【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，具体涉及一种驱动基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
技术介绍
1、显示基板包括有机发光二极管(oled)显示基板。显示基板的结构包括驱动基板和位于驱动基板上的发光结构。与此同时，对显示基板的功耗的降低提出更高的要求，以及对于低频的需求，需要驱动基板中的开关tft有较低的漏电。
2、常见的降低驱动基板中的开关tft漏电的方式为：采用ltpo(low temperaturepolycrystalline oxide)工艺形成栅介质层。但ltpo工艺复杂，成本高，良率也相应受到影响。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题在于如何实现相关技术中驱动基板具有低漏电的第一tft结构和稳定驱动的第二tft结构，且不增加较多成本和良率损失的问题。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种驱动基板，包括：基板；分别位于所述基板的不同区域上的第一tft结构和第二tft结构，所述第一tft结构包括第一半导体沟道层，所述第二tft结构包括第二半导体沟道层，所述第一半导体沟道层和所述第二半导体沟道层同层间隔设置，所述第一半导体沟道层的至少部分区域的厚度小于所述第二半导体沟道层的厚度。
3、可选的，所述第一tft结构为开关tft结构，所述第二tft结构为驱动tft结构。
4、可选的，所述第一半导体沟道层的全部区域的厚度小于所述第二半导体沟道层的厚度；或者，所述第一半导体沟道层的部分区域的厚度小于所述第二半导体沟道层的厚度。p>
5、可选的，所述第二半导体沟道层的长度大于所述第一半导体沟道层的长度。
6、可选的，所述第一半导体沟道层的方块电阻大于所述第二半导体沟道层的方块电阻。
7、可选的，所述第一半导体沟道层具有特征区，所述特征区的厚度小于所述第二半导体沟道层的厚度，所述第二半导体沟道层与所述特征区的厚度之差为所述第二半导体沟道层的厚度的10％～70％。
8、可选的，还包括：第一源漏区，分别位于所述第一半导体沟道层的两侧且与所述第一半导体沟道层连接；第二源漏区，分别位于所述第二半导体沟道层的两侧且与所述第二半导体沟道层连接；位于所述基板上的栅介质层、第一栅电极层和第二栅电极层，所述第一栅电极层与所述第一半导体沟道层相对设置；所述第二栅电极层与所述第二半导体沟道层相对设置；所述第一tft结构和所述第二tft结构均为顶栅结构，所述栅介质层覆盖所述第一半导体沟道层、所述第一源漏区、所述第二半导体沟道层和所述第二源漏区，所述第一栅电极层和所述第二栅电极层位于所述栅介质层背离所述基板的一侧；或者，所述第一tft结构和所述第二tft结构均为底栅结构，所述第一半导体沟道层、所述第一源漏区、所述第二半导体沟道层和所述第二源漏区位于所述栅介质层背离所述基板的一侧，所述第一栅电极层和所述第二栅电极层位于所述栅介质层和所述基板之间。
9、可选的，还包括：第一遮光层和第二遮光层；当所述第一tft结构和所述第二tft结构均为顶栅结构时，所述第一遮光层位于所述基板和所述第一半导体沟道层之间，所述第二遮光层位于所述基板和所述第二半导体沟道层之间；当所述第一tft结构和所述第二tft结构均为底栅结构时，所述第一遮光层位于所述第一半导体沟道层背离所述基板的一侧，所述第二遮光层位于所述第二半导体沟道层背离所述基板的一侧。
10、本专利技术还提供一种驱动基板的制备方法，包括：提供基板；在所述基板的不同区域上分别形成第一tft结构和第二tft结构，形成所述第一tft结构的步骤包括形成第一半导体沟道层，形成所述第二tft结构的步骤包括形成第二半导体沟道层，所述第一半导体沟道层和所述第二半导体沟道层同层间隔设置，所述第一半导体沟道层的至少部分区域的厚度小于所述第二半导体沟道层的厚度。
11、可选的，还包括：在形成所述第一半导体沟道层的过程中还形成第一初始源漏区，所述第一初始源漏区分别位于所述第一半导体沟道层的两侧且与所述第一半导体沟道层连接；在形成所述第二半导体沟道层的过程中还形成第二初始源漏区，所述第二初始源漏区分别位于所述第二半导体沟道层的两侧且与所述第二半导体沟道层连接；对所述第一初始源漏区和所述第二初始源漏区进行离子注入，使所述第一初始源漏区形成第一源漏区，使所述第二初始源漏区形成第二源漏区。
