器与驱动电流放大器相连，所述驱动电流放大器包括：电源正端口、电源负端口和输出端口，所述电源正端口与低压直流电源的正极串联，所述电源负端口经过稳压二极管串联连接到所述功率半导体元件的发射极，所述输出端口经过第一电阻串联连接到所述功率半导体元件的栅极；所述低压直流电源的正极经过第一二极管和第二电阻串联连接到所述稳压二极管的负极，并同时与所述驱动电流放大器的所述电源正端口串联连接，在所述稳压二极管的两端并联有电容。经本申请实现减少了外围设备的数量，且能真实反映负压驱动在系统运用中的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及负压驱动功能的测试电路，特别是涉及一种双脉冲测试负压驱动电路。

技术介绍

1、igbt、mos、sicmos等功率半导体元件的双脉冲测试，需要负压驱动功能的测试电路。

2、目前功率半导体器件的双脉冲测试在关断驱动过程中，有三种关断方式。第一种是通过电压下拉成低电平，第二种是将电压下拉成负电压，最后一种是用变压器驱动。后两种方式可靠性最高，能确保可靠关断。但是，后两种方式都要设计专门的负压电源。现有技术是通过增加一个dc电源，来实现负压驱动。现有技术中使用了多个电源设备，且不能反映系统应用中负压驱动的真实效果。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种双脉冲测试负压驱动电路，其目的在于简化实验平台搭建，且能真实反映系统应用现象。

2、为实现上述技术目的，本专利技术提供一种双脉冲测试负压驱动电路，其包括：位于信号发生器和直流电源之间的待测的功率半导体元件，其中：所述信号发生器与驱动电流放大器相连，所述驱动电流放大器包括：电源正端口、电源负端口和输出端口，所述电源正端口与低本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双脉冲测试负压驱动电路，其包括：位于信号发生器（1）和直流电源（2）之间的待测的功率半导体元件（Q1），其特征在于：

2.根据权利要求1所述的一种双脉冲测试负压驱动电路，其特征在于：所述功率半导体元件（Q1）的发射极与保护地（PGND）串联连接并与所述直流电源（2）的负极串联连接，所述功率半导体元件（Q1）的集电极经过第二二极管（D2）的正极串联连接到所述直流电源（2）的正极，所述低压直流电源（4）的负极与信号地（SGND）串联连接。

3.根据权利要求2所述的一种双脉冲测试负压驱动电路，其特征在于：所述功率半导体元件（Q1）的所述栅极经过所述第一电阻（R1...

【技术特征摘要】

1.一种双脉冲测试负压驱动电路，其包括：位于信号发生器（1）和直流电源（2）之间的待测的功率半导体元件（q1），其特征在于：

2.根据权利要求1所述的一种双脉冲测试负压驱动电路，其特征在于：所述功率半导体元件（q1）的发射极与保护地（pgnd）串联连接并与所述直流电源（2）的负极串联连接，所述功率半导体元件（q1）的集电极经过第二二极管（d2）的正极串联连接到所述直流电源（2）的正极，所述低压直流电源（4）的负极与信号地（sgnd）串联连接。

3.根据权利要求2所述的一种双脉冲测试负压驱动电路，其特征在于：所述功率半导体元件（q1）的所述栅极经过所述第一电阻（r1）与所述驱动电流放大器（3）的所述输出端口串联连接。

4.根据权利要求3所述的一种双脉冲测试负压驱动电路，其特征在于：在所述第二二极管（d2）的两端并联电感（l1）。

5.根据权利要求4所述的一种双脉冲测试负压驱动电路，其特征在于：所述功率半导体元件（q1）为igbt、mos和sicmos中的之一。

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘家晨，郑辉，王彬，
申请(专利权)人：上海鼎阳通半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：