System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种PWM开关电源电路及其MOS管内阻检测方法技术_技高网

一种PWM开关电源电路及其MOS管内阻检测方法技术

技术编号:40818632 阅读:3 留言:0更新日期:2024-03-28 19:37
本发明专利技术公开了一种PWM开关电源电路及其MOS管内阻检测方法,电路包括负脉冲驱动模块、第一MOS管、正脉冲驱动模块、第一三极管、检测模块;负脉冲驱动模块与第一MOS管电连接,用于通过输入负脉冲驱动第一MOS管导通;第一MOS管的输出端与负载电连接,用于向负载提供电源;正脉冲驱动模块与第一三极管电连接,用于通过输入正脉冲驱动第一三极管导通;第一三极管的输出端与负载电连接,用于向负载提供电源;检测模块分别与第一MOS管、第一三极管电连接,用于检测第一MOS管的内阻。通过在PWM电源开关管导通时实时检测其内阻变化,并在其内阻超过规定阈值时启动保护模块对其进行过流过温保护,提高了MOS管的寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及pwm,特别涉及一种pwm开关电源电路及其mos管内阻检测方法。


技术介绍

1、mos管作为控制器在各类电气产品中的各个设备模块中运用极为广泛,特别是在电池管理系统的采集均衡模块中。为了减少功率的损失,通常我们都选用较小内阻的mos管运用于各个电路中,但实际应用中,经常会有不符合内阻参数的mos管使用的情况,造成其他设备的损害。因此,保证mos管在可用的范围内安全可靠的运行显得特别重要。

2、在对mos管内阻进行检测时,各种开关电源,各种功率pwm开关电路,都是以热敏电阻,或者温度感应芯片检测mos管的温度,都是靠近mos管或者散热器检测,当mos管过载时等传导到外部时,mos管已经损坏。


技术实现思路

1、现有技术中,对mos管内阻检测较为滞后,当外围电路检测到其内阻变化时,mos管可能已经损坏。

2、针对上述问题,提出一种pwm开关电源电路及其mos管内阻检测方法,通过在pwm电源开关管导通时实时检测其内阻变化,并在其内阻超过规定阈值时启动保护模块对其进行过流过温保护,提高了mos管的寿命。

3、第一方面,一种pwm开关电源电路,包括

4、负脉冲驱动模块;

5、第一mos管;

6、正脉冲驱动模块;

7、第一三极管;

8、检测模块;

9、所述负脉冲驱动模块与所述第一mos管电连接,用于通过输入负脉冲驱动所述第一mos管导通;

10、所述第一mos管的输出端与负载电连接,用于向负载提供电源;

11、所述正脉冲驱动模块与所述第一三极管电连接,用于通过输入正脉冲驱动所述第一三极管导通;

12、所述第一三极管的输出端与负载电连接,用于向负载提供电源;

13、所述检测模块分别与所述第一mos管、第一三极管电连接,用于检测所述第一mos管的内阻。

14、结合本专利技术所述的pwm开关电源电路,第一种可能的实施方式中,所述检测电路还包括:

15、保护模块;

16、所述保护模块与所述检测模块电连接;

17、所述检测模块还用于将所述内阻与规定阈值进行比较并在大于所述规定阈值时启动所述保护模块,对所述第一mos管进行保护。

18、结合本专利技术第一种可能的实施方式,第二种可能的实施方式中,所述检测模块包括:

19、第一分压单元;

20、第二分压单元;

21、比较器;

22、所述第一分压单元分别与电源、所述比较器的负极端以及第一mos管电连接,所述第一分压单元接地;

23、所述第二分压单元分别与所述电源、所述比较器的正极端、所述第一mos管电连接,所述第二分压单元接地。

24、结合本专利技术第二种可能的实施方式,第三种可能的实施方式中,所述第一分压单元包括:

25、第一电阻、第二电阻;

26、所述第二分压单元包括:

27、第三电阻、第四电阻、第五电阻;

28、所述第一电阻的第一端、第四电阻的第一端、所述第一mos管的漏极端、电源共接;

29、所述第一电阻的第二端、所述负极端、所述第二电阻的第一端共接;

30、所述第三电阻的第一端、所述第一mos管的源极端,所述负脉冲驱动模块、所述负载的第一端共接,所述负载的第二端接地;

