一种5G陶瓷介质滤波器材料及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种5G陶瓷介质滤波器材料的制备方法，所述方法包括以下步骤：S1、对陶瓷基体表面进行进行喷砂或磨抛处理，随后将处理后的陶瓷基体浸入有机溶剂进行超声波清洗，将清洗后的陶瓷基体烘干；S2、通过高能脉冲离子注入法，采用第一金属靶，将第一金属离子注入步骤S1处理后的陶瓷基体表面上，形成过渡层；S3、通过磁过滤阴极真空弧沉积，采用第二金属靶，在步骤S2制备的过渡层上沉积第二金属，形成连接层；S4、通过多弧离子镀法，采用第三金属靶，在步骤S3制备的连接层上沉积第三金属，形成表面金属层，得到滤波器膜层材料。本发明专利技术膜层材料的制备方法得到了高致密性，低粗糙度，厚度均一性的高金属化银层，使得基底陶瓷层与金属膜银层的结合力好，插损低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于陶瓷材料制备，具体涉及一种5g陶瓷介质滤波器膜层材料及其制备方法。

技术介绍

1、基站滤波器作为射频器件重要组成部分，主要工作原理是使发送和接收信号中特定的频率成分通过，并极大地衰减其它频率成分。5g时代受限于massivemimo对大规模天线集成化的要求，滤波器更加小型化和集成化，与金属腔体滤波器相比，陶瓷滤波器具备尺寸小、高q值、高稳定性和低成本等特点逐渐成为市场主流。

2、5g陶瓷介质滤波器是由金属钙镁钛等金属氧化物材料制成的，把这种陶瓷材料制成片状，两面涂银作为电极，经过直流高压极化后就具有压电效应。起滤波的作用，具有稳定、抗干扰性能良好的特点，广泛应用于5g基站、电视机、录像机、收音机等各种电子产品中作射频元件。它具有性能稳定、无需调整、价格低等优点，取代了传统的lc滤波网络。

3、目前，陶瓷介质滤波器的基体上覆银金属化方法主要是导电银浆浸银工艺。传统导电银浆浸银工艺会导致表面银层涂敷厚度不均匀不光滑，有效导电率低，影响滤波器的插损性能。

4、虽然目前已经有相关技术处理此类问题，但这些技术中仍存在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种5G陶瓷介质滤波器材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的5G陶瓷介质滤波器材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中的有机溶剂为乙醇，超声清洗的时间为20-30min。

3.根据权利要求1所述的5G陶瓷介质滤波器材料的制备方法，其特征在于，所述S1步骤中烘干温度为150～300℃，时间为10-15min。

4.根据权利要求1所述的5G陶瓷介质滤波器材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中高能脉冲离子注入时，其中陶瓷基体的转速为5-10r/min，注入第一金属源的触发频率1-10hz，注入电压为6-8KV，...

【技术特征摘要】

1.一种5g陶瓷介质滤波器材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的5g陶瓷介质滤波器材料的制备方法，其特征在于，所述步骤s1中的有机溶剂为乙醇，超声清洗的时间为20-30min。

3.根据权利要求1所述的5g陶瓷介质滤波器材料的制备方法，其特征在于，所述s1步骤中烘干温度为150～300℃，时间为10-15min。

4.根据权利要求1所述的5g陶瓷介质滤波器材料的制备方法，其特征在于，所述步骤s2中高能脉冲离子注入时，其中陶瓷基体的转速为5-10r/min，注入第一金属源的触发频率1-10hz，注入电压为6-8kv，弧压为60-90v，束流为5-8ma，注入时间为20-40min。

5.根据权利要求1所述的5g陶瓷介质滤波器材料的制备方法，其特征在于，所述步骤s3中磁过滤阴极真空弧沉积时，其中陶瓷基体的转速为5-10r/min，偏压为100v-800v，占空比为10％-...

【专利技术属性】
技术研发人员：段涛，张弘毅，权亚彤，罗军，王国梁，
申请(专利权)人：广东省广新离子束科技有限公司，
类型：发明
国别省市：