12、可选的，形成所述第一半导体沟道层、所述第一初始源漏区、所述第二半导体沟道层和所述第二初始源漏区的步骤包括：在所述基板上形成半导体膜；在所述半导体膜背离所述基板的一侧形成横向间隔的第一光刻胶层和第二光刻胶层，所述第一光刻胶层包括特征光刻胶区，所述特征光刻胶区的厚度小于所述第二光刻胶层的厚度；以所述第一光刻胶层和第二光刻胶层为掩膜刻蚀所述半导体膜，使所述第一光刻胶层底部的所述半导体膜形成第一初始半导体层，所述第一初始半导体层的部分区域作为初始特征区，使所述第二光刻胶层底部的所述半导体膜形成第二半导体层，所述第二半导体层包括第二半导体沟道层和所述第二初始源漏区；以所述第一光刻胶层和第二光刻胶层为掩膜刻蚀所述半导体膜之后，完全去除所述特征光刻胶区以暴露出所述初始特征区的上表面，在完全去除所述特征光刻胶区的过程中去除部分厚度的所述第二光刻胶层；完全去除所述特征光刻胶区之后，以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除部分厚度的所述初始特征区，使剩余的第一初始半导体层形成第一半导体层，使所述初始特征区形成特征区，所述第一半导体层包括所述第一半导体沟道层和所述第一初始源漏区，所述第一半导体沟道层包括所述特征区，所述特征区的厚度小于所述第二半导体沟道层的厚度；去除所述第二光刻胶层。
13、可选的，所述第一光刻胶层的全部区域作为所述特征光刻胶区；完全去除所述特征光刻胶区以暴露出所述第一初始半导体层的全部上表面；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除部分厚度的所述第一初始半导体层；所述第一半导体沟道层的全部区域作为所述特征区；或者，所述第一光刻胶层还包括与所述特征光刻胶区横向设置的副光刻胶区，所述特征光刻胶区的厚度小于所述副光刻胶区；在完全去除所述特征光刻胶区的过程中去除部分厚度的所述副光刻胶区；以所述第二光刻胶层和所述副光刻胶区为掩膜刻蚀去除部分厚度的所述初始特征区；所述第一半导体沟道层的部分区域作为所述特征区；去除所述第二光刻胶层的过程中还去除了所述副光刻胶区。
14、可选的，在所述半导体膜背离所述基板的一侧形成横向间隔的第一光刻胶层和第二光刻胶层，包括：在所述半导体膜背离所述基板的一侧形成光刻胶膜；提供掩膜板，将所述掩膜板设置在所述光刻胶膜的上方；以所述掩膜板为掩膜对所述光刻胶膜进行曝光处理；以所述掩膜板为掩膜对所述光刻胶膜进行曝光处理之后，对所述光刻胶膜进行显影处理，使所述光刻胶膜形成所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层；所述光刻胶膜的材料为正性光刻胶，所述掩膜板包括全透光区、间隔的第一遮光区和第二遮光区，所述全透光区包围所述第一遮光区和所述第二遮光区，所述第一遮光区包括特征遮光区，所述特征遮光区的透过率大于所述第二遮光区的透本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种驱动基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述第一TFT结构为开关TFT结构，所述第二TFT结构为驱动TFT结构。
3.根据权利要求1或2所述的驱动基板，其特征在于，所述第一半导体沟道层的全部区域的厚度小于所述第二半导体沟道层的厚度；或者，所述第一半导体沟道层的部分区域的厚度小于所述第二半导体沟道层的厚度。
4.根据权利要求1或2所述的驱动基板，其特征在于，所述第二半导体沟道层的长度大于所述第一半导体沟道层的长度。
5.根据权利要求1或2所述的驱动基板，其特征在于，所述第一半导体沟道层的方块电阻大于所述第二半导体沟道层的方块电阻。
6.根据权利要求1或2所述的驱动基板，其特征在于，所述第一半导体沟道层具有特征区，所述特征区的厚度小于所述第二半导体沟道层的厚度，所述第二半导体沟道层与所述特征区的厚度之差为所述第二半导体沟道层的厚度的10％～70％。
7.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，还包括：第一源漏区，分别位于所述第一半导体沟道层的两侧且与所述第一半导体沟道
8.根据权利要求7所述的驱动基板，其特征在于，还包括：第一遮光层和第二遮光层；
9.一种驱动基板的制备方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的驱动基板的制备方法，其特征在于，还包括：在形成所述第一半导体沟道层的过程中还形成第一初始源漏区，所述第一初始源漏区分别位于所述第一半导体沟道层的两侧且与所述第一半导体沟道层连接；在形成所述第二半导体沟道层的过程中还形成第二初始源漏区，所述第二初始源漏区分别位于所述第二半导体沟道层的两侧且与所述第二半导体沟道层连接；对所述第一初始源漏区和所述第二初始源漏区进行离子注入，使所述第一初始源漏区形成第一源漏区，使所述第二初始源漏区形成第二源漏区。
11.根据权利要求10所述的驱动基板的制备方法，其特征在于，形成所述第一半导体沟道层、所述第一初始源漏区、所述第二半导体沟道层和所述第二初始源漏区的步骤包括：在所述基板上形成半导体膜；在所述半导体膜背离所述基板的一侧形成横向间隔的第一光刻胶层和第二光刻胶层，所述第一光刻胶层包括特征光刻胶区，所述特征光刻胶区的厚度小于所述第二光刻胶层的厚度；以所述第一光刻胶层和第二光刻胶层为掩膜刻蚀所述半导体膜，使所述第一光刻胶层底部的所述半导体膜形成第一初始半导体层，所述第一初始半导体层的部分区域作为初始特征区，使所述第二光刻胶层底部的所述半导体膜形成第二半导体层，所述第二半导体层包括第二半导体沟道层和所述第二初始源漏区；以所述第一光刻胶层和第二光刻胶层为掩膜刻蚀所述半导体膜之后，完全去除所述特征光刻胶区以暴露出所述初始特征区的上表面，在完全去除所述特征光刻胶区的过程中去除部分厚度的所述第二光刻胶层；完全去除所述特征光刻胶区之后，以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除部分厚度的所述初始特征区，使剩余的第一初始半导体层形成第一半导体层，使所述初始特征区形成特征区，所述第一半导体层包括所述第一半导体沟道层和所述第一初始源漏区，所述第一半导体沟道层包括所述特征区，所述特征区的厚度小于所述第二半导体沟道层的厚度；去除所述第二光刻胶层。
