【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光二极管器件领域，具体涉及一种深蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法。
技术介绍
1、金属卤化钙钛矿由于具有优异的光电性能，如高电子/空穴迁移率，高荧光量子产率，高色纯度，以及光色可调性等，成为应用于发光二极管的理想材料。近年来，钙钛矿发光二极管(peleds)的发展十分迅速，自1994年saito课题组首次在液氮下观测到peleds的电致发光现象以及2014年friend团队首次在室温下观测到三维peleds的电致发光，peleds领域至今已经历了长足且充分的发展。其中，红光和绿光钙钛矿发光二极管(led)的外量子效率(eqe)均已超过20％，稳定性也得到了相应的突破。然而，目前蓝光(尤其是深蓝光)peleds无论是性能还是稳定性都落后于其他光色，可见高效稳定蓝光peleds的实现依然是该领域现阶段的瓶颈。
2、另外，现阶段的高性能蓝光peleds大都集中在天蓝光范围，而显示领域所需要的纯蓝光与深蓝光的发展则更为缓慢，现有技术深蓝光peleds的eqe大约在2～3％左右，这严重制约了peleds在高性能、广色域显示领域和高显色指数白光照明领域的应用。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本专利技术的首要目的是提供一种深蓝光钙钛矿发光二极管的制备方法。
2、本专利技术的进一步目的是提供一种上述方法制备得到的深蓝光钙钛矿发光二极管。
3、本专利技术通过以下技术方案实现：
4、一种深蓝光钙钛矿发光二极管的制备方法，包括以下步
5、s1.在阳极衬底上制备空穴传输层；
6、s2.将溴化铯(csbr)、溴化铅(pbbr2)、氯化铅(pbcl2)、对氟苯乙胺溴(p-f-peabr)、甲脒溴(fabr)、溴化锂(libr)和乙胺溴(eabr)溶解于有机溶剂中，得到钙钛矿溶液，将所述钙钛矿溶液涂覆在s1所述的空穴传输层上，制备得到钙钛矿薄膜；
7、s3.在s2所述的钙钛矿薄膜上依次制备电子传输层、电子注入层和阴极电极，得到所述深蓝光钙钛矿发光二极管。
8、本专利技术提供的深蓝光钙钛矿发光二极管的制备方法，通过将螯合剂添加到前驱体溶液中来实现高效的相分布管理，以实现高性能深蓝钙钛矿发光二极管的制备。eabr作为螯合剂，在结晶过程中具有稳定低维相的作用，得益于低维相含量的增加，制备的最优器件在458nm处有着光谱稳定的深蓝光发射，eqe达到了创纪录的5.65％。即使螯合剂的掺入很小，也能引起el发射的明显蓝移(从474nm到458nm)，显示出该策略的优越性。
9、进一步地，步骤s1中，所述阳极衬底包括氧化铟锡(ito)阳极衬底，所述空穴传输层的材料选自聚乙烯咔唑(pvk)、聚3，4-乙烯二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐(pedot：pss)和聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺](poly-tpd)中的一种或几种。
10、进一步地，步骤s1中，采用旋涂法制备空穴传输层，旋涂的转速为3500～4000rpm，旋涂的时间为60～70s。
11、在具体实施方式中，清洗ito阳极衬底，将清洗干净的ito阳极衬底烘干，进行紫外处理后，将空穴传输层旋涂在ito阳极衬底上。
12、在具体实施方式中，旋涂后还包括退火处理的步骤，退火处理的温度为110～120℃，退火处理的时间为10～15min。
13、进一步地，步骤s1中，所述空穴传输层的厚度为40～50nm。
14、进一步地，步骤s2中，所述溴化铯、溴化铅、氯化铅、对氟苯乙胺溴、甲脒溴、溴化锂和乙胺溴的摩尔比为1：0.5：0.5：1：0.1：0.1：(0.1～0.3)。
15、进一步地，步骤s2中，所述钙钛矿溶液中乙胺溴的浓度为0.006～0.018mol/l。
16、进一步地，步骤s2中，所述有机溶剂为二甲基甲酰胺(dmf)和/或二甲基亚砜(dmso)。
17、进一步地，步骤s2中，将钙钛矿溶液旋涂在空穴传输层上，退火处理后得到所述钙钛矿薄膜。
18、进一步地，所述旋涂的转速为4000～5000rpm，旋涂的时间为140～150s，退火处理的温度为85～95℃，退火处理的时间为5～10min。
19、进一步地，步骤s2中，所述钙钛矿薄膜的厚度为20～30nm。
20、进一步地，步骤s3中，采用热蒸发沉积法依次制备电子传输层、电子注入层和阴极电极。
