【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种用于将多射束带电粒子投射到样品并检测从样品发射的信号粒子的设备。
技术介绍
1、当制造半导体集成电路(ic)芯片时，作为例如光学效应和附带颗粒的结果，在制造工艺期间在衬底(即，晶片)或掩模上不可避免地出现不期望的图案缺陷，从而降低了成品率。因此，监测不希望的图案缺陷的程度是ic芯片制造中的重要过程。更一般地，衬底或其它物体/材料的表面的检查和/或测量是其制造期间和/或之后的重要过程。
2、具有带电粒子束的图案检查工具已经被用于检查物体，例如检测图案缺陷，物体可以被称为样品。这些工具通常使用电子显微镜技术，例如扫描电子显微镜(sem)。在sem中，具有相对高能量的电子的初级电子束以最终减速步骤为目标，以便以相对低的着陆能量着陆在样品上。电子束作为探测点聚焦在样品上。探测点处的材料结构与来自电子束的着陆电子之间的相互作用导致信号电子从表面发射，诸如次级电子、背散射电子或俄歇电子。信号电子可以从样品的材料结构发射。通过横跨样品表面扫描作为探测点的初级电子束，可以横跨样品表面发射信号电子。通过从样品表面收集这些发射的信号电子，图案检查工具可以获得表示样品表面的材料结构的特征的图像。
3、可以通过使用多个平行的带电粒子束来增加吞吐量。在这样的多射束系统中收集信号电子是有挑战性的，特别是在使用大量射束和/或射束需要在样品处紧密间隔的情况下。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是改进多射束系统中信号电子的收集。
2、根据本专利技术的一个方面，提供
3、根据本专利技术的一个方面，提供了一种带电粒子光学设备，该设备被配置为将多个带电粒子束投射到样品，该设备包括：物镜阵列，其被配置为将多个射束朝向样品投射并且包括沿着多个射束的路径布置的多个电极；检测器，其包括被配置为接收从样品发射的信号粒子的检测器元件；以及维恩过滤器阵列，其被配置为施加偏转力以使信号粒子朝向检测器元件偏转，维恩过滤器阵列的每个维恩过滤器元件被配置为作用于由不同的相应射束组生成的信号粒子，其中，每射束组包括射束的行，行垂直于或倾斜于偏转力的方向延伸。
4、根据本专利技术的一个方面，提供了一种带电粒子光学设备，该设备被配置为将多个带电粒子束投射到样品，该设备包括：孔径阵列，其被配置为从入射在孔径阵列上的源射束生成多个射束；准直器，其被配置为准直射束的路径；物镜阵列，其被配置为将射束投射到样品上并且包括沿着多个射束的路径布置的多个电极；检测器，包括被配置为接收从样品发射的信号粒子的检测器元件；维恩过滤器装置，该维恩过滤器装置被配置为使信号粒子朝向检测器元件偏转；以及一个或多个校正器阵列，其被配置为改善射束与物镜阵列和/或准直器的对准。
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1.一种带电粒子光学设备，被配置为将带电粒子的多个射束投射到样品，所述设备包括带电粒子装置列和光传感器，所述带电粒子装置列包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述反射镜的每个孔径与所述多个射束中的相应一个或多个射束相对应。
3.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述闪烁体被布置成阵列。
4.根据权利要求3所述的设备，其中所述阵列与所述多个射束的射束路径正交。
5.根据权利要求3或4所述设备，其中所述阵列包括二维图案，优选为栅格的形式。
6.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述闪烁体被定位在所述物镜阵列的电极中的至少一个电极的上游。
7.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述物镜阵列的所述电极中的至少一个电极面向所述样品。
8.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中每个闪烁体围绕被配置为允许所述多个射束中的相应一个或多个射束通过的孔径。
9.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述闪烁体由所述物镜阵列的所述电极中的一个电极支撑。
10.根据前述权利要
11.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述闪烁体被定位在所述物镜阵列的上游。
12.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述闪烁体被布置成在所述射束的路径之间交错的阵列。
13.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述闪烁体被布置成阵列，其中每个闪烁体相对于所述多个射束中的对应射束的路径移位。
14.根据前述权利要求中任一项所述的设备，所述装置列还包括维恩过滤器装置，所述维恩过滤器装置被配置为施加偏转力以使信号粒子朝向所述闪烁体偏转，其中所述维恩过滤器装置包括维恩过滤器阵列，所述维恩过滤器阵列中的每个维恩过滤器元件被配置为作用于由所述射束的不同的相应组生成的信号粒子。
15.根据权利要求14所述的设备，其中每组射束包括多个射束的行，所述行垂直于或倾斜于所述维恩过滤器阵列中的每个维恩过滤器元件对所述信号粒子的作用的方向延伸，所述作用优选为偏转力。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种带电粒子光学设备，被配置为将带电粒子的多个射束投射到样品，所述设备包括带电粒子装置列和光传感器，所述带电粒子装置列包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述反射镜的每个孔径与所述多个射束中的相应一个或多个射束相对应。
3.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述闪烁体被布置成阵列。
4.根据权利要求3所述的设备，其中所述阵列与所述多个射束的射束路径正交。
5.根据权利要求3或4所述设备，其中所述阵列包括二维图案，优选为栅格的形式。
6.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述闪烁体被定位在所述物镜阵列的电极中的至少一个电极的上游。
7.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述物镜阵列的所述电极中的至少一个电极面向所述样品。
8.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中每个闪烁体围绕被配置为允许所述多个射束中的相应一个或多个射束通过的孔径。
9.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述闪烁体由所述物镜阵列的所述电极中的一个电极支撑。
10.根据前述权利要求中任一...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·JJ·维兰德，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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