12.根据权利要求11所述的驱动基板的制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶层的全部区域作为所述特征光刻胶区；完全去除所述特征光刻胶区以暴露出所述第一初始半导体层的全部上表面；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除部分厚度的所述第一初始半导体层；所述第一半导体沟道层的全部区域作为所述特征区；
13.根据权利要求11所述的驱动基板的制备方法，其特征在于，在所述半导体膜背离所述基板的一侧形成横向间隔的第一光刻胶层和第二光刻胶层，包括：在所述半导体膜背离所述基板的一侧形成光刻胶膜；提供掩膜板，将所述掩膜板设置在所述光刻胶膜的上方；以所述掩膜板为掩膜对所述光刻胶膜进行曝光处理；以所述掩膜板为掩膜对所述光刻胶膜进行曝光处理之后，对所述光刻胶膜进行显影处理，使所述光刻胶膜形成所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层；
14.根据权利要求13所述的驱动基板的制备方法，其特征在于，当所述光刻胶膜的材料为正性光刻胶时，所述第一遮光区的全部区域作为所述特征遮光区；当所述光刻胶膜的材料为负性光刻胶时，所述第一图案区域的全部区域作为所述特征图案区域；
15.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种驱动基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述第一tft结构为开关tft结构，所述第二tft结构为驱动tft结构。
3.根据权利要求1或2所述的驱动基板，其特征在于，所述第一半导体沟道层的全部区域的厚度小于所述第二半导体沟道层的厚度；或者，所述第一半导体沟道层的部分区域的厚度小于所述第二半导体沟道层的厚度。
4.根据权利要求1或2所述的驱动基板，其特征在于，所述第二半导体沟道层的长度大于所述第一半导体沟道层的长度。
5.根据权利要求1或2所述的驱动基板，其特征在于，所述第一半导体沟道层的方块电阻大于所述第二半导体沟道层的方块电阻。
6.根据权利要求1或2所述的驱动基板，其特征在于，所述第一半导体沟道层具有特征区，所述特征区的厚度小于所述第二半导体沟道层的厚度，所述第二半导体沟道层与所述特征区的厚度之差为所述第二半导体沟道层的厚度的10％～70％。
7.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，还包括：第一源漏区，分别位于所述第一半导体沟道层的两侧且与所述第一半导体沟道层连接；第二源漏区，分别位于所述第二半导体沟道层的两侧且与所述第二半导体沟道层连接；位于所述基板上的栅介质层、第一栅电极层和第二栅电极层，所述第一栅电极层与所述第一半导体沟道层相对设置；所述第二栅电极层与所述第二半导体沟道层相对设置；
8.根据权利要求7所述的驱动基板，其特征在于，还包括：第一遮光层和第二遮光层；
9.一种驱动基板的制备方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的驱动基板的制备方法，其特征在于，还包括：在形成所述第一半导体沟道层的过程中还形成第一初始源漏区，所述第一初始源漏区分别位于所述第一半导体沟道层的两侧且与所述第一半导体沟道层连接；在形成所述第二半导体沟道层的过程中还形成第二初始源漏区，所述第二初始源漏区分别位于所述第二半导体沟道层的两侧且与所述第二半导体沟道层连接；对所述第一初始源漏区和所述第二初始源漏区进行离子注入，使所述第一初始源漏区形成第一源漏区，使所述第二初始源漏区形成第二源漏区。
11.根据权利要求10所述的驱动基板的制备方法，其特征在于，形成所述第一半导体沟道层、所述第一初始源漏区、所述第二半导体沟道层和所述第二初始源漏区的步骤包括：在所述基板上形成半导体膜；在所述半导体膜背离所述基板的一侧形成横向间隔的第一光刻胶层和第二光刻胶层，所述第一光刻胶层包括特征光刻胶区，所述特征光刻胶...
【专利技术属性】
技术研发人员：田宏伟，牛亚男，李栋，李良坚，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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