31、所述第三电阻的第二端、第四电阻的第二端、第五电阻的第一端、所述正极端共接;

32、所述第五电阻的第二端、所述第二电阻的第二端共接后接地。

33、结合本专利技术第一种可能的实施方式,第四种可能的实施方式中,所述pwm开关电源电路还包括

34、第三分压单元;

35、所述第三分压单元分别与所述电源、所述比较器的正极端电连接,所述第三分压单元接地。

36、结合本专利技术第四种可能的实施方式,第五种可能的实施方式中,所述第三分压单元包括:

37、第六电阻、第七电阻;

38、所述第六电阻的第一端与所述电源电连接,所述第六电阻的第二端、所述正极端、所述第七电阻的第一端共接,所述第七电阻的第二端接地。

39、结合本专利技术第五种可能的实施方式,第六种可能的实施方式中,所述第一三极管的栅极端与所述正脉冲驱动模块电连接,所述比较器的负极端、所述第一三极管的源极端通过电阻与电源电连接,所述第一三极管的漏极端接地。

40、第二方面,一种pwm开关电源mos管内阻检测方法,采用第一方面所述的电路,其中,包括:

41、步骤100、向负脉冲驱动模块输入负脉冲;

42、步骤200、所述负脉冲驱动模块利用所述负脉冲驱动第一mos管导通;

43、步骤300、所述检测模块实时检测所述第一mos管的内阻;

44、步骤400、所述检测模块将检测到的所述内阻与规定阈值进行比较,以确定是否启动保护模块对所述第一mos管进行过流过温保护。

45、结合第二方面所述的pwm开关电源mos管内阻的检测方法,第一种可能的实施方式中,所述步骤400包括:

46、步骤410、将第一分压单元分别与电源、比较器的负极端以及第一mos管电连接、将第二分压单元分别与电源、所述比较器的正极端、第一mos管电连接并将所述第一分压单元、第二分压单元接地;

47、步骤420、所述比较器对所述第一分压单元、第二分压单元输入的电压进行比较,以确定所述第一mos管的内阻是否大于规定阈值。

48、结合第二方面所述的pwm开关电源mos管内阻检测方法,第二种可能的实施方式中,所述规定阈值为90mω。

49、实施本专利技术所述的一种pwm开关电源电路及其mos管内阻检测方法,通过在pwm电源开关管导通时实时检测其内阻变化,并在其内阻超过规定阈值时启动保护模块对其进行过流过温保护,提高了mos管的寿命。

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【技术保护点】

1.一种PWM开关电源电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的PWM开关电源电路,其特征在于,所述PWM开关电源电路还包括:

3.根据权利要求2所述的PWM开关电源电路,其特征在于,所述检测模块包括:

4.根据权利要求3所述的PWM开关电源电路,其特征在于,所述第一分压单元包括:

5.根据权利要求4所述的PWM开关电源电路,其特征在于,所述PWM开关电源电路还包括

6.根据权利要求5所述的PWM开关电源电路,其特征在于,所述第三分压单元包括:

7.根据权利要求6所述的PWM开关电源电路,其特征在于,所述第一三极管的栅极端与所述正脉冲驱动模块电连接,所述比较器的负极端、所述第一三极管的源极端通过电阻与电源电连接,所述第一三极管的漏极端接地。

8.一种PWM开关电源MOS管内阻检测方法,采用权利要求1-7任一项所述的PWM开关电源电路,其特征在于,包括:

9.根据权利要求8所述的PWM开关电源电路MOS管内阻检测方法,其特征在于,所述步骤400包括:

10.根据权利要求9所述的PWM开关电源电路MOS管内阻检测方法,其特征在于,所述规定阈值为90mΩ。

...

【技术特征摘要】

1.一种pwm开关电源电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的pwm开关电源电路,其特征在于,所述pwm开关电源电路还包括:

3.根据权利要求2所述的pwm开关电源电路,其特征在于,所述检测模块包括:

4.根据权利要求3所述的pwm开关电源电路,其特征在于,所述第一分压单元包括:

5.根据权利要求4所述的pwm开关电源电路,其特征在于,所述pwm开关电源电路还包括

6.根据权利要求5所述的pwm开关电源电路,其特征在于,所述第三分压单元包括:

7.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:姚岳阳
申请(专利权)人:宁波扬笛声学科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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