21、进一步地，步骤s3中，所述电子传输层的厚度为40～50nm，所述电子注入层的厚度为2～5nm，所述阴极电极的厚度为100～110nm。
22、进一步地，步骤s3中，所述电子传输层的材料选自2，4，6-三[3-(二苯基膦氧基)苯基]-1，3，5-三唑(pot2t)、1，3，5-三(1-苯基-1h-苯并咪唑-2-基)苯(tpbi)和4，6-双(3，5-二(3-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶(tmpypb)中的一种或几种。
23、进一步地，步骤s3中，所述电子注入层的材料为8-羟基喹啉-锂(liq)或氟化锂(lif)。
24、进一步地，步骤s3中，所述阴极电极为铝(al)电极或银(ag)电极。
25、本专利技术还保护一种由上述方法制备得到的深蓝光钙钛矿发光二极管。
26、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
27、本专利技术提供了一种深蓝光钙钛矿发光二极管的制备方法，通过将螯合剂添加到前驱体溶液中来实现高效的相分布管理，以实现高性能深蓝钙钛矿发光二极管的制备。eabr作为螯合剂，在结晶过程中具有稳定低维相的作用，得益于低维相含量的增加，制备的最优器件在458nm处有着光谱稳定的深蓝光发射，eqe达到了创纪录的5.65％。即使螯合剂的掺入很小，也能引起el发射的明显蓝移(从474nm到458nm)，显示出该策略的优越性。
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1.一种深蓝光钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述溴化铯、溴化铅、氯化铅、对氟苯乙胺溴、甲脒溴、溴化锂和乙胺溴的摩尔比为1：0.5：0.5：1：0.1：0.1：(0.1～0.3)。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述钙钛矿溶液中乙胺溴的浓度为0.006～0.018mol/L。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，将钙钛矿溶液旋涂在空穴传输层上，退火处理后得到所述钙钛矿薄膜。
5.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述旋涂的转速为4000～5000rpm，旋涂的时间为140～150s，退火处理的温度为85～95℃。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述空穴传输层的材料选自PVK、PEDOT：PSS和Poly-TPD中的一种或几种。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，采用旋涂法制备空穴传输层，旋涂的转速为3500～4000rp
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S3中，采用热蒸发沉积法依次制备电子传输层、电子注入层和阴极电极。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述电子传输层的材料选自POT2T、TPBi和TmPyPB中的一种或几种。
10.权利要求1～9任意一项所述的方法制备得到的深蓝光钙钛矿发光二极管。
...【技术特征摘要】
1.一种深蓝光钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤s2中，所述溴化铯、溴化铅、氯化铅、对氟苯乙胺溴、甲脒溴、溴化锂和乙胺溴的摩尔比为1：0.5：0.5：1：0.1：0.1：(0.1～0.3)。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤s2中，所述钙钛矿溶液中乙胺溴的浓度为0.006～0.018mol/l。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤s2中，将钙钛矿溶液旋涂在空穴传输层上，退火处理后得到所述钙钛矿薄膜。
5.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述旋涂的转速为4000～5000rpm，旋涂的时间为140～150s，退火处理的温度为8...
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